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由于電容的兩端電壓不會(huì)突變，形象的說(shuō)電容像個(gè)水塘，因?yàn)樗晾锏乃粫?huì)因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。 它把電壓的變化轉(zhuǎn)作為電流的變化，從而緩沖了輸出電壓。濾波就是充電，放電的過(guò)程。起到穩(wěn)定輸出電壓的作用。電容是電路設(shè)計(jì)中是為普通常用的器件，是無(wú)源元件之一...

電容的種類(lèi)可以從原理上分為：無(wú)極性可變電容、無(wú)極性固定電容、有極性電容等，從材料上可以分為：CBB電容（聚乙烯），滌綸電容、瓷片電容、云母電容、獨(dú)石電容、電解電容、鉭電容等[3]。無(wú)極性可變電容制作工藝：可旋轉(zhuǎn)動(dòng)片為陶瓷片表面鍍金屬薄膜，定片為鍍有金屬膜的陶瓷...

旁路電容：旁路電容，又稱(chēng)為退耦電容，是為某個(gè)器件提供能量的儲(chǔ)能器件，它利用了電容的頻率阻抗特性（理想電容的頻率特性隨頻率的升高，阻抗降低），就像一個(gè)水塘，它能使輸出電壓輸出均勻，降低負(fù)載電壓波動(dòng)。 旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳，這是阻抗要求...

線(xiàn)性穩(wěn)壓芯片的劣勢(shì)十分明顯，其損耗一直為人詬病，轉(zhuǎn)換效率為輸出電壓與輸入電壓的比值，故線(xiàn)性穩(wěn)壓芯片常用于或者說(shuō)只能用于低壓差的電壓轉(zhuǎn)換且輸出電流較小得場(chǎng)合。常見(jiàn)的線(xiàn)性穩(wěn)壓芯片（例如7805）至少需要確保輸入輸出壓差要大于1.7V，雖然LDO號(hào)稱(chēng)可以做到0.1V...

去藕電容：去耦電容，是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象，去耦電容相當(dāng)于電池，利用其充放電，使得放大后的信號(hào)不會(huì)因電流的突變而受干擾。它的容量根據(jù)信號(hào)的頻率、抑制波紋程度而定，去藕電容就是起到一個(gè)“電池”的作用，滿(mǎn)足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。旁路電容...

電容作用： 1）旁路旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負(fù)載需求。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進(jìn)行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好的防止輸入...

穩(wěn)幅電容：在鑒頻器中，用于穩(wěn)定輸出信號(hào)的幅度。預(yù)加重電容：為了避免音頻調(diào)制信號(hào)在處理過(guò)程中造成對(duì)分頻量衰減和丟失，而設(shè)置的RC高頻分量提升網(wǎng)絡(luò)電容。移相電容：用于改變交流信號(hào)相位的電容。反饋電容：跨接于放大器的輸入與輸出端之間，使輸出信號(hào)回輸?shù)捷斎攵说碾娙荨＝?..

二、用電阻檔檢測(cè)實(shí)踐證明，利用數(shù)字萬(wàn)用表也可觀察電容器的充電過(guò)程，這實(shí)際上是以離散的數(shù)字量反映充電電壓的變化情況。設(shè)數(shù)字萬(wàn)用表的測(cè)量速率為n次/秒，則在觀察電容器的充電過(guò)程中，每秒鐘即可看到n個(gè)彼此且依次增大的讀數(shù)。根據(jù)數(shù)字萬(wàn)用表的這一顯示特點(diǎn)，可以檢測(cè)電...

電容（或稱(chēng)電容量）是表現(xiàn)電容器容納電荷本領(lǐng)的物理量。電容從物理學(xué)上講，它是一種靜態(tài)電荷存儲(chǔ)介質(zhì)，可能電荷會(huì)如存在，這是它的特征，它的用途較廣，它是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件。主要用于電源濾波、信號(hào)濾波、信號(hào)耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲(chǔ)能、隔直流等...

