在线观看AV不卡网站永久_国产精品推荐制服丝袜_午夜福利无码免费体验区_国产精品露脸精彩对白

線(xiàn)路壓降比平...發(fā)表于2017-08-0111:49?8060次閱讀機(jī)器人要如何實(shí)現(xiàn)辨別不同物體？以看到KIR9008C對(duì)黑色材質(zhì)的識(shí)別距離為20mm，而對(duì)白色材質(zhì)的識(shí)別距離為70mm，這是因?yàn)榘咨?..發(fā)表于2017-07-0409:38?383次閱讀怎樣使用光耦做一個(gè)壓控的電位器光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有...發(fā)表于2017-06-3009:20?692次閱讀電位器在不同條件下該如何選用？電位器變得更小、更簡(jiǎn)易、更精確，它的發(fā)展趨向小型化，高功效，***，低損耗更新。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備的應(yīng)...發(fā)表于2017-06-30...

加速工業(yè)機(jī)器人的創(chuàng)新步伐KEWAZO攜手英飛凌成功開(kāi)發(fā)出世界***現(xiàn)場(chǎng)施工機(jī)器人。KEWAZO的支架式機(jī)器人有助于避免人身安全風(fēng)險(xiǎn)，大幅節(jié)省勞動(dòng)力成本，以及將裝配速度加快40%以上。AdvancedTransmission&Distribution.商用、建筑、農(nóng)用車(chē)輛（CAV）如今，電氣化正在引起運(yùn)輸行業(yè)的變革。同時(shí)商用、建筑、農(nóng)用車(chē)輛也向電力電子領(lǐng)域發(fā)起了挑戰(zhàn)。從北極到沙漠，到處都可以發(fā)現(xiàn)機(jī)器工作的身影，它們運(yùn)行時(shí)間長(zhǎng)，停機(jī)時(shí)間短，并且長(zhǎng)期面臨沖擊和震動(dòng)。電氣化為CAV打開(kāi)了一個(gè)充滿(mǎn)機(jī)會(huì)的全新世界，而英飛凌則可以提供**解決方案，讓您的設(shè)計(jì)如虎添翼。CAV-Generalinfor...

1988-1991，集電極額定電流為T(mén)case=80℃時(shí)值）“1”、“2”表示***代IGBT產(chǎn)品（1992-1996，集電極額定電流為T(mén)case=25℃時(shí)值）;600V產(chǎn)品：集電極額定電流為T(mén)case=80℃時(shí)值?！?”表示第二代IGBT產(chǎn)品（600V和1200V：高密度NPT型IGBT）；1700V為***代NPT型。600V產(chǎn)品：集電極額定電流為T(mén)case=80℃時(shí)值。1200V與1700V產(chǎn)品：集電極額定電流為T(mén)case=25℃時(shí)值。“4”表示高密度、低保和壓降NPT型IGBT（1200V、1700V）。“5”表示高密度、高速NPT型IGBT（600V、1200V）。“6”表示...

冷卻體）的選定方法、實(shí)際安裝的注意事項(xiàng)7-7第8章并聯(lián)連接1.電流分配的阻礙原因8-22.并聯(lián)連接方法8-3第9章評(píng)價(jià)、測(cè)定方法1.適用范圍9-12.評(píng)價(jià)、測(cè)定方法9-1Qualityisourmessage第1章構(gòu)造與特征目錄1.元件的構(gòu)造與特征1-22.富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT1-33.通過(guò)控制門(mén)極阻斷過(guò)電流1-54.限制過(guò)電流功能1-65.模塊的構(gòu)造，隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET的出現(xiàn)，已經(jīng)起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來(lái)節(jié)能、設(shè)備小型化輕量化等要求的提高而急速地發(fā)展起來(lái)。但是，電力變換器方面的需求，并沒(méi)有通過(guò)雙極型功率晶體管模塊和...

