在线观看AV不卡网站永久_国产精品推荐制服丝袜_午夜福利无码免费体验区_国产精品露脸精彩对白

從非硅成本上來(lái)看?？梢酝ㄟ^(guò)使用多主柵技術(shù)或使用銀鋁漿替代銀漿來(lái)降低成本TOPCon電池的非硅成本已經(jīng)有能力低于，對(duì)比PERC電池仍然有，主要原因系銀漿單耗高TOPCon的雙面率高，正反面都需要使用銀漿，M6型TOPCon電池使用的銀漿約130mg，較M6型PERC電池高出約60mg，預(yù)計(jì)未來(lái)可以通過(guò)多主柵或背面使用銀鋁漿來(lái)降低非硅成本產(chǎn)品良率TOPCon電池的良率整體低于PERCTOPCon電池的整體良率在93%-95%左右，而PERC電池的整體良率在97%-98%之間良率劣勢(shì)原因1.隧穿氧化層和多晶硅層的制備工藝路線不統(tǒng)一，且加工步驟較多，TOPCon生產(chǎn)流程共12~13步，PE...

形狀不規(guī)則的片料或大塊硅料在指定區(qū)域砸碎，對(duì)片料進(jìn)行破碎，使用砸料箱，注意此過(guò)程必須戴PVC手套、護(hù)目鏡，防止危害人體。挑選“硅料表面比較光滑的面”。大小塊料要盡量均勻，碎料盡量用來(lái)填縫隙。在裝料過(guò)程中，一定不能碰到坩堝內(nèi)壁，發(fā)現(xiàn)破壞要取出硅料，重新噴涂，直至符合要求再用。一半的硅料裝完后，領(lǐng)取摻雜劑，用電子天平稱重后均勻的放置到硅料的表面。摻雜劑假如完成后，繼續(xù)加入硅料，直至達(dá)到規(guī)定數(shù)量為止。加熱在真空狀態(tài)下開(kāi)始加熱、按照一定的工藝程序，對(duì)硅料、熱場(chǎng)、坩堝等進(jìn)行排濕、排雜。熔化熔化與加熱的延伸、也可以理解為加熱，但在工藝程序上的設(shè)計(jì)上有較大的差別，熔化是將固體硅轉(zhuǎn)化成液體硅，溫度...

可以達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來(lái)實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。4PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積。太陽(yáng)光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右。減反射膜可以提高電池片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，有助于提高光生電流，進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率：另一方面，薄膜中的氫對(duì)電池表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小暗電流，提升開(kāi)路電壓，提高光電轉(zhuǎn)換效率。H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng),從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過(guò)對(duì)石墨舟的導(dǎo)電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。5絲網(wǎng)印刷通俗的說(shuō)就是為太陽(yáng)能電池收集電流并制造電極，道背面銀電極，第二道背面鋁背場(chǎng)的印刷和烘干；第三道正面銀電極的印刷，...

將打破目前太陽(yáng)能板只能“躺”著接收太陽(yáng)光的局限。據(jù)悉，染料敏化電池雖然把光能轉(zhuǎn)換為電能的效率不及傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池，但因其在日照不佳的情況下也能正常運(yùn)作，因此采光時(shí)間更長(zhǎng)，制造的電能也更多，比較適合地處熱帶且云層密布的國(guó)家和地區(qū)。中國(guó)太陽(yáng)能電池行業(yè)的發(fā)展編輯中國(guó)對(duì)太陽(yáng)能電池的研究起步于1958年，20世紀(jì)80年代末期，國(guó)內(nèi)先后引進(jìn)了多條太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線，使中國(guó)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)能力由原來(lái)的3個(gè)小廠的幾百kW一下子提升到4個(gè)廠的，這種產(chǎn)能一直持續(xù)到2002年，產(chǎn)量則只有2MW左右。2002年后，歐洲市場(chǎng)特別是德國(guó)市場(chǎng)的急劇放大和無(wú)錫尚德太陽(yáng)能電力有限公司的橫空出世及超常規(guī)發(fā)展給中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)帶...

