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“鋰離子動(dòng)力電池有...發(fā)表于2018-01-3008:27?5358次閱讀電磁爐igbt驅(qū)動(dòng)電路圖絕緣柵雙極晶體管IGBT安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一...發(fā)表于2018-01-2614:35?716次閱讀并聯(lián)型功率優(yōu)化方法的原理和適用條件，并用單開(kāi)關(guān)拓...傳統(tǒng)方案大多針對(duì)組串及組件失配問(wèn)題，將每個(gè)光伏組件的輸出經(jīng)過(guò)變換器**的**大功率跟蹤后再串聯(lián)加以解決...發(fā)表于2018-01-2516:10?461次閱讀超級(jí)電容在峰值負(fù)載時(shí)的電壓穩(wěn)定化，有效支持了可穿...村田的超級(jí)電容在峰值負(fù)載時(shí)的電源電壓穩(wěn)定化，有效支持了可穿戴終端以外很多設(shè)備。例...

**后介紹了電機(jī)功率與電流對(duì)照表和380v電...發(fā)表于2018-02-0117:23?475次閱讀分析隔離型雙向直流變換器中存在的電源側(cè)回流功率和...首先，闡述雙移相控制的工作原理和變換器回流功率產(chǎn)生的原理，建立傳輸功率和電源側(cè)、負(fù)載側(cè)回流功率的數(shù)學(xué)...發(fā)表于2018-01-3115:28?1084次閱讀電壓模式、遲滯或基于遲滯三種控制拓?fù)湓鯓舆x擇？幾乎所有的電源均是專為提供一個(gè)穩(wěn)定的輸出電壓或電流而設(shè)計(jì)的。提供這種輸出調(diào)節(jié)功能需要一個(gè)閉環(huán)系統(tǒng)和即...發(fā)表于2018-01-3011:28?177次閱讀零交越失真放大器的失調(diào)電壓與輸入共模電壓的關(guān)系詳...數(shù)模轉(zhuǎn)換器***用于各種...

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案：所述變壓器隔離電路采用高頻隔離變壓器，其副邊有兩個(gè)**的繞組，輸出兩路隔離電源。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型能夠有效保護(hù)igbt模塊，并且該實(shí)用新型原邊電路集成了死區(qū)電路、互鎖電路和保護(hù)電路，可以提高抗干擾能力，提高驅(qū)動(dòng)電路可靠性。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型涉及的風(fēng)電變流器驅(qū)動(dòng)電路示意圖。圖2為本實(shí)用新型涉及的風(fēng)電變流器的具體驅(qū)動(dòng)電路。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通...

線路壓降比平...發(fā)表于2017-08-0111:49?8060次閱讀機(jī)器人要如何實(shí)現(xiàn)辨別不同物體？以看到KIR9008C對(duì)黑色材質(zhì)的識(shí)別距離為20mm，而對(duì)白色材質(zhì)的識(shí)別距離為70mm，這是因?yàn)榘咨?..發(fā)表于2017-07-0409:38?383次閱讀怎樣使用光耦做一個(gè)壓控的電位器光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有...發(fā)表于2017-06-3009:20?692次閱讀電位器在不同條件下該如何選用？電位器變得更小、更簡(jiǎn)易、更精確，它的發(fā)展趨向小型化，高功效，***，低損耗更新。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備的應(yīng)...發(fā)表于2017-06-30...

或產(chǎn)...發(fā)表于2018-03-2216:39?492次閱讀鉗形萬(wàn)用表怎么測(cè)電壓_鉗形萬(wàn)用表的使用方法本文開(kāi)始介紹了萬(wàn)用表原理和萬(wàn)用表的組成，其次詳細(xì)說(shuō)明了鉗形萬(wàn)用表測(cè)電壓的方法，**后介紹了鉗形萬(wàn)用表使...發(fā)表于2018-03-2216:00?248次閱讀為什么回路電流走零線不走地線,零線地線原理是什么...我們?cè)賮?lái)看圖1。圖1中的中性線發(fā)生了斷裂，于是在斷裂點(diǎn)的前方，中性線的電壓依舊為零，但斷裂點(diǎn)的后方若...發(fā)表于2018-03-2215:02?260次閱讀基于熱路模型的充電機(jī)智能功率調(diào)節(jié)方法研究集中參數(shù)熱路模型通常將功率器件和散熱器視為整體，一般情況下功率器件熱阻遠(yuǎn)小于散熱器...