死區(qū)電路的作用是：實(shí)現(xiàn)上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)有一定的時(shí)間間隔td，例如上管驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)閉后，需要等待td延時(shí)后才能開(kāi)通下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)；互鎖電路的作用是：上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)不能同時(shí)為有效，避免產(chǎn)生上下管驅(qū)動(dòng)直通信號(hào)；保護(hù)電路的作用是：當(dāng)副邊出現(xiàn)故障信號(hào)是，保護(hù)電路能夠同時(shí)關(guān)閉上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)。15v電源輸入濾波電路的作用是：對(duì)輸入15v電源進(jìn)行濾波，維持15v電源的穩(wěn)定并且降低emc干擾。dc/dc電路的的作用是：15v電源高頻脈寬調(diào)制dc/dc。隔離電路包括：驅(qū)動(dòng)光耦、反饋光耦和隔離變壓器。驅(qū)動(dòng)光耦的作用是：傳遞原邊驅(qū)動(dòng)信號(hào)給副邊電路，電氣隔離原邊低壓側(cè)和副邊高壓側(cè)。反饋光耦的作用是：傳遞副邊故障信號(hào)給...

由于西門(mén)康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1、在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸西門(mén)康IGBT模塊供應(yīng)端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；2、在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線(xiàn)未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；3、盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極大額定電壓，但柵極連線(xiàn)的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧...

發(fā)表于2018-01-0215:42?665次閱讀國(guó)產(chǎn)大功率IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究報(bào)告發(fā)表于2018-01-0215:00?327次閱讀純電感電路中電壓與電流的關(guān)系解析本文主要介紹了電感的概念與電感器的結(jié)構(gòu)，其次詳細(xì)的說(shuō)明了在純電感電路中電壓與電流間的數(shù)量關(guān)系以及在交...發(fā)表于2017-12-2616:52?1515次閱讀電壓220v與380v的區(qū)別220V和380V的電壓有什么區(qū)別？本文為大家?guī)?lái)具體介紹。發(fā)表于2017-12-2310:18?469次閱讀國(guó)家電網(wǎng)充電樁怎么用？國(guó)家電網(wǎng)充電樁功率多少？國(guó)家電網(wǎng)充電樁用法使用指南...國(guó)家電網(wǎng)充電樁功率交流充電樁一般是16A@220V（...

加速工業(yè)機(jī)器人的創(chuàng)新步伐KEWAZO攜手英飛凌成功開(kāi)發(fā)出世界***現(xiàn)場(chǎng)施工機(jī)器人。KEWAZO的支架式機(jī)器人有助于避免人身安全風(fēng)險(xiǎn)，大幅節(jié)省勞動(dòng)力成本，以及將裝配速度加快40%以上。AdvancedTransmission&Distribution.商用、建筑、農(nóng)用車(chē)輛（CAV）如今，電氣化正在引起運(yùn)輸行業(yè)的變革。同時(shí)商用、建筑、農(nóng)用車(chē)輛也向電力電子領(lǐng)域發(fā)起了挑戰(zhàn)。從北極到沙漠，到處都可以發(fā)現(xiàn)機(jī)器工作的身影，它們運(yùn)行時(shí)間長(zhǎng)，停機(jī)時(shí)間短，并且長(zhǎng)期面臨沖擊和震動(dòng)。電氣化為CAV打開(kāi)了一個(gè)充滿(mǎn)機(jī)會(huì)的全新世界，而英飛凌則可以提供**解決方案，讓您的設(shè)計(jì)如虎添翼。CAV-Generalinfor...

原標(biāo)題：IGBT功率模塊如何選擇？在說(shuō)IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱(chēng)為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個(gè)有MOSGate的BJT晶體管，可以簡(jiǎn)單理解為IGBT是MOSFET和BJT的組合體。MOSFET主要是單一載流子(多子)導(dǎo)電，而B(niǎo)JT是兩種載流子導(dǎo)電，所以BJT的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)比MOSFET大，但是MOSFET的控制級(jí)柵極是靠場(chǎng)效應(yīng)反型來(lái)控制的，沒(méi)有額外的控制端功率損耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)組合起來(lái)的，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗...

所述***氧化層厚度為1000-1200a。進(jìn)一步地，所述第二氧化層厚度為3000-5000a。進(jìn)一步地，兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有***摻雜區(qū)，所述***摻雜區(qū)的摻雜類(lèi)型與所述半導(dǎo)體襯底的類(lèi)型相反。進(jìn)一步地，在所述***摻雜區(qū)的內(nèi)表面設(shè)置兩個(gè)第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)的摻雜類(lèi)型與***摻雜區(qū)的摻雜類(lèi)型相反，兩個(gè)所述第二摻雜區(qū)分別設(shè)置在靠近兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述***摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)與發(fā)射極金屬接觸。進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體的底部還設(shè)置有緩沖層和集電極，所述集電極設(shè)置在比較低層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型提供的溝槽柵igbt通過(guò)在溝槽內(nèi)設(shè)置兩種厚度氧化...

