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福建電池片磨

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-05-26

    從非硅成本上來(lái)看??梢酝ㄟ^(guò)使用多主柵技術(shù)或使用銀鋁漿替代銀漿來(lái)降低成本TOPCon電池的非硅成本已經(jīng)有能力低于,對(duì)比PERC電池仍然有,主要原因系銀漿單耗高TOPCon的雙面率高,正反面都需要使用銀漿,M6型TOPCon電池使用的銀漿約130mg,較M6型PERC電池高出約60mg,預(yù)計(jì)未來(lái)可以通過(guò)多主柵或背面使用銀鋁漿來(lái)降低非硅成本產(chǎn)品良率TOPCon電池的良率整體低于PERCTOPCon電池的整體良率在93%-95%左右,而PERC電池的整體良率在97%-98%之間良率劣勢(shì)原因1.隧穿氧化層和多晶硅層的制備工藝路線不統(tǒng)一,且加工步驟較多,TOPCon生產(chǎn)流程共12~13步,PERC為10步左右,HJT為6步左右、臟污的情況仍有待改善產(chǎn)能梳理1.隆基綠能,N/P型TOPCon實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率達(dá)到,實(shí)驗(yàn)室單晶雙面TOPCon電池效率達(dá)到,預(yù)計(jì)三季度投產(chǎn)2.晶科能源,N型TOPCon實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率達(dá)到,量產(chǎn)效率達(dá)到,合肥、海寧合計(jì)16GW的N型電池項(xiàng)目已投產(chǎn)3.中來(lái)股份,N型TOPCon電池實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率達(dá)到,量產(chǎn)效率達(dá)到24%以上,山西16GW產(chǎn)線,其中一期8GW正處于設(shè)備安裝階段,預(yù)計(jì)2022年實(shí)現(xiàn)6GW產(chǎn)能4.天合光能,N型i-TOPCon實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率達(dá)到,量產(chǎn)效率可達(dá),宿遷8GW項(xiàng)目預(yù)計(jì)2022年下半年投產(chǎn)5.晶澳科技,量產(chǎn)效率可達(dá)。

     與傳統(tǒng)硅晶太陽(yáng)能電池相比,這種新型太陽(yáng)能電池可以吸收直射陽(yáng)光以及漫射光源(如室內(nèi)燈光等)。福建電池片磨

    太陽(yáng)能光伏發(fā)電一般指能利用半導(dǎo)體直接將光能轉(zhuǎn)換為電能的一種能源形式。晶硅類太陽(yáng)能電池是普遍的一種形式,太陽(yáng)能電池起源于1839年,法國(guó)貝克勒爾是個(gè)發(fā)現(xiàn)了液態(tài)電解質(zhì)的光生伏特現(xiàn)象的科學(xué)家。其一般構(gòu)造如圖所示,在基體硅中滲入棚原子以后,便會(huì)產(chǎn)生空穴。同理,在基體硅中摻入磷原子以后,由于磷原子相比于硅原子,其外層是具有五個(gè)電子的特殊結(jié)構(gòu),相比于硅原子的四電子結(jié)構(gòu)就會(huì)有多出來(lái)的一個(gè)電子變得非?;钴S,叫做N型半導(dǎo)體。晶體硅太陽(yáng)能電池片主要是用硅半導(dǎo)體材料作為基體制成較大面積的平面PN結(jié),即在規(guī)格大約為15cm×15cm的P型硅片上經(jīng)擴(kuò)散爐擴(kuò)散磷原子,擴(kuò)散出一層很薄的經(jīng)過(guò)重?fù)诫s的N型層。然后經(jīng)刻蝕到達(dá)PECVD在整個(gè)N型層表面上鍍上一層減反射膜用來(lái)減少太陽(yáng)光的反射損失,達(dá)到絲網(wǎng)在擴(kuò)散面印刷上金屬柵線作為太陽(yáng)能電池片的正面接觸電極。在刻蝕面印刷金屬膜,作為太陽(yáng)能電池片的背面歐姆接觸電極,并燒結(jié)封裝。當(dāng)有具定能量的光子照射到太陽(yáng)能電池片上時(shí),會(huì)生成許多新的電子-空穴對(duì)。因?yàn)殡姵夭牧系牟粩辔諏?dǎo)致入射光強(qiáng)不斷減小,因此沿著入射方向,電池片內(nèi)部電子-空穴對(duì)的密度逐漸減小,在濃度差的作用下電子-空穴對(duì)向著電池片內(nèi)部做擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