光耦u3_out輸出高電平，經(jīng)過(guò)d6和v6后故障信號(hào)fault_p為低電平，對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行***。上管信號(hào)的邏輯關(guān)系是：其中v1_out是v1與非門的輸出信號(hào)，u2_out是光耦u2的輸出信號(hào)（上圖對(duì)應(yīng)u2的7腳）死區(qū)邏輯說(shuō)明：當(dāng)模態(tài)2過(guò)渡到模態(tài)3時(shí)，中間至少要延時(shí)td互鎖邏輯說(shuō)明：當(dāng)pwm_h和pwm_l同時(shí)為高電平時(shí)，u2輸出信號(hào)為低電平，即避免了因emc電磁干擾等因素導(dǎo)致igbt模塊上下管直通短路的情況，提高了原邊電路的抗干擾能力，有效地保護(hù)了igbt模塊。故障狀態(tài)時(shí)，pwm_h和pwm_l是任意電平，驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)drv_h為低電平，及時(shí)關(guān)斷igbt模塊；下管信號(hào)的邏輯關(guān)系是：其...

好的磁通密度B在100...發(fā)表于2017-11-0616:26?3306次閱讀電動(dòng)勢(shì)和電壓的區(qū)別電動(dòng)勢(shì)是對(duì)電源而說(shuō)的，它就是電源將單位正電荷從負(fù)極經(jīng)電源內(nèi)部移到正極時(shí)，非靜電力所做的功。電壓是對(duì)一...發(fā)表于2017-11-0615:54?342次閱讀關(guān)于電磁繼電器二次吸合電壓技術(shù)研究當(dāng)電磁繼電器線圈上電，隨勵(lì)磁線圈電流的增大，首先出現(xiàn)一次動(dòng)靜觸頭的不實(shí)閉合（如圖1a），此時(shí)彈簧拉力...發(fā)表于2017-11-0110:42?347次閱讀tl431的電源改電壓的方法TL431是一個(gè)小個(gè)頭（如同普通小三極管封裝）而又便宜的可調(diào)電壓基準(zhǔn)芯片。很多電源都用的TL431來(lái)...發(fā)表于2017...

光耦u3_out輸出高電平，經(jīng)過(guò)d6和v6后故障信號(hào)fault_p為低電平，對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行***。上管信號(hào)的邏輯關(guān)系是：其中v1_out是v1與非門的輸出信號(hào)，u2_out是光耦u2的輸出信號(hào)（上圖對(duì)應(yīng)u2的7腳）死區(qū)邏輯說(shuō)明：當(dāng)模態(tài)2過(guò)渡到模態(tài)3時(shí)，中間至少要延時(shí)td互鎖邏輯說(shuō)明：當(dāng)pwm_h和pwm_l同時(shí)為高電平時(shí)，u2輸出信號(hào)為低電平，即避免了因emc電磁干擾等因素導(dǎo)致igbt模塊上下管直通短路的情況，提高了原邊電路的抗干擾能力，有效地保護(hù)了igbt模塊。故障狀態(tài)時(shí)，pwm_h和pwm_l是任意電平，驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)drv_h為低電平，及時(shí)關(guān)斷igbt模塊；下管信號(hào)的邏輯關(guān)系是：其...