原標(biāo)題：IGBT功率模塊如何選擇？在說(shuō)IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱(chēng)為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個(gè)有MOSGate的BJT晶體管，可以簡(jiǎn)單理解為IGBT是MOSFET和BJT的組合體。MOSFET主要是單一載流子(多子)導(dǎo)電，而B(niǎo)JT是兩種載流子導(dǎo)電，所以BJT的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)比MOSFET大，但是MOSFET的控制級(jí)柵極是靠場(chǎng)效應(yīng)反型來(lái)控制的，沒(méi)有額外的控制端功率損耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)組合起來(lái)的，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗...

我國(guó)的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計(jì)、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計(jì)+代工”模式，即由設(shè)計(jì)公司提出芯片設(shè)計(jì)方案，由國(guó)內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒(méi)有**的功率器件生產(chǎn)線(xiàn)，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設(shè)計(jì)生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù)，更需要先進(jìn)的工藝設(shè)備，這些都是我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中急需解決的問(wèn)題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿...

特別是對(duì)于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度更大。背面工藝，包括了背面離子注入，退火***，背面金屬化等工藝步驟，由于正面金屬的熔點(diǎn)的限制，這些背面工藝必須在低溫下進(jìn)行(不超過(guò)450°C)，退火***這一步難度極大。背面注入以及退火，此工藝并不像想象的那么簡(jiǎn)單。國(guó)外某些公司可代加工，但是他們一旦與客戶(hù)簽訂協(xié)議，就不再給中國(guó)客戶(hù)代提供加工服務(wù)。在模塊封裝技術(shù)方面，國(guó)內(nèi)基本掌握了傳統(tǒng)的焊接式封裝技術(shù)，其中中低壓模塊封裝廠(chǎng)家較多，高壓模塊封裝主要集中在南車(chē)與北車(chē)兩家公司。與國(guó)外公司相比，技術(shù)上的差距依然存在。國(guó)外公司基于傳統(tǒng)封裝技術(shù)相繼研發(fā)出多種先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性...

***，市場(chǎng)發(fā)展的趨勢(shì)要求系統(tǒng)的高可靠性，正是這些趨勢(shì)是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動(dòng)力?，F(xiàn)在這些模塊有了一個(gè)全新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級(jí)了的彈簧壓接技術(shù)，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上。技術(shù)鑒于工業(yè)應(yīng)用中對(duì)功率模塊日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求，功率半導(dǎo)體制造商正不斷努力開(kāi)發(fā)新模塊，這些新模塊在擁有高度可靠性的同時(shí)成本也低。新模塊中，DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點(diǎn)提供。機(jī)械設(shè)計(jì)方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了，使得輸出電流大，并增強(qiáng)了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進(jìn)，新SEMI...

通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測(cè)故障，vce-sat檢測(cè)被禁止，該狀態(tài)下不檢測(cè)vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關(guān)斷電壓;下管vce-sat檢測(cè)電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路:當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l為高電平（15v）時(shí)，通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，采樣信號(hào)vce_h，r6和r7構(gòu)成分壓電路(通過(guò)r6和r7設(shè)定保護(hù)值)，比較信號(hào)comp_h，通過(guò)vce_h與comp_h的比較實(shí)現(xiàn)vce飽和壓降的檢測(cè)，并輸出故障信號(hào)fault_h：當(dāng)vce_h小于comp_h，fault_h為高電平，正常狀態(tài)；當(dāng)...

通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測(cè)故障，vce-sat檢測(cè)被禁止，該狀態(tài)下不檢測(cè)vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關(guān)斷電壓;下管vce-sat檢測(cè)電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路:當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l為高電平（15v）時(shí)，通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，采樣信號(hào)vce_h，r6和r7構(gòu)成分壓電路(通過(guò)r6和r7設(shè)定保護(hù)值)，比較信號(hào)comp_h，通過(guò)vce_h與comp_h的比較實(shí)現(xiàn)vce飽和壓降的檢測(cè)，并輸出故障信號(hào)fault_h：當(dāng)vce_h小于comp_h，fault_h為高電平，正常狀態(tài)；當(dāng)...

