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濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反應(yīng)氧化生成SiO2，HF去除SiO2?？涛g堿槽的作用是為了拋光未制絨面，使電池片變得光滑；堿槽的主要溶液為KOH；H2SO4是為了讓硅片在流水線上漂浮流動起來，并不參與反應(yīng)。干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時，一方面等離子體中的氣體化學(xué)活性會變得相對較強(qiáng)，選擇合適的氣體，就可以讓硅片更快速的進(jìn)行反應(yīng)，實現(xiàn)刻蝕；另一方面，可利用電場對等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使等離子體具有一定能量，當(dāng)轟擊硅片的表面時，硅片材料的原子擊出，可以達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)...

電池片制作的七步工藝流程：電池片工藝流程共分為7步:第一步：制絨(INTEX)第二步：擴(kuò)散(DIFF)第三步：后清洗(刻邊/去PSG)第四步：鍍減反射膜(PECVD)第五步：絲網(wǎng)、燒結(jié)(PRINTER)第六步：測試、分選(TESTER+SORTER)第七步：包裝(PACKING)。1制絨制絨的目的是在硅片表面形成絨面面，以減少電池片的反射率，絨面凹凸不平可以增加二次反射，改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶，可以得到金字塔狀絨面；用酸處理多晶，可以得到蟲孔狀無規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質(zhì)的區(qū)別。工藝流程：制絨槽→水洗→堿洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情況下，硅與...

當(dāng)前晶硅電池研發(fā)效率的比較高水平從HBC量產(chǎn)效率來看，根據(jù)普樂科技。HBC電池量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率達(dá)25%~，2017年，Kaneka將HBC電池世界紀(jì)錄刷新到，這也是迄今為止晶硅太陽能電池研發(fā)效率的比較高水平IBC與非晶硅鈍化技術(shù)的結(jié)合是未來IBC電池效率提升的方向之一，極具性價比的IBC衍生工藝路線將TOPCon鈍化接觸技術(shù)與IBC相結(jié)合，即是TBC電池，又名POLO-IBC電池從TBC量產(chǎn)效率來看，根據(jù)普樂科技，TBC電池量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率達(dá)，F(xiàn)raunhofer創(chuàng)下實驗室比較高轉(zhuǎn)換效率記錄、降造成本，是實現(xiàn)IBC電池產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵因素根據(jù)普樂科技測算，目前經(jīng)典IBC的設(shè)備投資額約為3億元/...

P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅和磷原子。生成的P2O5淀積在硅片表面與硅繼續(xù)反應(yīng)生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中擴(kuò)散,制得N型半導(dǎo)體?？涛g在擴(kuò)散工序，采用背靠背的單面擴(kuò)散方式，硅片的側(cè)邊和背面邊緣不可避免地都會擴(kuò)散上磷原子。當(dāng)陽光照射，P-N結(jié)的正面收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到P-N結(jié)的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并聯(lián)電阻?？涛g工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈，避免了P-N結(jié)短路并且造成并聯(lián)電阻降低。濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→...

遠(yuǎn)少于PERC電池10個環(huán)節(jié)和TOPCon的12-13個環(huán)節(jié)，一方面有利于薄片化。未來可實現(xiàn)100μm厚度)和降低熱損傷進(jìn)而降低硅片成本，另一方面因能源節(jié)約等因素非硅成本也表現(xiàn)更優(yōu)成本分析HJT電池生產(chǎn)成本相較于PERC電池每瓦高、靶材、硅片都是HJT電池未來主要的降本路徑隨著國產(chǎn)設(shè)備替代+規(guī)模化生產(chǎn)，未來HJT設(shè)備投資成本有望進(jìn)一步降低2019年之前，HJT設(shè)備主要由外資品牌提供，設(shè)備成本約為10-20億元/GW2019年之后，HJT設(shè)備投資端逐漸進(jìn)行國產(chǎn)廠商替代，邁為股份、鈞石能源、捷佳偉創(chuàng)等推進(jìn)國產(chǎn)設(shè)備研發(fā)，HJT設(shè)備投資成本降至5-10億元/GW根據(jù)CPIA，2021年HJ...