您所在位置：網(wǎng)站首頁(yè)>海量文檔>理工科>能源/化工富士IGBT應(yīng)用手冊(cè).pdf92頁(yè)本文檔一共被下載：次,您可全文**在線閱讀后下載本文檔。下載提示1.本站不保證該用戶上傳的文檔完整性，不預(yù)覽、不比對(duì)內(nèi)容而直接下載產(chǎn)生的反悔問(wèn)題本站不予受理。2.該文檔所得收入(下載+內(nèi)容+預(yù)覽三)歸上傳者、原創(chuàng)者。3.登錄后可充值，立即自動(dòng)返金幣，充值渠道很便利同意并開(kāi)始全文預(yù)覽下載地址文檔糾錯(cuò)收藏文檔下載幫助下載源文檔（pdf格式，）特別說(shuō)明：下載前務(wù)必先預(yù)覽，自己驗(yàn)證一下是不是你要下載的文檔。上傳作者：kolr（上傳創(chuàng)作收益人）發(fā)布時(shí)間：2018-03-04需要金幣：180(10金幣=人民幣1元...

TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開(kāi)關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開(kāi)關(guān)電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說(shuō)明單正向柵驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的優(yōu)勝之處。但在這個(gè)測(cè)試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒(méi)有完全計(jì)算在內(nèi)。為了只顯示出IGBT對(duì)整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測(cè)試，如圖9中的Ice(cntrl)。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒(méi)有IGBT情況下，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵...

人就會(huì)發(fā)生危險(xiǎn)...發(fā)表于2018-03-2909:24?151次閱讀怎么用labview讀取IT8813電壓和電流發(fā)表于2018-03-2717:06?178次閱讀高低電平隨機(jī)數(shù)控制電壓選擇模塊發(fā)表于2018-03-2713:22?162次閱讀matlab模擬的時(shí)候怎樣才能讓電壓緩慢關(guān)斷？發(fā)表于2018-03-2712:18?195次閱讀回收WT333功率計(jì)發(fā)表于2018-03-2710:57?46次閱讀回收WT332功率計(jì)發(fā)表于2018-03-2710:43?27次閱讀二手WT2030功率分析儀發(fā)表于2018-03-2710:27?47次閱讀本人電源方面的新手，有一道題困惑了好幾天...

原標(biāo)題：IGBT功率模塊如何選擇？在說(shuō)IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個(gè)有MOSGate的BJT晶體管，可以簡(jiǎn)單理解為IGBT是MOSFET和BJT的組合體。MOSFET主要是單一載流子(多子)導(dǎo)電，而B(niǎo)JT是兩種載流子導(dǎo)電，所以BJT的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)比MOSFET大，但是MOSFET的控制級(jí)柵極是靠場(chǎng)效應(yīng)反型來(lái)控制的，沒(méi)有額外的控制端功率損耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)組合起來(lái)的，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗...

pwm_l信號(hào)為低電平時(shí)，c2通過(guò)r2充電，r2,c2構(gòu)成死區(qū)延時(shí)td。當(dāng)pwm_h信號(hào)為高電平時(shí)，c3通過(guò)d3快速放電，pwm_l信號(hào)為低電平時(shí)，c3通過(guò)r3充電，r3,c3構(gòu)成死區(qū)延時(shí)td。其中v1輸入采用cmos施密特與非門，可以提高輸入信號(hào)門檻電壓，提高信號(hào)抗干擾能力。上管驅(qū)動(dòng)電路由r11,q3,q4,r8構(gòu)成推挽放大電路，對(duì)光耦輸出信號(hào)u2_out信號(hào)進(jìn)行放大,上管驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_h直接連接igbt模塊上管門極hg，滿足igbt模塊對(duì)于驅(qū)動(dòng)峰值電流的需求。下管驅(qū)動(dòng)電路由r17,q5,q6,r18構(gòu)成推挽放大電路，對(duì)光耦輸出信號(hào)u4_out信號(hào)進(jìn)行放大，下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l直...

脈沖的幅值與柵驅(qū)動(dòng)電路阻抗和dV/dt的實(shí)際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計(jì)對(duì)減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過(guò)IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因?yàn)榇藭r(shí)集電極到發(fā)射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開(kāi)通，可采取以下措施：關(guān)斷時(shí)采用柵極負(fù)偏置，可防止電壓峰值超過(guò)V，但問(wèn)題是驅(qū)動(dòng)電路會(huì)更復(fù)雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設(shè)計(jì)的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個(gè)特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，...