整個(gè)硅片加工流程中為重要的一環(huán)切片環(huán)節(jié)切片環(huán)節(jié)所需的設(shè)備主要有截?cái)鄼C(jī)、開(kāi)方機(jī)、磨倒機(jī)、粘棒機(jī)、脫膠機(jī)、切片機(jī)、脫膠機(jī)、清洗機(jī)、分選儀以及其他自動(dòng)化輔助設(shè)備等，其中切片機(jī)是切片環(huán)節(jié)設(shè)備切片機(jī)是一種使用高速運(yùn)動(dòng)的金剛石線對(duì)單晶硅棒進(jìn)行切片加工的精密生產(chǎn)設(shè)備在設(shè)備工作過(guò)程中，一根高速往復(fù)運(yùn)轉(zhuǎn)的金剛石線分布成切割線網(wǎng)，通過(guò)由放線輪、張力輪、導(dǎo)輪、切割輪等組成的運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)及自動(dòng)檢測(cè)控制系統(tǒng)對(duì)單晶硅棒料進(jìn)行加工研磨，將硅棒切割為硅片目前國(guó)內(nèi)提供多線切割機(jī)廠商包括高測(cè)股份、宇晶股份、連城數(shù)控、上機(jī)數(shù)控及晶盛機(jī)電等電池片主流分類從襯底類型來(lái)看，可將電池片分為P型電池片和N型電池片兩類P型電池片P型電...

1一次清洗與二次清洗的酸液不干凈，檢查酸液使用的次數(shù)有沒(méi)揮發(fā)等2擴(kuò)散與鍍膜前硅片表面帶有較臟的水印3在制絨后硅片表面的硅酸鈉沒(méi)能得到很好的去除就會(huì)留下不規(guī)則的膠體印，到成品后是水紋；這只要我們?cè)谥平q后及時(shí)進(jìn)行酸洗，也可提高HF的濃度.如果制絨液的配比沒(méi)有問(wèn)題，那么花斑白斑和制絨前的硅片表面質(zhì)量就顯得尤其重要了。原始的解決方法是用強(qiáng)堿來(lái)粗剝一下，但隨著原材料變薄也可用低一些的濃度與IPA的混合溶液來(lái)處理，一般5~6分鐘即可；6溶液均勻的方法1超聲，缺點(diǎn)是容易造成碎片，即使沒(méi)有在槽中碎，后道工序也會(huì)碎；2循環(huán)，使用chemicalpump；3攪拌；4鼓泡；7制絨出現(xiàn)的問(wèn)題花臉；雨點(diǎn)狀斑...

光伏電池片位于光伏產(chǎn)業(yè)鏈中游，是通過(guò)將單/多晶硅片加工處理得到的可以將太陽(yáng)的光能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體薄片電池片主要原材料為硅片，主要輔材為銀漿、鋁漿和化學(xué)試劑，主要?jiǎng)恿殡娏杵?硅片是電池片主要原材料，在硅料價(jià)格持續(xù)上漲的背景下，硅片環(huán)節(jié)憑借其良好的價(jià)格傳導(dǎo)能力且相對(duì)穩(wěn)定的競(jìng)爭(zhēng)格局，維持較好盈利能力，占電池片成本約為74-75%銀漿:銀漿為電池片結(jié)構(gòu)中的電極材料，目前光伏銀漿需求隨著光伏行業(yè)的發(fā)展持續(xù)增長(zhǎng)，占電池片成本約為8%光伏電池按原材料分為三類1.晶體硅太陽(yáng)能電池2.薄膜太陽(yáng)能電池3.各種新型太陽(yáng)能電池單晶硅片制造企業(yè)利用單晶硅爐生產(chǎn)單晶硅棒多晶硅片制造企業(yè)利用鑄錠爐生產(chǎn)多晶...

濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反應(yīng)氧化生成SiO2，HF去除SiO2?？涛g堿槽的作用是為了拋光未制絨面，使電池片變得光滑；堿槽的主要溶液為KOH；H2SO4是為了讓硅片在流水線上漂浮流動(dòng)起來(lái)，并不參與反應(yīng)。干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時(shí)，一方面等離子體中的氣體化學(xué)活性會(huì)變得相對(duì)較強(qiáng)，選擇合適的氣體，就可以讓硅片更快速的進(jìn)行反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)刻蝕；另一方面，可利用電場(chǎng)對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使等離子體具有一定能量，當(dāng)轟擊硅片的表面時(shí)，硅片材料的原子擊出，可以達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)...

電池片工藝流程:制絨(INTEX)→擴(kuò)散(DIFF)→后清洗(刻邊/去PSG)→鍍減反射膜(PECVD)→絲網(wǎng)、燒結(jié)(PRINTER)→測(cè)試、分選(TESTER+SORTER)→包裝(PACKING)。一、制絨制絨的目的是在硅片表面形成絨面面，以減少電池片的反射率，絨面凹凸不平可以增加二次反射，改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶，可以得到金字塔狀絨面；用酸處理多晶，可以得到蟲(chóng)孔狀無(wú)規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質(zhì)的區(qū)別。工藝流程：制絨槽→水洗→堿洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情況下，硅與HF、HNO3（硅表面會(huì)被鈍化）認(rèn)為是不反應(yīng)的。當(dāng)存在于兩種混合酸的體系中，硅...

P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅和磷原子。生成的P2O5淀積在硅片表面與硅繼續(xù)反應(yīng)生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中擴(kuò)散,制得N型半導(dǎo)體?？涛g在擴(kuò)散工序，采用背靠背的單面擴(kuò)散方式，硅片的側(cè)邊和背面邊緣不可避免地都會(huì)擴(kuò)散上磷原子。當(dāng)陽(yáng)光照射，P-N結(jié)的正面收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到P-N結(jié)的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并聯(lián)電阻?？涛g工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈，避免了P-N結(jié)短路并且造成并聯(lián)電阻降低。濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→...

使Si氧化為SiO2，然后HF溶解SiO2，并生成絡(luò)合物H2SiF6。從而導(dǎo)致硅表面發(fā)生各向同性非均勻性腐蝕，形成粗糙的多孔硅層，有利于減少光發(fā)射，增強(qiáng)光吸收表面，為了控制化學(xué)反應(yīng)的劇烈程度，有時(shí)加入一些其他的化學(xué)品。3Si+4HNO3＝3SiO2+2H2O+4NOSiO2+6HF＝H2[SiF6]+2H2OSi+HNO3+6HF＝H2SiF6+HNO2+H2O+H213絨面為什么是球形在硅與硝酸的反應(yīng)中，除了生成SiO2，還生成NO氣體，在硅片表面形成氣泡，導(dǎo)致硅片表面產(chǎn)生球形腐蝕坑的只要原因。14為什么去除多孔硅膜酸腐蝕易在多晶硅表面形成一層彩色均勻的多孔硅膜，這個(gè)多孔硅膜具有...

檢查涂層在噴涂坩堝側(cè)壁的過(guò)程中需用擋板遮住坩堝底部，約為側(cè)壁3／4的地方。噴涂和刷涂過(guò)程中要均勻使液體凝聚，涂層必須滿足均勻、無(wú)氣泡、無(wú)脫落、無(wú)裂縫等條件方為合格。坩堝焙燒將噴好的坩堝放入烘箱內(nèi)，開(kāi)始坩堝焙燒,整個(gè)過(guò)程大概需要30~40小時(shí)，先快速升溫至設(shè)定溫度，保持幾小時(shí)后，自然冷卻至合適溫度，再開(kāi)蓋冷卻。值得注意的是，坩堝噴涂車(chē)間需要保持一定的溫度，溫度較低環(huán)境需在配比涂層時(shí)對(duì)純水加熱。原料的雜質(zhì)濃度會(huì)影響鑄錠爐的化料時(shí)間，鑄錠爐在長(zhǎng)晶等階段出現(xiàn)異常，此時(shí)鑄錠時(shí)間可能較一般工藝時(shí)間長(zhǎng)2-4個(gè)小時(shí)，底部氮化硅的量太少會(huì)導(dǎo)致無(wú)法順利脫模，硅錠底部開(kāi)裂。而過(guò)量的氮化硅會(huì)覆蓋住石英砂，...