大理5GW項目于今年5月簽署合作協(xié)議.華潤電力，規(guī)劃產(chǎn)能12GW。舟山規(guī)劃12GW項目.海泰新能，規(guī)劃產(chǎn)能5GW，江蘇鹽城5GW異質(zhì)結(jié)電池+5GW組件.鈞石能源，規(guī)劃產(chǎn)能10GW，舟山10GW異質(zhì)結(jié)電池項目.潤陽集團(tuán)，規(guī)劃產(chǎn)能10GW，現(xiàn)有產(chǎn)能5GW，江蘇驗證與捷佳偉創(chuàng)簽署5GW異質(zhì)結(jié)電池，2022年下半年募投項目為5GW異質(zhì)結(jié)8.山煤國際，規(guī)劃產(chǎn)能10GW，10GW搞笑異質(zhì)結(jié)太陽能電池產(chǎn)業(yè)化一起3GW項目.比太科技，規(guī)劃產(chǎn)能9GW，現(xiàn)有產(chǎn)能1GW，山西蒙城1GW電池項目2020年10與投產(chǎn)，安徽擴(kuò)產(chǎn)5GW，寶雞市3GW，一期2GW2022年達(dá)產(chǎn)，二期1GW2024年投產(chǎn)10.隆基...

P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅和磷原子。生成的P2O5淀積在硅片表面與硅繼續(xù)反應(yīng)生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中擴(kuò)散,制得N型半導(dǎo)體?？涛g在擴(kuò)散工序，采用背靠背的單面擴(kuò)散方式，硅片的側(cè)邊和背面邊緣不可避免地都會擴(kuò)散上磷原子。當(dāng)陽光照射，P-N結(jié)的正面收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到P-N結(jié)的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并聯(lián)電阻?？涛g工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈，避免了P-N結(jié)短路并且造成并聯(lián)電阻降低。濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→...

形狀不規(guī)則的片料或大塊硅料在指定區(qū)域砸碎，對片料進(jìn)行破碎，使用砸料箱，注意此過程必須戴PVC手套、護(hù)目鏡，防止危害人體。挑選“硅料表面比較光滑的面”。大小塊料要盡量均勻，碎料盡量用來填縫隙。在裝料過程中，一定不能碰到坩堝內(nèi)壁，發(fā)現(xiàn)破壞要取出硅料，重新噴涂，直至符合要求再用。一半的硅料裝完后，領(lǐng)取摻雜劑，用電子天平稱重后均勻的放置到硅料的表面。摻雜劑假如完成后，繼續(xù)加入硅料，直至達(dá)到規(guī)定數(shù)量為止。加熱在真空狀態(tài)下開始加熱、按照一定的工藝程序，對硅料、熱場、坩堝等進(jìn)行排濕、排雜。熔化熔化與加熱的延伸、也可以理解為加熱，但在工藝程序上的設(shè)計上有較大的差別，熔化是將固體硅轉(zhuǎn)化成液體硅，溫度...

N型新世代電池的產(chǎn)線信息披露較少，明面上解釋為企業(yè)的競爭性行為，但過度保守本身也意味著企業(yè)可能對自己跑出來的中試線數(shù)據(jù)并不滿意，這點(diǎn)在調(diào)研中得到印證，現(xiàn)在N型新電池的各條路線中，并沒有出現(xiàn)具有確定性優(yōu)勢的選擇。曾經(jīng)的光伏行業(yè)信奉舊不如新、后發(fā)優(yōu)勢，現(xiàn)在這個信條已經(jīng)打破，企業(yè)愿意承受虧損提前布局，因為Know-How是光伏技術(shù)的答案，標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)的時代已經(jīng)成為過往，當(dāng)下和設(shè)備廠商共同定制方案的能力成為了企業(yè)的競爭力。實驗室數(shù)據(jù)和產(chǎn)線數(shù)據(jù)始終有差距，異質(zhì)結(jié)的技術(shù)確實在實驗室中取得突破，但轉(zhuǎn)化為產(chǎn)線上的供應(yīng)能力仍需漫長的工業(yè)積淀，這正是各企業(yè)不計回報搶跑的原因。進(jìn)一步提升量產(chǎn)電池片效率主要...