該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據(jù)應(yīng)用端對(duì)器件的開(kāi)關(guān)特性需求，可以對(duì)第二氧化層22的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區(qū)的光刻膠3，保留非溝道區(qū)的光刻膠3，從而保護(hù)溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第二氧化層22不被蝕刻；s105：對(duì)第二氧化層22進(jìn)行蝕刻(如圖5f所示)，然后去除溝槽內(nèi)非溝道區(qū)保留的光刻膠3(如圖5g所示)；s106：在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(如圖5h所示)；s107:沉積多晶硅層(如圖5i所示)，然后去除表面多余多晶硅層(如圖5j所示)。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例提供的制作方法形成兩種厚度氧化層2沒(méi)有新增光刻流程，...

2013年2月，賽米控公司正式推出全國(guó)**式電磁油煙凈化一體機(jī)。2012年5月，賽米控公司正式加入廣東省酒店用品行業(yè)協(xié)會(huì)。2012年4月，賽米控公司正式加入順德民營(yíng)企業(yè)投資商會(huì)理事會(huì)。2012年3月，賽米控公司投資控股佛山市順德區(qū)智械智能設(shè)備有限公司和佛山市順德區(qū)智熱電子科技有限公司。2012年3月，賽米控公司成立**永豐賽米控電子科技有限公司支部。2011年9月，賽米控公司在全國(guó)同行業(yè)中**推出美食和美器相結(jié)合的節(jié)能低碳廚房體驗(yàn)廳開(kāi)業(yè)。2011年2月，賽米控公司聯(lián)合阿里巴巴建立專(zhuān)業(yè)的外貿(mào)團(tuán)隊(duì)，同年9月份出口西班牙大型電磁搖鍋。2010年12月，賽米控合資公司----石家莊晟歐電子科技...

大中小燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序2010-03-28流水淙淙展開(kāi)全文一、電路板燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序電流保險(xiǎn)絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認(rèn)下列其它零件是在正常狀態(tài)時(shí)才能進(jìn)行更換，否則，IGBT和保險(xiǎn)絲又會(huì)燒壞。1．目視電流保險(xiǎn)絲是否燒斷2．檢測(cè)IGBT是否...一、電路板燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序保險(xiǎn)絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認(rèn)下列其它零件是在正常狀態(tài)時(shí)才能進(jìn)行更換，否則，IGBT和保險(xiǎn)絲又會(huì)燒壞。這樣付出的代價(jià)就大了。1．檢查保險(xiǎn)絲是否燒斷2．檢測(cè)IGBT是否擊穿：用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量IGBT的“E”；“C”；“G”三極間是否擊穿短路。A：...

2013年2月，賽米控公司正式推出全國(guó)**式電磁油煙凈化一體機(jī)。2012年5月，賽米控公司正式加入廣東省酒店用品行業(yè)協(xié)會(huì)。2012年4月，賽米控公司正式加入順德民營(yíng)企業(yè)投資商會(huì)理事會(huì)。2012年3月，賽米控公司投資控股佛山市順德區(qū)智械智能設(shè)備有限公司和佛山市順德區(qū)智熱電子科技有限公司。2012年3月，賽米控公司成立**永豐賽米控電子科技有限公司支部。2011年9月，賽米控公司在全國(guó)同行業(yè)中**推出美食和美器相結(jié)合的節(jié)能低碳廚房體驗(yàn)廳開(kāi)業(yè)。2011年2月，賽米控公司聯(lián)合阿里巴巴建立專(zhuān)業(yè)的外貿(mào)團(tuán)隊(duì)，同年9月份出口西班牙大型電磁搖鍋。2010年12月，賽米控合資公司----石家莊晟歐電子科技...

我國(guó)的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計(jì)、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計(jì)+代工”模式，即由設(shè)計(jì)公司提出芯片設(shè)計(jì)方案，由國(guó)內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒(méi)有**的功率器件生產(chǎn)線(xiàn)，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設(shè)計(jì)生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù)，更需要先進(jìn)的工藝設(shè)備，這些都是我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中急需解決的問(wèn)題。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有非穿通型(NPT)、穿通型(PT)和弱穿...

