DDR的PCB布局、布線(xiàn)要求1、DDR數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時(shí)保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號(hào)是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)讀/寫(xiě)時(shí)良好的信號(hào)完整性。2、對(duì)于DDR信號(hào)數(shù)據(jù)信號(hào)DQ是參考選通信號(hào)DQS的，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號(hào)+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號(hào)+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號(hào)組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成8組，每組里面的所有信號(hào)在布局布線(xiàn)時(shí)要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長(zhǎng)度上匹配，這樣才能保證良好的信號(hào)完整性和時(shí)序匹配關(guān)系，要保證過(guò)孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線(xiàn)同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)等長(zhǎng)為20Mil，不同組的等長(zhǎng)范圍為200Mil，時(shí)鐘線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的等長(zhǎng)范圍≤1000Mil。3、對(duì)于DDR信號(hào)，需要注意串?dāng)_的影響，布線(xiàn)時(shí)拉開(kāi)與同層相鄰信號(hào)的間距，時(shí)鐘線(xiàn)與其它線(xiàn)的間距要保證3W線(xiàn)寬，數(shù)據(jù)線(xiàn)與地址線(xiàn)和控制線(xiàn)的間距要保證3W線(xiàn)寬，數(shù)據(jù)線(xiàn)內(nèi)或地址線(xiàn)和控制線(xiàn)內(nèi)保證2W線(xiàn)寬；如果兩個(gè)信號(hào)層相鄰，要使相鄰兩層的信號(hào)走線(xiàn)正交。PCB布局布線(xiàn)設(shè)計(jì)規(guī)則。荊門(mén)高效PCB設(shè)計(jì)原理

絲印調(diào)整，子流程：設(shè)置字符格式→調(diào)整器件字符→添加特殊字符→添加特殊絲印。設(shè)置字符格式，字符的寬度/高度：1/3盎司、1/2盎司（基銅）：4/23Mil(推薦設(shè)計(jì)成4/25Mil)；1盎司（基銅）：5/30Mil；2盎司(基銅)：6/45Mil；字高與字符線(xiàn)寬之比≥6:1。調(diào)整器件字符（1）字符與阻焊的間距≥6Mil。字符之間的距離≥6Mil，距離板邊≥10Mil；任何字符不能重疊且不能被元器件覆蓋。（2）絲印字符陰字線(xiàn)寬≥8mil；（3）字符只能有兩個(gè)方向，排列應(yīng)遵循正視時(shí)位號(hào)的字母數(shù)字排序?yàn)閺淖蟮接?，從下到上。?）字符的位號(hào)要與器件一一對(duì)應(yīng)，不能顛倒、變換順序，每個(gè)元器件上必須標(biāo)出位號(hào)不可缺失，對(duì)于高密度板，可將位號(hào)標(biāo)在PCB其他有空間的位置,用箭頭加圖框表示或者字符加圖框表示，如下圖所示。字符擺放完成后，逐個(gè)高亮器件，確認(rèn)位號(hào)高亮順序和器件高亮順序一致。荊門(mén)打造PCB設(shè)計(jì)功能晶振電路的布局布線(xiàn)要求。