新型機(jī)電元件產(chǎn)業(yè)——磁電子器件主要產(chǎn)品及服務(wù)：液晶顯示器背光電源驅(qū)動(dòng)單元以及變壓器、電感線(xiàn)圈、電源模塊；SMT加工業(yè)務(wù)。產(chǎn)品適用于液晶顯示器、PDA等顯示設(shè)備中使用的LCD背光驅(qū)動(dòng)單元及各類(lèi)AV設(shè)備、通信設(shè)備、計(jì)測(cè)設(shè)備、控制設(shè)備等使用的各種線(xiàn)圈。新型機(jī)電元件產(chǎn)...

在正向活動(dòng)模式下，NPN晶體管處于偏置狀態(tài)。通過(guò)直流電源Vbb，基極到發(fā)射極的結(jié)點(diǎn)將被正向偏置。因此，在該結(jié)的耗盡區(qū)將減少。集電極至基極結(jié)被反向偏置，集電極至基極結(jié)的耗盡區(qū)將增加。多數(shù)電荷載流子是n型發(fā)射極的電子。基極發(fā)射極結(jié)正向偏置，因此電子向基極區(qū)域移動(dòng)。...

變?nèi)荻O管的檢測(cè)1．正、負(fù)極的判別有的變?nèi)荻O管的一端涂有黑色標(biāo)記，這一端即是負(fù)極，而另一端為正極。還有的變?nèi)荻O管的管殼兩端分別涂有黃色環(huán)和紅色環(huán)，紅色環(huán)的一端為正極，黃色環(huán)的一端為負(fù)極。也可以用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔，通過(guò)測(cè)量變?nèi)荻O管的正、反向電壓降來(lái)判斷...

在正向活動(dòng)模式下，NPN晶體管處于偏置狀態(tài)。通過(guò)直流電源Vbb，基極到發(fā)射極的結(jié)點(diǎn)將被正向偏置。因此，在該結(jié)的耗盡區(qū)將減少。集電極至基極結(jié)被反向偏置，集電極至基極結(jié)的耗盡區(qū)將增加。多數(shù)電荷載流子是n型發(fā)射極的電子。基極發(fā)射極結(jié)正向偏置，因此電子向基極區(qū)域移動(dòng)。...

穩(wěn)壓二極管的基本知識(shí)a、穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng)，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí)，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。b、故障特點(diǎn)：穩(wěn)壓二極管的故...

導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)a;電流放大系數(shù)：對(duì)于三極管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基極電流Ib的變化，使集電極電流Ic發(fā)生更大的變化，即基極電流Ib的微小變化控制了集電極電流較大，這就是三極管的電流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;極間反向電流，集電極與基...

IF---正向直流電流（正向測(cè)試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過(guò)極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過(guò)的最大工作電流（平均值），硅開(kāi)關(guān)二極管在額定功率下允許通過(guò)的最大正向直流電流；測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電...

什么是晶體管配置？通常，共有三種類(lèi)型的配置，其關(guān)于增益的描述如下：共基（CB）配置：它沒(méi)有當(dāng)前增益，但具有公共集電極（CC）配置：它具有電流增益，但是沒(méi)有電壓增益.公共發(fā)射極（CE）配置：它同時(shí)具有電流增益和電壓增益.晶體管公共基極（CB）配置：在此電路中，將...

我們?cè)谏厦娴腘PN晶體管中討論過(guò)，它也處于有源模式。大多數(shù)電荷載流子是用于p型發(fā)射極的孔。對(duì)于這些孔，基極發(fā)射極結(jié)將被正向偏置并朝基極區(qū)域移動(dòng)。這導(dǎo)致發(fā)射極電流Ie。基極區(qū)很薄，被電子輕摻雜，形成了電子-空穴的結(jié)合，并且一些空穴保留在基極區(qū)中。這會(huì)導(dǎo)致基本電流...

參見(jiàn)晶體三極管特性曲線(xiàn)2-18圖所示：圖2-18晶體三極管特性曲線(xiàn)3、晶體三極管共發(fā)射極放大原理如下圖所示：A、vt是一個(gè)npn型三極管，起放大作用。B、ecc集電極回路電源（集電結(jié)反偏）為輸出信號(hào)提供能量。C、rc是集電極直流負(fù)載電阻，可以把電流的變化量轉(zhuǎn)化...