提升電池轉(zhuǎn)換效率理論轉(zhuǎn)換效率居各種類電池，極限效率高達(dá)，高于HJT的，且接近晶體硅太陽能電池理論極限效率，頭部電池廠商量產(chǎn)平均效率突破24%，包括中來、隆基在內(nèi)的許多頭部公司已經(jīng)將實驗室效率做到了25%以上發(fā)展歷程，TOPCon技術(shù)出現(xiàn)并得到應(yīng)用TOPCon技術(shù)概念早由德國Frauhofer研究所于2013年提出，并于2015年研發(fā)出效率達(dá)到，同年德國Frauhofer研究所的ArminRichter團(tuán)隊在P型FZ(區(qū)熔)硅片上應(yīng)用了TOPCon技術(shù)并達(dá)到，國內(nèi)廠商積極布局TOPCon技術(shù)2018年晶科能源在大面積商用硅片襯底上制備的N型TOPCon電池高效率達(dá)到了，轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)...

常用的超聲波頻率為20kHz到40kHz左右),液體介質(zhì)內(nèi)部會產(chǎn)生疏部和密部，疏部產(chǎn)生近乎真空的空腔泡，當(dāng)空腔泡消失的瞬間,其附近便產(chǎn)生強(qiáng)大的局部壓力，使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂，因此使硅片表面的雜質(zhì)解吸。當(dāng)超聲波的頻率和空腔泡的振動頻率共振時，機(jī)械作用力達(dá)到比較大，泡內(nèi)積聚的大量熱能，使溫度升高，促進(jìn)了化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生。超聲波清洗的效果與超聲條件（如溫度、壓力、超聲頻率、功率等）有關(guān)，而且提高超聲波功率往往有利于清洗效果的提高，但對于小于1μm的顆粒的去除效果并不太好。該法多用于硅片表面附著的大塊污染和顆粒。17硅片清洗中的兆聲波技術(shù)兆聲波清洗不但保存了超聲波清洗的優(yōu)點(diǎn)，而且克服了它的不...

三洋開啟HJT技術(shù)壟斷期1997年開始三洋開始向市場提供HJT系統(tǒng)。其電池片和組件效率分別達(dá)到。此后HJT技術(shù)一直被三洋壟斷，期間各國也在積極開展對HJT技術(shù)的研究，多廠商步入HJT工業(yè)化進(jìn)程2010年松下(收購三洋)的HJT到期后，國內(nèi)外諸多廠商紛紛開啟了HJT的工業(yè)化進(jìn)程，期間松下于2011年達(dá)到，于2014年轉(zhuǎn)換效率比較高已達(dá)，KANEKA于2015年突破記錄達(dá)到，國內(nèi)廠商加快HJT產(chǎn)業(yè)化步伐2017年晉能科技成為了國內(nèi)早試生產(chǎn)HJT電池的廠商，此后越來越多的企業(yè)開始進(jìn)入中試生產(chǎn)階段，到201年已有多家國內(nèi)廠商宣布GW級HJT產(chǎn)能規(guī)劃。2021年隆基綠能的研究團(tuán)隊更新HJT電...

PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積。太陽光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右。減反射膜可以提高電池片對太陽光的吸收，有助于提高光生電流，進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率：另一方面，薄膜中的氫對電池表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小暗電流，提升開路電壓，提高光電轉(zhuǎn)換效率。H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng),從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價帶或者導(dǎo)帶。在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過對石墨舟的導(dǎo)電，使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。絲網(wǎng)印刷通俗的說就是為太陽能電池收集電流并制造電極，道背面銀電極，第二道背面鋁背場的印刷和烘干；第三道正面銀電極的印刷，主要監(jiān)控印刷后的濕重和次柵線的寬度。第二道道濕重如...

1一次清洗與二次清洗的酸液不干凈，檢查酸液使用的次數(shù)有沒揮發(fā)等2擴(kuò)散與鍍膜前硅片表面帶有較臟的水印3在制絨后硅片表面的硅酸鈉沒能得到很好的去除就會留下不規(guī)則的膠體印，到成品后是水紋；這只要我們在制絨后及時進(jìn)行酸洗，也可提高HF的濃度.如果制絨液的配比沒有問題，那么花斑白斑和制絨前的硅片表面質(zhì)量就顯得尤其重要了。原始的解決方法是用強(qiáng)堿來粗剝一下，但隨著原材料變薄也可用低一些的濃度與IPA的混合溶液來處理，一般5~6分鐘即可；6溶液均勻的方法1超聲，缺點(diǎn)是容易造成碎片，即使沒有在槽中碎，后道工序也會碎；2循環(huán)，使用chemicalpump；3攪拌；4鼓泡；7制絨出現(xiàn)的問題花臉；雨點(diǎn)狀斑...