目前單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15％左右，實(shí)驗(yàn)室成果也有20％以上的。電池片的處理方法編輯新加坡南洋理工大學(xué)能源研究所的科學(xué)家們近研發(fā)出一種新型太陽(yáng)能電池，稱為“染料敏化電池”。以往制作太陽(yáng)能電池主要是以硅晶為主要原料，而這種新型太陽(yáng)能電池的發(fā)明是受到植物光合作用的啟發(fā)，參照葉綠素可以把光原子轉(zhuǎn)換成能量的原理，利用比較穩(wěn)定的人工染料捕捉光譜中幾乎所有的可見(jiàn)光。電池的導(dǎo)電部分是由納米級(jí)二氧化鈦顆粒和幫助導(dǎo)電的電解質(zhì)，以及金屬釕衍生物的染料組成。與傳統(tǒng)硅晶太陽(yáng)能電池相比，這種新型太陽(yáng)能電池可以吸收直射陽(yáng)光以及漫射光源（如室內(nèi)燈光等）。二氧化鈦通常都用在油漆、防曬霜和食用色素中，成...

原位摻雜:PECVD制備多晶硅膜并原位摻雜工藝優(yōu)勢(shì):沉積速度快，沉積溫度低，輕微的繞鍍，可以用PECVD直接制備多晶硅層，流程相對(duì)簡(jiǎn)化劣勢(shì):厚度均勻性較差，純度低，存在氣泡爆膜問(wèn)題，導(dǎo)致致密度和良率較低目前產(chǎn)業(yè)化程度較慢，根據(jù)Solarzoom，目前拉普拉斯、捷佳偉創(chuàng)、金辰股份、無(wú)錫微導(dǎo)等國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商已經(jīng)布局該方法原則上沒(méi)有繞鍍問(wèn)題，與PERC產(chǎn)線不兼容，更適合新的產(chǎn)線，后續(xù)有望通過(guò)工藝的成熟改善鍍膜穩(wěn)定性，成為主流技術(shù)3.離子注入:LPCVD制備多晶硅膜結(jié)合擴(kuò)硼及離子注入磷工藝優(yōu)勢(shì):離子注入技術(shù)是單面工藝，摻雜離子無(wú)需繞鍍，工藝溫度低，成膜速度快劣勢(shì):擴(kuò)硼工藝要比擴(kuò)磷工藝難度大，...

轉(zhuǎn)肩放肩至目標(biāo)直徑后，需要快速使晶體生長(zhǎng)方向從橫向轉(zhuǎn)為縱向，提高拉速，晶體停止橫向生長(zhǎng)，直徑不再增加時(shí)，即完成轉(zhuǎn)肩.等徑生長(zhǎng)為了減少全熔階段摻雜劑的揮發(fā)損失造成較大影響，轉(zhuǎn)肩至目標(biāo)直徑后，再啟動(dòng)投放摻雜劑的裝置，停滯2~3秒，然后可以提高提拉速度，并保持幾乎不變的速度進(jìn)行等徑生長(zhǎng).收尾生長(zhǎng)結(jié)束如果直接脫離液面會(huì)在界面產(chǎn)生大量位錯(cuò)，導(dǎo)致尾部的晶棒不可用。在等徑結(jié)束后，要逐漸縮減晶棒直徑至小，然后脫離液面，完成單晶硅的生長(zhǎng)過(guò)程。停爐晶棒升入副室冷卻。加熱停止、坩堝升至比較高位冷卻。2~3小時(shí)后，拆爐取棒、清潔爐體直拉單晶爐是拉晶環(huán)節(jié)設(shè)備，伴隨硅片不斷向大尺寸方向演化根據(jù)直徑劃分，≤，≤...