晶體管是三腳昆蟲(chóng)型組件，在某些設(shè)備中單獨(dú)放置但是在計(jì)算機(jī)中，它被封裝成數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的小芯片?！本w管由三層半導(dǎo)體組成，它們具有保持電流的能力。諸如硅和鍺之類(lèi)的導(dǎo)電材料具有在導(dǎo)體和被塑料線(xiàn)包圍的絕緣體之間傳輸電流的能力。半導(dǎo)體材料通過(guò)某種化學(xué)程序（稱(chēng)為半導(dǎo)體摻雜）...

什么是晶體管配置？通常，共有三種類(lèi)型的配置，其關(guān)于增益的描述如下：共基（CB）配置：它沒(méi)有當(dāng)前增益，但具有公共集電極（CC）配置：它具有電流增益，但是沒(méi)有電壓增益.公共發(fā)射極（CE）配置：它同時(shí)具有電流增益和電壓增益.晶體管公共基極（CB）配置：在此電路中，將...

RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí)，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線(xiàn)性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱(chēng)微分電阻RBB---雙基極晶體管的基極間電阻RE---射頻電阻RL---負(fù)載電阻Rs(rs)...

半導(dǎo)體三極管的好壞檢測(cè)a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位b;測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測(cè)得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動(dòng)),所測(cè)得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小...

CT---勢(shì)壘電容Cj---結(jié)（極間）電容，；表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv---偏壓結(jié)電容Co---零偏壓電容Cjo---零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn---結(jié)電容變化Cs---管殼電容或封裝電容Ct---總電容CTV---電壓溫...

電子元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類(lèi)產(chǎn)品中通用;常指電器、無(wú)線(xiàn)電、儀表等工業(yè)的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱(chēng)。常見(jiàn)的有二極管等。電子元器件包括:電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機(jī)電...

半導(dǎo)體三極管1、半導(dǎo)體三極管英文縮寫(xiě)：Q/T2、半導(dǎo)體三極管在電路中常用“Q”加數(shù)字表示，如：Q17表示編號(hào)為17的三極管。3、半導(dǎo)體三極管特點(diǎn)：半導(dǎo)體三極管（簡(jiǎn)稱(chēng)晶體管）是內(nèi)部含有2個(gè)PN結(jié)，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類(lèi)型，這兩種...

2015年，北美占據(jù)了FinFET市場(chǎng)的大多數(shù)份額。2016到2022年，亞太區(qū)市場(chǎng)將以年復(fù)合增長(zhǎng)率比較高的速度擴(kuò)大。一些亞太地區(qū)的國(guó)家是主要的制造中心，將為的FinFET技術(shù)的發(fā)展提供充足機(jī)會(huì)。智能手機(jī)和自動(dòng)汽車(chē)對(duì)于高性能CPU需求的不斷增長(zhǎng)是推動(dòng)該地區(qū)市場(chǎng)...

電腦和智能手機(jī)早期就采用了FinFET技術(shù)，目前也正推動(dòng)著市場(chǎng)需求。這些功能無(wú)論是在智能手機(jī)上，還是CPU中的都大致相同。2015年，三星（韓國(guó)）在ExynosOcta7的芯片制作上引入了14nm的FinFET技術(shù)。2016年，Exynos系列(ExynosO...

什么是晶體管配置？通常，共有三種類(lèi)型的配置，其關(guān)于增益的描述如下：共基（CB）配置：它沒(méi)有當(dāng)前增益，但具有公共集電極（CC）配置：它具有電流增益，但是沒(méi)有電壓增益.公共發(fā)射極（CE）配置：它同時(shí)具有電流增益和電壓增益.晶體管公共基極（CB）配置：在此電路中，將...

ID---暗電流IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM---發(fā)射極峰值電流IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與基極間反向電流IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM---比較大輸出平均電流IFMP---正向脈沖電流IP---峰點(diǎn)電流Ⅳ-...