未來的電池技術(shù)，現(xiàn)在看到我們剛才講的是P型PERC，未來的我們大家都在探討，有TOPN型的還有異質(zhì)結(jié)，還有鈣鈦礦技術(shù)。從我個人或者公司內(nèi)部認(rèn)為鈣鈦礦單獨(dú)的大量利用可能還需要時間，終還是要鈣鈦礦和硅電池結(jié)合起來，這樣可能是為了光伏電池技術(shù)的發(fā)展。如果是把鈣鈦礦和硅做成疊層的結(jié)構(gòu)電池能夠量產(chǎn)，未來我相信電池的轉(zhuǎn)換效率超過30%甚至35%都是完全有可能。組件的封裝技術(shù)方面，各方面從提高光學(xué)利用率包括減少電耗損失以及增加電池密度各方面的技術(shù)，由于時間關(guān)系就跳過去了。事實上，從30年前開始，未來雙面電池將逐漸普及，因為它可以在不同的場景中增加發(fā)電能力，降低度電成本，未來雙面組件將逐漸成為主流...

遠(yuǎn)少于PERC電池10個環(huán)節(jié)和TOPCon的12-13個環(huán)節(jié)，一方面有利于薄片化。未來可實現(xiàn)100μm厚度)和降低熱損傷進(jìn)而降低硅片成本，另一方面因能源節(jié)約等因素非硅成本也表現(xiàn)更優(yōu)成本分析HJT電池生產(chǎn)成本相較于PERC電池每瓦高、靶材、硅片都是HJT電池未來主要的降本路徑隨著國產(chǎn)設(shè)備替代+規(guī)模化生產(chǎn)，未來HJT設(shè)備投資成本有望進(jìn)一步降低2019年之前，HJT設(shè)備主要由外資品牌提供，設(shè)備成本約為10-20億元/GW2019年之后，HJT設(shè)備投資端逐漸進(jìn)行國產(chǎn)廠商替代，邁為股份、鈞石能源、捷佳偉創(chuàng)等推進(jìn)國產(chǎn)設(shè)備研發(fā)，HJT設(shè)備投資成本降至5-10億元/GW根據(jù)CPIA，2021年HJ...

檢查涂層在噴涂坩堝側(cè)壁的過程中需用擋板遮住坩堝底部，約為側(cè)壁3／4的地方。噴涂和刷涂過程中要均勻使液體凝聚，涂層必須滿足均勻、無氣泡、無脫落、無裂縫等條件方為合格。坩堝焙燒將噴好的坩堝放入烘箱內(nèi)，開始坩堝焙燒,整個過程大概需要30~40小時，先快速升溫至設(shè)定溫度，保持幾小時后，自然冷卻至合適溫度，再開蓋冷卻。值得注意的是，坩堝噴涂車間需要保持一定的溫度，溫度較低環(huán)境需在配比涂層時對純水加熱。原料的雜質(zhì)濃度會影響鑄錠爐的化料時間，鑄錠爐在長晶等階段出現(xiàn)異常，此時鑄錠時間可能較一般工藝時間長2-4個小時，底部氮化硅的量太少會導(dǎo)致無法順利脫模，硅錠底部開裂。而過量的氮化硅會覆蓋住石英砂，...

P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅和磷原子。生成的P2O5淀積在硅片表面與硅繼續(xù)反應(yīng)生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中擴(kuò)散,制得N型半導(dǎo)體。刻蝕在擴(kuò)散工序，采用背靠背的單面擴(kuò)散方式，硅片的側(cè)邊和背面邊緣不可避免地都會擴(kuò)散上磷原子。當(dāng)陽光照射，P-N結(jié)的正面收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到P-N結(jié)的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并聯(lián)電阻?？涛g工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈，避免了P-N結(jié)短路并且造成并聯(lián)電阻降低。濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→...

N型新世代電池的產(chǎn)線信息披露較少，明面上解釋為企業(yè)的競爭性行為，但過度保守本身也意味著企業(yè)可能對自己跑出來的中試線數(shù)據(jù)并不滿意，這點(diǎn)在調(diào)研中得到印證，現(xiàn)在N型新電池的各條路線中，并沒有出現(xiàn)具有確定性優(yōu)勢的選擇。曾經(jīng)的光伏行業(yè)信奉舊不如新、后發(fā)優(yōu)勢，現(xiàn)在這個信條已經(jīng)打破，企業(yè)愿意承受虧損提前布局，因為Know-How是光伏技術(shù)的答案，標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)的時代已經(jīng)成為過往，當(dāng)下和設(shè)備廠商共同定制方案的能力成為了企業(yè)的競爭力。實驗室數(shù)據(jù)和產(chǎn)線數(shù)據(jù)始終有差距，異質(zhì)結(jié)的技術(shù)確實在實驗室中取得突破，但轉(zhuǎn)化為產(chǎn)線上的供應(yīng)能力仍需漫長的工業(yè)積淀，這正是各企業(yè)不計回報搶跑的原因。進(jìn)一步提升量產(chǎn)電池片效率主要...