電池片工藝流程:制絨(INTEX)→擴(kuò)散(DIFF)→后清洗(刻邊/去PSG)→鍍減反射膜(PECVD)→絲網(wǎng)、燒結(jié)(PRINTER)→測(cè)試、分選(TESTER+SORTER)→包裝(PACKING)。一、制絨制絨的目的是在硅片表面形成絨面面，以減少電池片的反射率，絨面凹凸不平可以增加二次反射，改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶，可以得到金字塔狀絨面；用酸處理多晶，可以得到蟲(chóng)孔狀無(wú)規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質(zhì)的區(qū)別。工藝流程：制絨槽→水洗→堿洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情況下，硅與HF、HNO3（硅表面會(huì)被鈍化）認(rèn)為是不反應(yīng)的。當(dāng)存在于兩種混合酸的體系中，硅...

總體來(lái)看。中國(guó)太陽(yáng)能電池的國(guó)際市場(chǎng)份額和技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力大幅提高。在產(chǎn)業(yè)布局上，中國(guó)太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了一定的集聚態(tài)勢(shì)。在長(zhǎng)三角、環(huán)渤海、珠三角、中西部地區(qū)，已經(jīng)形成了各具特色的太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)集群。太陽(yáng)能光伏發(fā)電在不遠(yuǎn)的將來(lái)會(huì)占據(jù)世界能源消費(fèi)的重要席位，不但要替代部分常規(guī)能源，而且將成為世界能源供應(yīng)的主體。預(yù)計(jì)到2030年，可再生能源在總能源結(jié)構(gòu)中將占到30％以上，而太陽(yáng)能光伏發(fā)電在世界總電力供應(yīng)中的占比也將達(dá)到10％以上；到2040年，可再生能源將占總能耗的50％以上，太陽(yáng)能光伏發(fā)電將占總電力的20％以上；到21世紀(jì)末，可再生能源在能源結(jié)構(gòu)中將占到80％以上，太陽(yáng)能發(fā)電將占到60％以上...

可以達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來(lái)實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。4PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積。太陽(yáng)光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右。減反射膜可以提高電池片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，有助于提高光生電流，進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率：另一方面，薄膜中的氫對(duì)電池表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小暗電流，提升開(kāi)路電壓，提高光電轉(zhuǎn)換效率。H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng),從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過(guò)對(duì)石墨舟的導(dǎo)電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。5絲網(wǎng)印刷通俗的說(shuō)就是為太陽(yáng)能電池收集電流并制造電極，道背面銀電極，第二道背面鋁背場(chǎng)的印刷和烘干；第三道正面銀電極的印刷，...

轉(zhuǎn)肩放肩至目標(biāo)直徑后，需要快速使晶體生長(zhǎng)方向從橫向轉(zhuǎn)為縱向，提高拉速，晶體停止橫向生長(zhǎng)，直徑不再增加時(shí)，即完成轉(zhuǎn)肩.等徑生長(zhǎng)為了減少全熔階段摻雜劑的揮發(fā)損失造成較大影響，轉(zhuǎn)肩至目標(biāo)直徑后，再啟動(dòng)投放摻雜劑的裝置，停滯2~3秒，然后可以提高提拉速度，并保持幾乎不變的速度進(jìn)行等徑生長(zhǎng).收尾生長(zhǎng)結(jié)束如果直接脫離液面會(huì)在界面產(chǎn)生大量位錯(cuò)，導(dǎo)致尾部的晶棒不可用。在等徑結(jié)束后，要逐漸縮減晶棒直徑至小，然后脫離液面，完成單晶硅的生長(zhǎng)過(guò)程。停爐晶棒升入副室冷卻。加熱停止、坩堝升至比較高位冷卻。2~3小時(shí)后，拆爐取棒、清潔爐體直拉單晶爐是拉晶環(huán)節(jié)設(shè)備，伴隨硅片不斷向大尺寸方向演化根據(jù)直徑劃分，≤，≤...