等長(zhǎng)線(xiàn)處理等長(zhǎng)線(xiàn)處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長(zhǎng)線(xiàn)段→等長(zhǎng)線(xiàn)處理→鎖定等長(zhǎng)線(xiàn)。（1）檢查組內(nèi)等長(zhǎng)規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準(zhǔn)線(xiàn)并鎖定。（2）單端蛇形線(xiàn)同網(wǎng)絡(luò)走線(xiàn)間距S≥3W，差分對(duì)蛇形線(xiàn)同網(wǎng)絡(luò)走線(xiàn)間距≥20Mil。（3）差分線(xiàn)對(duì)內(nèi)等長(zhǎng)優(yōu)先在不匹配端做補(bǔ)償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對(duì)內(nèi)間距，長(zhǎng)度＞3倍差分線(xiàn)寬，（4）差分線(xiàn)對(duì)內(nèi)≤3.125G等長(zhǎng)誤差≤5mil，＞3.125G等長(zhǎng)誤差≤2mil。（5）DDR同組等長(zhǎng)：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶(hù)有要求或者芯片有特殊要求時(shí)按特殊要求。（6）優(yōu)先在BGA區(qū)域之外做等長(zhǎng)線(xiàn)處理。（7）有源端匹配的走線(xiàn)必須在靠近接收端一側(cè)B段做等長(zhǎng)處理，（8）有末端匹配的走線(xiàn)在A段做等長(zhǎng)線(xiàn)處理，禁止在分支B段做等長(zhǎng)處理（9） T型拓?fù)渥呔€(xiàn)，優(yōu)先在主干走線(xiàn)A段做等長(zhǎng)處理，同網(wǎng)絡(luò)分支走線(xiàn)B或C段長(zhǎng)度＜主干線(xiàn)A段長(zhǎng)度,且分支走線(xiàn)長(zhǎng)度B、C段誤差≤10Mil，（10） Fly-By型拓?fù)渥呔€(xiàn)，優(yōu)先在主干走線(xiàn)A段做等長(zhǎng)處理，分支線(xiàn)B、C、D、E段長(zhǎng)度＜500Mil

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應(yīng)做開(kāi)窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開(kāi)窗過(guò)孔屏蔽，過(guò)孔應(yīng)相互錯(cuò)開(kāi)，同排過(guò)孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線(xiàn)要引入腔體里采用帶狀線(xiàn)的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線(xiàn)的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開(kāi)槽處理，開(kāi)槽的寬度一般為3mm、微帶線(xiàn)走在中間。（5）布線(xiàn)原則1、首先參考射頻信號(hào)的處理原則。2、嚴(yán)格按照原理圖的順序進(jìn)行ADC和DAC前端電路布線(xiàn)。3、空間允許的情況下，模擬信號(hào)采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過(guò)孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經(jīng)過(guò)電容再到電源管腳，線(xiàn)寬≥20Mil，對(duì)于管腳比較細(xì)的器件，出線(xiàn)寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號(hào)優(yōu)先采用器件面直接走線(xiàn)，線(xiàn)寬≥10Mil，對(duì)50歐姆單端線(xiàn)、100歐姆差分信號(hào)要采用隔層參考，在保證阻抗的同時(shí)，以降低模擬輸入信號(hào)的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時(shí)鐘彼此之間需要做等長(zhǎng)處理。7、當(dāng)信號(hào)線(xiàn)必須要跨分割時(shí)，跨接點(diǎn)選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。PCB設(shè)計(jì)工藝的規(guī)則和技巧。