是一種非常直觀...發(fā)表于2018-01-1509:38?700次閱讀為物聯(lián)網(wǎng)未來(lái)發(fā)聲——物聯(lián)網(wǎng)微功率頻譜應(yīng)用研討會(huì)***上午，來(lái)自全國(guó)各地及海外的一百多家物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)企業(yè)、用戶單位和科研機(jī)構(gòu)**齊聚北京，共同參與了“為...發(fā)表于2018-01-1217:20?1299次閱讀功率和功耗一樣嗎_功耗和功率的區(qū)別功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定，時(shí)間越短，功率值...發(fā)表于2018-01-1214:43?1024次閱讀浪涌電壓防護(hù)_電解電容浪涌電壓措施在電子設(shè)計(jì)中，浪涌主要指的是電源（只是主要指電源）剛開(kāi)通的那一瞬息產(chǎn)生的強(qiáng)力脈沖，由于電路...

TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開(kāi)關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開(kāi)關(guān)電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說(shuō)明單正向柵驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的優(yōu)勝之處。但在這個(gè)測(cè)試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒(méi)有完全計(jì)算在內(nèi)。為了只顯示出IGBT對(duì)整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測(cè)試，如圖9中的Ice(cntrl)。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒(méi)有IGBT情況下，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵...

發(fā)表于2018-04-0311:03?147次閱讀電壓與電壓降是一個(gè)概念嗎?有什么區(qū)別嗎本文開(kāi)始介紹了電壓的分類和電壓的作用，其次介紹了電壓降的相關(guān)概念和電壓降產(chǎn)生的原因，**后分析了電壓與...發(fā)表于2018-04-0309:00?154次閱讀***表使用中必須掌握的14個(gè)小技巧能讓你事半功倍我們都知道萬(wàn)用表是電力作業(yè)人員工作中不可缺少的常用維修工具，正確的使用萬(wàn)用表不僅能讓我們的工作事半功發(fā)表于2018-04-0308:42?184次閱讀開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)、輻射處理案例，通過(guò)整改調(diào)整Layo...注：在**初的設(shè)計(jì)中，預(yù)留電感L1、L2，CBB電容C1、C2作為傳導(dǎo)測(cè)試元件，預(yù)留磁珠FB...

更好的電氣性能新的機(jī)械設(shè)計(jì)也改善了電氣性能。事實(shí)上，***降低的熱阻允許更高的輸出電流。得益于角形柵極可控硅的使用，新的芯片具有更大的有效表面積，可以流過(guò)更多的電流。由于這些變化，在與當(dāng)前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過(guò)芯片的輸出電流大約多了10％以上。衡量可控硅模塊可靠性的另一個(gè)重要參數(shù)是浪涌電流。該值顯示了二極管/可控硅的穩(wěn)健性，指的是故障條件下二極管/可控硅能夠經(jīng)受的住而無(wú)損傷的單一正弦半波通態(tài)電流脈沖，該脈沖持續(xù)10或（50或60Hz），這種情況在二極管/可控硅的使用壽命期間應(yīng)該發(fā)生的很少［4］。認(rèn)證所有賽米控的模塊都要經(jīng)歷質(zhì)量審批測(cè)試程序。測(cè)試的目的是在各種不同的測(cè)試條...

發(fā)表于2018-04-0311:03?147次閱讀電壓與電壓降是一個(gè)概念嗎?有什么區(qū)別嗎本文開(kāi)始介紹了電壓的分類和電壓的作用，其次介紹了電壓降的相關(guān)概念和電壓降產(chǎn)生的原因，**后分析了電壓與...發(fā)表于2018-04-0309:00?154次閱讀***表使用中必須掌握的14個(gè)小技巧能讓你事半功倍我們都知道萬(wàn)用表是電力作業(yè)人員工作中不可缺少的常用維修工具，正確的使用萬(wàn)用表不僅能讓我們的工作事半功發(fā)表于2018-04-0308:42?184次閱讀開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)、輻射處理案例，通過(guò)整改調(diào)整Layo...注：在**初的設(shè)計(jì)中，預(yù)留電感L1、L2，CBB電容C1、C2作為傳導(dǎo)測(cè)試元件，預(yù)留磁珠FB...