將打破目前太陽(yáng)能板只能“躺”著接收太陽(yáng)光的局限。據(jù)悉，染料敏化電池雖然把光能轉(zhuǎn)換為電能的效率不及傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池，但因其在日照不佳的情況下也能正常運(yùn)作，因此采光時(shí)間更長(zhǎng)，制造的電能也更多，比較適合地處熱帶且云層密布的國(guó)家和地區(qū)。中國(guó)太陽(yáng)能電池行業(yè)的發(fā)展編輯中國(guó)對(duì)太陽(yáng)能電池的研究起步于1958年，20世紀(jì)80年代末期，國(guó)內(nèi)先后引進(jìn)了多條太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線，使中國(guó)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)能力由原來(lái)的3個(gè)小廠的幾百kW一下子提升到4個(gè)廠的，這種產(chǎn)能一直持續(xù)到2002年，產(chǎn)量則只有2MW左右。2002年后，歐洲市場(chǎng)特別是德國(guó)市場(chǎng)的急劇放大和無(wú)錫尚德太陽(yáng)能電力有限公司的橫空出世及超常規(guī)發(fā)展給中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)帶...

當(dāng)電子-空穴對(duì)擴(kuò)散達(dá)到PN結(jié)界限時(shí)，會(huì)在內(nèi)建電場(chǎng)的作用下被拆分，空穴、電子受力從而被推向P區(qū)和N區(qū)，如果此時(shí)電路正處于開(kāi)路的狀態(tài)，那么這些光生電子和空穴就會(huì)分別集聚在P區(qū)和N區(qū)周?chē)?，P區(qū)便會(huì)得到附加正電荷，同理N區(qū)便會(huì)得到附加負(fù)電荷，P區(qū)與N區(qū)累積的正負(fù)電荷就會(huì)在PN結(jié)上產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)，若此時(shí)接通太陽(yáng)能電池片的正負(fù)極就會(huì)形成電流。此時(shí)PN結(jié)的內(nèi)部就會(huì)形成了由N區(qū)指向P區(qū)的光生電流產(chǎn)生。一、P型半導(dǎo)體的形成如圖，正電荷表示硅原子，負(fù)電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個(gè)電子,當(dāng)硅晶體中摻入硼時(shí)（如下圖），負(fù)電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個(gè)電子。而黃色的表示摻入的硼原子，因?yàn)榕鹪又車(chē)挥腥齻€(gè)電...

可以達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來(lái)實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。4PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積。太陽(yáng)光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右。減反射膜可以提高電池片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，有助于提高光生電流，進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率：另一方面，薄膜中的氫對(duì)電池表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小暗電流，提升開(kāi)路電壓，提高光電轉(zhuǎn)換效率。H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng),從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過(guò)對(duì)石墨舟的導(dǎo)電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。5絲網(wǎng)印刷通俗的說(shuō)就是為太陽(yáng)能電池收集電流并制造電極，道背面銀電極，第二道背面鋁背場(chǎng)的印刷和烘干；第三道正面銀電極的印刷，...

由于需要形成合金需要到一定的溫度，Ag、Al與Si形成合金的穩(wěn)定又不同，就需要設(shè)定不同的溫度來(lái)分別實(shí)現(xiàn)合金化。電池片的種類1、太陽(yáng)能在太陽(yáng)能電池產(chǎn)品中，以硅半導(dǎo)體材料為主，其中又以單晶硅和多晶硅為。由于其原材料的性，較高的轉(zhuǎn)換效率和可靠性，被市場(chǎng)接受。非晶硅在民用產(chǎn)品上也有的應(yīng)用（如電子手表，計(jì)算器等），但是它的穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率劣于結(jié)晶類半導(dǎo)體材料?；衔锾?yáng)能電池由于其材料的稀有性和部分材料具有公害，現(xiàn)階段未被市場(chǎng)采用。太陽(yáng)能電池的主流產(chǎn)品的材料是半導(dǎo)體硅，是現(xiàn)代電子工業(yè)的必不可少的材料，同時(shí)以氧化狀態(tài)的硅原料是世界上第二大的儲(chǔ)藏物質(zhì)。五金五金電池片主要是導(dǎo)電作用。還稱：電池片、...