疊層方案，疊層方案子流程：設(shè)計(jì)參數(shù)確認(rèn)→層疊評(píng)估→基本工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)。設(shè)計(jì)參數(shù)確認(rèn)（1）發(fā)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》給客戶(hù)填寫(xiě)。（2）確認(rèn)客戶(hù)填寫(xiě)信息完整、正確。板厚與客戶(hù)要求一致,注意PCI或PCIE板厚1.6mm等特殊板卡板厚要求;板厚≤1.0mm時(shí)公差±0.1mm，板厚＞1.0mm是公差±10%。其他客戶(hù)要求無(wú)法滿(mǎn)足時(shí)，需和工藝、客戶(hù)及時(shí)溝通確認(rèn)，需滿(mǎn)足加工工藝要求。層疊評(píng)估疊層評(píng)估子流程：評(píng)估走線(xiàn)層數(shù)→評(píng)估平面層數(shù)→層疊評(píng)估。（1）評(píng)估走線(xiàn)層數(shù)：以設(shè)計(jì)文件中布線(xiàn)密集的區(qū)域?yàn)橹饕獏⒖?，評(píng)估走線(xiàn)層數(shù)，一般為BGA封裝的器件或者排數(shù)較多的接插件，以信號(hào)管腳為6排的1.0mm的BGA，放在top層，BGA內(nèi)兩孔間只能走一根信號(hào)線(xiàn)為例，少層數(shù)的評(píng)估可以參考以下幾點(diǎn)：及次信號(hào)需換層布線(xiàn)的過(guò)孔可以延伸至BGA外（一般在BGA本體外擴(kuò)5mm的禁布區(qū)范圍內(nèi)），此類(lèi)過(guò)孔要擺成兩孔間穿兩根信號(hào)線(xiàn)的方式。次外層以?xún)?nèi)的兩排可用一個(gè)內(nèi)層出線(xiàn)。再依次內(nèi)縮的第五，六排則需要兩個(gè)內(nèi)層出線(xiàn)。根據(jù)電源和地的分布情況，結(jié)合bottom層走線(xiàn)，多可以減少一個(gè)內(nèi)層。結(jié)合以上5點(diǎn)，少可用2個(gè)內(nèi)走線(xiàn)層完成出線(xiàn)。時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的布局布線(xiàn)要求。荊州哪里的PCB設(shè)計(jì)銷(xiāo)售

SDRAM 的PCB布局布線(xiàn)要求是什么？荊門(mén)高效PCB設(shè)計(jì)原理

整板扇出（1）對(duì)板上已處理的表層線(xiàn)和過(guò)孔按照規(guī)則進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。（2）格點(diǎn)優(yōu)先選用25Mil的，其次采用5Mil格點(diǎn)，過(guò)孔扇出在格點(diǎn)上，相同器件過(guò)孔走線(xiàn)采用復(fù)制方式，保證過(guò)孔上下左右對(duì)齊、常見(jiàn)分立器件的扇出形式（3）8MIL過(guò)孔中心間距35MIL以上，10MIL過(guò)孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過(guò)孔間距一般為30Mil（或過(guò)孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過(guò)電容再打過(guò)孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過(guò)孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔，模塊內(nèi)通過(guò)表層線(xiàn)直連，無(wú)法連接的打過(guò)孔處理。（6）電源輸出過(guò)孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過(guò)孔扇出在輸入濾波電容之前，過(guò)孔數(shù)目滿(mǎn)足電源載流要求，過(guò)孔通流能力參照，地孔數(shù)不少于電源過(guò)孔數(shù)。荊門(mén)高效PCB設(shè)計(jì)原理

武漢京曉科技有限公司坐落在洪山區(qū)和平鄉(xiāng)徐東路7號(hào)湖北華天大酒店第7層1房26室，是一家專(zhuān)業(yè)的武漢京曉科技有限公司成立于2020年06月17日，注冊(cè)地位于洪山區(qū)和平鄉(xiāng)徐東路7號(hào)湖北華天大酒店第7層1房26室，法定代表人為董彪。經(jīng)營(yíng)范圍包括雙面、多層印制線(xiàn)路板的設(shè)計(jì)；電子產(chǎn)品研發(fā)、設(shè)計(jì)、銷(xiāo)售及技術(shù)服務(wù)；電子商務(wù)平臺(tái)運(yùn)營(yíng)；教育咨詢(xún)（不含教育培訓(xùn)）；貨物或技術(shù)進(jìn)出口。（涉及許可經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目，應(yīng)取得相關(guān)部門(mén)許可后方可經(jīng)營(yíng)）公司。一批專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：**PCB設(shè)計(jì)與制造，高速PCB設(shè)計(jì)，企業(yè)級(jí)PCB定制等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營(yíng)宗旨，深受客戶(hù)好評(píng)。公司深耕**PCB設(shè)計(jì)與制造，高速PCB設(shè)計(jì)，企業(yè)級(jí)PCB定制，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。