   福建電池片磨經(jīng)破碎,用1:5的氫氟酸和硝酸混合液進(jìn)行適當(dāng)?shù)母g,然后用去離子水沖洗呈中性,并烘干。

    提升電池轉(zhuǎn)換效率理論轉(zhuǎn)換效率居各種類電池,極限效率高達(dá),高于HJT的,且接近晶體硅太陽(yáng)能電池理論極限效率,頭部電池廠商量產(chǎn)平均效率突破24%,包括中來(lái)、隆基在內(nèi)的許多頭部公司已經(jīng)將實(shí)驗(yàn)室效率做到了25%以上發(fā)展歷程,TOPCon技術(shù)出現(xiàn)并得到應(yīng)用TOPCon技術(shù)概念早由德國(guó)Frauhofer研究所于2013年提出,并于2015年研發(fā)出效率達(dá)到,同年德國(guó)Frauhofer研究所的ArminRichter團(tuán)隊(duì)在P型FZ(區(qū)熔)硅片上應(yīng)用了TOPCon技術(shù)并達(dá)到,國(guó)內(nèi)廠商積極布局TOPCon技術(shù)2018年晶科能源在大面積商用硅片襯底上制備的N型TOPCon電池高效率達(dá)到了,轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)到了,TOPCon有望規(guī)?;瘧?yīng)用國(guó)內(nèi)廠商加大對(duì)TOPCon技術(shù)的布局并步入行業(yè)前列2021年隆基綠能在單晶硅片商業(yè)化尺寸TOPCon電池效率上突破25%,N型TOPCon轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了,TOPCon電池或?qū)㈤_始啟動(dòng)規(guī)模化應(yīng)用三種工業(yè)化路線1.本征+擴(kuò)磷:LPCVD制備多晶硅薄膜結(jié)合傳統(tǒng)的全擴(kuò)散工藝優(yōu)勢(shì):工藝目前相對(duì)成熟且耗時(shí)短,生產(chǎn)效率高,厚度均勻性好,致密度高,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn),為目前TOPCon廠商選取的主流路線劣勢(shì):過(guò)度的繞鍍,石英件沉積問(wèn)題,成膜速度慢目前晶科能源和天合光能都有布局,目前TOPCon電池工藝還是以該方法主流,成熟度比較高。

    

    形狀不規(guī)則的片料或大塊硅料在指定區(qū)域砸碎,對(duì)片料進(jìn)行破碎,使用砸料箱,注意此過(guò)程必須戴PVC手套、護(hù)目鏡,防止危害人體。挑選“硅料表面比較光滑的面”。大小塊料要盡量均勻,碎料盡量用來(lái)填縫隙。在裝料過(guò)程中,一定不能碰到坩堝內(nèi)壁,發(fā)現(xiàn)破壞要取出硅料,重新噴涂,直至符合要求再用。一半的硅料裝完后,領(lǐng)取摻雜劑,用電子天平稱重后均勻的放置到硅料的表面。摻雜劑假如完成后,繼續(xù)加入硅料,直至達(dá)到規(guī)定數(shù)量為止。加熱在真空狀態(tài)下開始加熱、按照一定的工藝程序,對(duì)硅料、熱場(chǎng)、坩堝等進(jìn)行排濕、排雜。熔化熔化與加熱的延伸、也可以理解為加熱,但在工藝程序上的設(shè)計(jì)上有較大的差別,熔化是將固體硅轉(zhuǎn)化成液體硅,溫度比較高可達(dá)1560度。操作者在中心觀測(cè)孔觀測(cè)是否融化完成,連續(xù)觀測(cè)3-5分鐘,若沒(méi)有硅料固體出現(xiàn),程序方可繼續(xù)向后運(yùn)行。長(zhǎng)晶熔進(jìn)入長(zhǎng)晶階段,打開隔熱籠以冷卻DS-BLOCK,坩堝內(nèi)硅液順著溫度梯度,從底部向頂部定向凝固。操作者在中心觀察孔觀察是否透頂手動(dòng)選擇合適的步驟。退火因在長(zhǎng)晶階段硅錠存在溫度梯度,內(nèi)部存在應(yīng)力。若直接冷卻出爐,硅錠存在隱裂,在開方和線切階段,外力作用會(huì)使硅片破裂。