退火的作用是使硅錠內(nèi)部溫度一致，消除硅錠內(nèi)的應(yīng)力。冷卻冷卻階段隔熱籠慢慢打開，壓力逐漸上升，冷卻階段時間較長，其作用與退火一樣重要，直接影響硅錠的性能。太陽電池多晶硅錠是一種柱狀晶，晶體生長方向垂直向上，是通過定向凝固（也稱可控凝固、約束凝固）過程來實現(xiàn)的，即在結(jié)晶過程中，通過控制溫度場的變化，形成單方向熱流(生長方向與熱流方向相反），并要求液固界面處的溫度梯度大于0，橫向則要求無溫度梯度，從而形成定向生長的柱狀晶。鑄錠車間常見事項1、在熔化和長晶階段會出現(xiàn)熔化、中間長晶和邊部長晶三次報警。在鑄錠循環(huán)過程中，這兩個階段需密切關(guān)注。2、當(dāng)爐內(nèi)壓力低于980mbar時，需要對爐子進(jìn)行充氣。...

電池片制作的七步工藝流程：電池片工藝流程共分為7步:第一步：制絨(INTEX)第二步：擴(kuò)散(DIFF)第三步：后清洗(刻邊/去PSG)第四步：鍍減反射膜(PECVD)第五步：絲網(wǎng)、燒結(jié)(PRINTER)第六步：測試、分選(TESTER+SORTER)第七步：包裝(PACKING)。1制絨制絨的目的是在硅片表面形成絨面面，以減少電池片的反射率，絨面凹凸不平可以增加二次反射，改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶，可以得到金字塔狀絨面；用酸處理多晶，可以得到蟲孔狀無規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質(zhì)的區(qū)別。工藝流程：制絨槽→水洗→堿洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情況下，硅與...

太陽能光伏發(fā)電一般指能利用半導(dǎo)體直接將光能轉(zhuǎn)換為電能的一種能源形式。晶硅類太陽能電池是普遍的一種形式，太陽能電池起源于1839年，法國貝克勒爾是首先個發(fā)現(xiàn)了液態(tài)電解質(zhì)的光生伏特現(xiàn)象的科學(xué)家。其一般構(gòu)造如圖所示，在基體硅中滲入棚原子以后，便會產(chǎn)生空穴。同理，在基體硅中摻入磷原子以后，由于磷原子相比于硅原子，其外層是具有五個電子的特殊結(jié)構(gòu)，相比于硅原子的四電子結(jié)構(gòu)就會有多出來的一個電子變得非常活躍，叫做N型半導(dǎo)體。晶體硅太陽能電池片主要是用硅半導(dǎo)體材料作為基體制成較大面積的平面PN結(jié)，即在規(guī)格大約為15cm×15cm的P型硅片上經(jīng)擴(kuò)散爐擴(kuò)散磷原子，擴(kuò)散出一層很薄的經(jīng)過重?fù)诫s的N型層。然...

N型TOPCon轉(zhuǎn)換效率達(dá)到，2021年完成1GW中試線的建設(shè)，目前處于試產(chǎn)，于眉山投資建設(shè)的32GW(TOPCon與HJT)，一期16GW預(yù)計2023年12月投產(chǎn)7.鈞達(dá)股份，轉(zhuǎn)換效率達(dá)，捷泰科技位于滁州16GW項目，今年下半年投產(chǎn)8GW8.協(xié)鑫集成，樂山10GW，一期5GW預(yù)計2023年建成9.正泰電器，比較高平均效率，2022年產(chǎn)能達(dá)3GW。HJT電池異質(zhì)結(jié)太陽電池縮寫為HIT(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer)，中文全稱為本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池，具備雙面對稱結(jié)構(gòu)電池正面依次為透明導(dǎo)電氧化物膜(TCO)、P型非晶硅薄膜和本征富氫非晶硅薄膜...