電池片的生產(chǎn)流程一次清洗制絨工序1清洗拋光片配方1清洗步驟置樣品入舟——浸入I號(hào)液——漂洗——浸入II號(hào)液——漂洗2溶液配方I號(hào)液NH4OH:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)II號(hào)液HCL:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)3實(shí)驗(yàn)過(guò)程主要是利用兩種溶液進(jìn)行去金屬離子；2白斑問(wèn)題1不出絨面（主要因素）；采取的方法是：①增加時(shí)間；②提高溫度；③加大NaOH濃度；2絨面較好，只是表面有白斑可能是溶液不均勻，或者Na2SiO3太多，需排液；3硅片因?yàn)楸旧淼那懈罨蚱渌虺霈F(xiàn)的表面有規(guī)則的白斑，那是無(wú)法去掉；解決辦法：①粗拋控制；②整體發(fā)白或發(fā)灰，歸結(jié)為Na...

提升電池轉(zhuǎn)換效率理論轉(zhuǎn)換效率居各種類電池，極限效率高達(dá)，高于HJT的，且接近晶體硅太陽(yáng)能電池理論極限效率，頭部電池廠商量產(chǎn)平均效率突破24%，包括中來(lái)、隆基在內(nèi)的許多頭部公司已經(jīng)將實(shí)驗(yàn)室效率做到了25%以上發(fā)展歷程，TOPCon技術(shù)出現(xiàn)并得到應(yīng)用TOPCon技術(shù)概念早由德國(guó)Frauhofer研究所于2013年提出，并于2015年研發(fā)出效率達(dá)到，同年德國(guó)Frauhofer研究所的ArminRichter團(tuán)隊(duì)在P型FZ(區(qū)熔)硅片上應(yīng)用了TOPCon技術(shù)并達(dá)到，國(guó)內(nèi)廠商積極布局TOPCon技術(shù)2018年晶科能源在大面積商用硅片襯底上制備的N型TOPCon電池高效率達(dá)到了，轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)...

揭曉光伏電池片良率不足，成本居高不下問(wèn)題。HJT異質(zhì)結(jié)電池顛覆了傳統(tǒng)的電池結(jié)構(gòu)，具有轉(zhuǎn)換效率高、制造工藝簡(jiǎn)單、薄硅片應(yīng)用、溫度系數(shù)低、無(wú)光致衰減和電位衰減、可雙面發(fā)電等優(yōu)勢(shì)，而異質(zhì)結(jié)組件在轉(zhuǎn)換效率存在的優(yōu)勢(shì)，顯著超過(guò)了PERC。PERC比異質(zhì)結(jié)輸出效率低10%，意味著同樣功率指標(biāo)的電池組件，在整個(gè)發(fā)電周期，異質(zhì)結(jié)將比PERC多發(fā)10%的電。異質(zhì)結(jié)電池(HJT電池)的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)1、無(wú)PID現(xiàn)象：由于電池上表面為T(mén)CO，電荷不會(huì)在電池表面的TCO上產(chǎn)生極化現(xiàn)象，無(wú)PID現(xiàn)象。同時(shí)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)也證實(shí)了這一點(diǎn)。異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的技術(shù)應(yīng)用與前景2、低溫制造工藝：HJT電池所有制程的加工溫度均低于...