   單晶硅太陽(yáng)能電池的單體片就制成了。

    常用的超聲波頻率為20kHz到40kHz左右),液體介質(zhì)內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生疏部和密部,疏部產(chǎn)生近乎真空的空腔泡,當(dāng)空腔泡消失的瞬間,其附近便產(chǎn)生強(qiáng)大的局部壓力,使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂,因此使硅片表面的雜質(zhì)解吸。當(dāng)超聲波的頻率和空腔泡的振動(dòng)頻率共振時(shí),機(jī)械作用力達(dá)到比較大,泡內(nèi)積聚的大量熱能,使溫度升高,促進(jìn)了化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生。超聲波清洗的效果與超聲條件(如溫度、壓力、超聲頻率、功率等)有關(guān),而且提高超聲波功率往往有利于清洗效果的提高,但對(duì)于小于1μm的顆粒的去除效果并不太好。該法多用于硅片表面附著的大塊污染和顆粒。17硅片清洗中的兆聲波技術(shù)兆聲波清洗不但保存了超聲波清洗的優(yōu)點(diǎn),而且克服了它的不足。兆聲波清洗的機(jī)理是由高能(850kHz)頻振效應(yīng)并結(jié)合化學(xué)清洗劑的化學(xué)反應(yīng)對(duì)硅片進(jìn)行清洗的。在清洗時(shí),由換能器發(fā)出波長(zhǎng)為1μm頻率為。溶液分子在這種聲波的推動(dòng)下作加速運(yùn)動(dòng),比較大瞬時(shí)速度可達(dá)到30cm/s。因此,形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細(xì)小微粒被強(qiáng)制除去并進(jìn)入到清洗液中。兆聲波清洗拋光片可去掉晶片表面上小于μm的粒子。 其工藝過(guò)程是選擇電阻率為100~300歐姆·厘米的多晶塊料或單晶硅頭尾料。福建電池片磨

這只要我們?cè)谥平q后及時(shí)進(jìn)行酸洗,也可提高HF的濃度.福建電池片磨

    當(dāng)前晶硅電池研發(fā)效率的比較高水平從HBC量產(chǎn)效率來(lái)看,根據(jù)普樂(lè)科技。HBC電池量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率達(dá)25%~,2017年,Kaneka將HBC電池世界紀(jì)錄刷新到,這也是迄今為止晶硅太陽(yáng)能電池研發(fā)效率的比較高水平IBC與非晶硅鈍化技術(shù)的結(jié)合是未來(lái)IBC電池效率提升的方向之一,極具性價(jià)比的IBC衍生工藝路線將TOPCon鈍化接觸技術(shù)與IBC相結(jié)合,即是TBC電池,又名POLO-IBC電池從TBC量產(chǎn)效率來(lái)看,根據(jù)普樂(lè)科技,TBC電池量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率達(dá),F(xiàn)raunhofer創(chuàng)下實(shí)驗(yàn)室比較高轉(zhuǎn)換效率記錄、降造成本,是實(shí)現(xiàn)IBC電池產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵因素根據(jù)普樂(lè)科技測(cè)算,目前經(jīng)典IBC的設(shè)備投資額約為3億元/GW左右1.產(chǎn)線投資上由于IBC、TBC、HBC電池工藝路線分別兼容部分PERC、TOPCon、HJT的設(shè)備,通過(guò)開發(fā)配套工藝和設(shè)備升級(jí)改造,以小代價(jià)實(shí)現(xiàn)與目前規(guī)?;纳a(chǎn)線兼容的IBC工藝路線,能夠帶動(dòng)XBC電池的工藝成熟,帶動(dòng)設(shè)備投資端的下降2.工藝設(shè)備上可采用半導(dǎo)體常用的精度更高、均勻性更好的離子注入設(shè)備代替光伏中均勻性較差的高溫磷擴(kuò)散設(shè)備制備前場(chǎng)區(qū)和背場(chǎng)區(qū),疊加絲網(wǎng)印刷、PECVD沉積掩膜、激光開膜等產(chǎn)業(yè)化工藝取代復(fù)雜且昂貴的光刻掩膜、電鍍等高成本技術(shù),適用于量產(chǎn)化IBC電池3.材料選擇上選用更低成本的TCO膜和靶材。 福建電池片磨