是否受熱損壞。（如果損壞已變形或燒熔）6．檢測(cè)芯片8316是否擊穿：測(cè)量方法：用萬(wàn)用表測(cè)量8316引腳，要求1和2；1和4；7和2；7和4之間不能短路。7．IGBT處熱敏開(kāi)關(guān)絕緣保護(hù)是否損壞。按鍵動(dòng)作不良的檢測(cè)測(cè)量CPU口線(xiàn)是否擊穿：二、按鍵動(dòng)作不良用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量CPU極與接地端，均有，萬(wàn)用表紅筆接“地”；黑筆接“CPU每一極口線(xiàn)”。否則，說(shuō)明CPU口線(xiàn)擊穿。三、功率不能達(dá)到到要求1．線(xiàn)圈盤(pán)短路：測(cè)試線(xiàn)圈盤(pán)的電感量：PSD系數(shù)為L(zhǎng)=157±5μH，PD系列為L(zhǎng)=140±5μH。2．鍋具與線(xiàn)圈盤(pán)距離是否正常。3．鍋具是否是指定的鍋具。四、檢查各元?dú)饧欠袼蓜?dòng)，是否齊全。裝配后不良狀...

更好的電氣性能新的機(jī)械設(shè)計(jì)也改善了電氣性能。事實(shí)上，***降低的熱阻允許更高的輸出電流。得益于角形柵極可控硅的使用，新的芯片具有更大的有效表面積，可以流過(guò)更多的電流。由于這些變化，在與當(dāng)前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過(guò)芯片的輸出電流大約多了10％以上。衡量可控硅模塊可靠性的另一個(gè)重要參數(shù)是浪涌電流。該值顯示了二極管/可控硅的穩(wěn)健性，指的是故障條件下二極管/可控硅能夠經(jīng)受的住而無(wú)損傷的單一正弦半波通態(tài)電流脈沖，該脈沖持續(xù)10或（50或60Hz），這種情況在二極管/可控硅的使用壽命期間應(yīng)該發(fā)生的很少［4］。認(rèn)證所有賽米控的模塊都要經(jīng)歷質(zhì)量審批測(cè)試程序。測(cè)試的目的是在各種不同的測(cè)試條...

相關(guān)推薦為何中國(guó)用220伏電美國(guó)用110伏電？為什么不用...經(jīng)常出國(guó)溜達(dá)的小伙伴肯定會(huì)發(fā)現(xiàn)：某些國(guó)家的插座寫(xiě)著110V，而不是中國(guó)插座上的220V。哇，難道電壓...發(fā)表于2018-04-0723:21?163次閱讀線(xiàn)圈一體型負(fù)電壓輸出電壓”microDC／DC...**適于輸入電壓變動(dòng)的設(shè)備的穩(wěn)定化負(fù)電源電路,支持負(fù)電壓輸出特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社研發(fā)了支持...發(fā)表于2018-04-0610:32?103次閱讀一文看懂人體的安全電壓與安全電流是多少行業(yè)規(guī)定安全電壓為不高于36V，持續(xù)接觸安全電壓為24V，安全電流為10mA，電擊對(duì)人體的危害程...發(fā)表于2018-04-0317:15...

特別是對(duì)于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度更大。背面工藝，包括了背面離子注入，退火***，背面金屬化等工藝步驟，由于正面金屬的熔點(diǎn)的限制，這些背面工藝必須在低溫下進(jìn)行(不超過(guò)450°C)，退火***這一步難度極大。背面注入以及退火，此工藝并不像想象的那么簡(jiǎn)單。國(guó)外某些公司可代加工，但是他們一旦與客戶(hù)簽訂協(xié)議，就不再給中國(guó)客戶(hù)代提供加工服務(wù)。在模塊封裝技術(shù)方面，國(guó)內(nèi)基本掌握了傳統(tǒng)的焊接式封裝技術(shù)，其中中低壓模塊封裝廠(chǎng)家較多，高壓模塊封裝主要集中在南車(chē)與北車(chē)兩家公司。與國(guó)外公司相比，技術(shù)上的差距依然存在。國(guó)外公司基于傳統(tǒng)封裝技術(shù)相繼研發(fā)出多種先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性...