未來(lái)的電池技術(shù)，現(xiàn)在看到我們剛才講的是P型PERC，未來(lái)的我們大家都在探討，有TOPN型的還有異質(zhì)結(jié)，還有鈣鈦礦技術(shù)。從我個(gè)人或者公司內(nèi)部認(rèn)為鈣鈦礦單獨(dú)的大量利用可能還需要時(shí)間，終還是要鈣鈦礦和硅電池結(jié)合起來(lái)，這樣可能是為了光伏電池技術(shù)的發(fā)展。如果是把鈣鈦礦和硅做成疊層的結(jié)構(gòu)電池能夠量產(chǎn)，未來(lái)我相信電池的轉(zhuǎn)換效率超過(guò)30%甚至35%都是完全有可能。組件的封裝技術(shù)方面，各方面從提高光學(xué)利用率包括減少電耗損失以及增加電池密度各方面的技術(shù)，由于時(shí)間關(guān)系就跳過(guò)去了。事實(shí)上，從30年前開(kāi)始，未來(lái)雙面電池將逐漸普及，因?yàn)樗梢栽诓煌膱?chǎng)景中增加發(fā)電能力，降低度電成本，未來(lái)雙面組件將逐漸成為主流...

遠(yuǎn)少于PERC電池10個(gè)環(huán)節(jié)和TOPCon的12-13個(gè)環(huán)節(jié)，一方面有利于薄片化。未來(lái)可實(shí)現(xiàn)100μm厚度)和降低熱損傷進(jìn)而降低硅片成本，另一方面因能源節(jié)約等因素非硅成本也表現(xiàn)更優(yōu)成本分析HJT電池生產(chǎn)成本相較于PERC電池每瓦高、靶材、硅片都是HJT電池未來(lái)主要的降本路徑隨著國(guó)產(chǎn)設(shè)備替代+規(guī)模化生產(chǎn)，未來(lái)HJT設(shè)備投資成本有望進(jìn)一步降低2019年之前，HJT設(shè)備主要由外資品牌提供，設(shè)備成本約為10-20億元/GW2019年之后，HJT設(shè)備投資端逐漸進(jìn)行國(guó)產(chǎn)廠商替代，邁為股份、鈞石能源、捷佳偉創(chuàng)等推進(jìn)國(guó)產(chǎn)設(shè)備研發(fā)，HJT設(shè)備投資成本降至5-10億元/GW根據(jù)CPIA，2021年HJ...

電池片電池片一般分為單晶硅、多晶硅、和非晶硅單晶硅太陽(yáng)能電池是當(dāng)前開(kāi)發(fā)得快的一種太陽(yáng)能電池，它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已用于空間和地面。這種太陽(yáng)能電池以高純的單晶硅棒為原料。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽(yáng)能電池等采用太陽(yáng)能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過(guò)復(fù)拉制成太陽(yáng)能電池的單晶硅棒。將單晶硅棒切成片，一般片厚約。硅片經(jīng)過(guò)拋磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太陽(yáng)能電池片，首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行。這樣就硅片上形成P>N結(jié)。然后采用絲網(wǎng)印刷...

轉(zhuǎn)肩放肩至目標(biāo)直徑后，需要快速使晶體生長(zhǎng)方向從橫向轉(zhuǎn)為縱向，提高拉速，晶體停止橫向生長(zhǎng)，直徑不再增加時(shí)，即完成轉(zhuǎn)肩.等徑生長(zhǎng)為了減少全熔階段摻雜劑的揮發(fā)損失造成較大影響，轉(zhuǎn)肩至目標(biāo)直徑后，再啟動(dòng)投放摻雜劑的裝置，停滯2~3秒，然后可以提高提拉速度，并保持幾乎不變的速度進(jìn)行等徑生長(zhǎng).收尾生長(zhǎng)結(jié)束如果直接脫離液面會(huì)在界面產(chǎn)生大量位錯(cuò)，導(dǎo)致尾部的晶棒不可用。在等徑結(jié)束后，要逐漸縮減晶棒直徑至小，然后脫離液面，完成單晶硅的生長(zhǎng)過(guò)程。停爐晶棒升入副室冷卻。加熱停止、坩堝升至比較高位冷卻。2~3小時(shí)后，拆爐取棒、清潔爐體直拉單晶爐是拉晶環(huán)節(jié)設(shè)備，伴隨硅片不斷向大尺寸方向演化根據(jù)直徑劃分，≤，≤...