死區(qū)電路的作用是：實(shí)現(xiàn)上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)有一定的時(shí)間間隔td，例如上管驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)閉后，需要等待td延時(shí)后才能開(kāi)通下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)；互鎖電路的作用是：上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)不能同時(shí)為有效，避免產(chǎn)生上下管驅(qū)動(dòng)直通信號(hào)；保護(hù)電路的作用是：當(dāng)副邊出現(xiàn)故障信號(hào)是，保護(hù)電路能夠同時(shí)關(guān)閉上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)。15v電源輸入濾波電路的作用是：對(duì)輸入15v電源進(jìn)行濾波，維持15v電源的穩(wěn)定并且降低emc干擾。dc/dc電路的的作用是：15v電源高頻脈寬調(diào)制dc/dc。隔離電路包括：驅(qū)動(dòng)光耦、反饋光耦和隔離變壓器。驅(qū)動(dòng)光耦的作用是：傳遞原邊驅(qū)動(dòng)信號(hào)給副邊電路，電氣隔離原邊低壓側(cè)和副邊高壓側(cè)。反饋光耦的作用是：傳遞副邊故障信號(hào)給...

pwm_l信號(hào)為低電平時(shí)，c2通過(guò)r2充電，r2,c2構(gòu)成死區(qū)延時(shí)td。當(dāng)pwm_h信號(hào)為高電平時(shí)，c3通過(guò)d3快速放電，pwm_l信號(hào)為低電平時(shí)，c3通過(guò)r3充電，r3,c3構(gòu)成死區(qū)延時(shí)td。其中v1輸入采用cmos施密特與非門(mén)，可以提高輸入信號(hào)門(mén)檻電壓，提高信號(hào)抗干擾能力。上管驅(qū)動(dòng)電路由r11,q3,q4,r8構(gòu)成推挽放大電路，對(duì)光耦輸出信號(hào)u2_out信號(hào)進(jìn)行放大,上管驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_h直接連接igbt模塊上管門(mén)極hg，滿(mǎn)足igbt模塊對(duì)于驅(qū)動(dòng)峰值電流的需求。下管驅(qū)動(dòng)電路由r17,q5,q6,r18構(gòu)成推挽放大電路，對(duì)光耦輸出信號(hào)u4_out信號(hào)進(jìn)行放大，下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l直...

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術(shù)：igbt隨著結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)的升級(jí)，主流產(chǎn)品已經(jīng)從平面柵極(如圖1所示)升級(jí)成溝槽柵極(如圖2所示)，現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)的制作方法如圖3所示，先在半導(dǎo)體襯底上光刻出溝槽，接著在該溝槽內(nèi)沉積**氧化層23(圖3a所示)，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續(xù)在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(圖3c所示)，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示)，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結(jié)構(gòu)雖然相比平面柵結(jié)構(gòu)電流密度大幅度提升，但由于溝槽柵結(jié)構(gòu)帶來(lái)的結(jié)電容的大幅度上升，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應(yīng)用于高頻場(chǎng)景...

賽米控IGBT模塊命名規(guī)律賽米控型號(hào)數(shù)字字母含義作者：微葉科技時(shí)間：2015-07-1411:04如型號(hào)SKM100GB123DL為了區(qū)分和更好的對(duì)比我們把該型號(hào)分為八個(gè)單元—***單元“SK”，第二單元“M”，第三單元“D”，第四單元“G”，第五單元“B”，第六單元“12”，第七單元“3”，第八單元“D”和“L”。***單元：SK表示SEMIKRON元件。第二單元：M表示:MOS技術(shù)。D表示七單元模塊（三相整流橋加IGBT斬波器）第三單元：“100”表示集電路電流等級(jí)（Tcase=25℃時(shí)的Ic/A）。第四單元：“G”表示IGBT開(kāi)關(guān)。第五單元：“A”表示單只開(kāi)關(guān)?！癆L”表示斬波器...

降低本征JFET的影響，和使用元胞設(shè)計(jì)幾何圖形，從而達(dá)到以上的目標(biāo)。對(duì)兩種1200VNPTIGBT進(jìn)行比較：一種是其他公司的需負(fù)偏置關(guān)斷的器件，一種是IR公司的NPT單正向柵驅(qū)動(dòng)IRGP30B120KD-E。測(cè)試結(jié)果表明其他公司的器件在源電阻為56?下驅(qū)動(dòng)時(shí)，dV/dt感生電流很大。比較寄生電容的數(shù)據(jù)，IR器件的三種電容也有減?。狠斎腚娙荩珻IES減小25％輸出電容，COES減小35％反向傳輸電容，CRES減小68％圖4寄生電容比較圖5顯示出IR器件的減小電容與V的關(guān)系，得出的平滑曲線(xiàn)是由于減小了JFET的影響。當(dāng)V＝0V時(shí)，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器件的C為1100pF，IRGP30B120KD...