○觸發(fā)板也可接入直流3V電壓和分流器75mV反饋信號(hào)進(jìn)行直流負(fù)載的恒電流和恒電壓控制。（請(qǐng)通過(guò)JP1和JP3跳線選擇短接S4和S6進(jìn)行直流閉環(huán)控制）?！鹩|發(fā)板可跟據(jù)不同要求場(chǎng)合取樣。觸發(fā)板還可以與單片機(jī)及相應(yīng)檢測(cè)傳感器組成外閉環(huán)自動(dòng)控制系統(tǒng)。2．可選擇三種的輸入模式：○4-20mA輸入。通過(guò)JP4跳線選擇短接S1?！?-10V輸入。通過(guò)JP4跳線選擇短接S2?！?-5V輸入。通過(guò)JP4跳線選擇短接S3。3．可外接溫控保護(hù)開(kāi)關(guān)和復(fù)位開(kāi)關(guān)：（請(qǐng)參考接線圖）。4．軟啟動(dòng)調(diào)節(jié)：觸發(fā)板可通過(guò)VR3可調(diào)電阻設(shè)置調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)的時(shí)間，順時(shí)針?lè)较蛘{(diào)節(jié)為啟動(dòng)時(shí)間更長(zhǎng)。5．限流限壓保護(hù)：觸發(fā)板通過(guò)調(diào)節(jié)VR2設(shè)...

線路壓降比平...發(fā)表于2017-08-0111:49?8060次閱讀機(jī)器人要如何實(shí)現(xiàn)辨別不同物體？以看到KIR9008C對(duì)黑色材質(zhì)的識(shí)別距離為20mm，而對(duì)白色材質(zhì)的識(shí)別距離為70mm，這是因?yàn)榘咨?..發(fā)表于2017-07-0409:38?383次閱讀怎樣使用光耦做一個(gè)壓控的電位器光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有...發(fā)表于2017-06-3009:20?692次閱讀電位器在不同條件下該如何選用？電位器變得更小、更簡(jiǎn)易、更精確，它的發(fā)展趨向小型化，高功效，***，低損耗更新。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備的應(yīng)...發(fā)表于2017-06-30...

冷卻體）的選定方法、實(shí)際安裝的注意事項(xiàng)7-7第8章并聯(lián)連接1.電流分配的阻礙原因8-22.并聯(lián)連接方法8-3第9章評(píng)價(jià)、測(cè)定方法1.適用范圍9-12.評(píng)價(jià)、測(cè)定方法9-1Qualityisourmessage第1章構(gòu)造與特征目錄1.元件的構(gòu)造與特征1-22.富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT1-33.通過(guò)控制門極阻斷過(guò)電流1-54.限制過(guò)電流功能1-65.模塊的構(gòu)造，隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET的出現(xiàn)，已經(jīng)起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來(lái)節(jié)能、設(shè)備小型化輕量化等要求的提高而急速地發(fā)展起來(lái)。但是，電力變換器方面的需求，并沒(méi)有通過(guò)雙極型功率晶體管模塊和...

***，市場(chǎng)發(fā)展的趨勢(shì)要求系統(tǒng)的高可靠性，正是這些趨勢(shì)是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動(dòng)力。現(xiàn)在這些模塊有了一個(gè)全新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級(jí)了的彈簧壓接技術(shù)，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上。技術(shù)鑒于工業(yè)應(yīng)用中對(duì)功率模塊日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求，功率半導(dǎo)體制造商正不斷努力開(kāi)發(fā)新模塊，這些新模塊在擁有高度可靠性的同時(shí)成本也低。新模塊中，DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點(diǎn)提供。機(jī)械設(shè)計(jì)方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了，使得輸出電流大，并增強(qiáng)了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進(jìn)，新SEMI...

以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路，所述原邊電路包括死區(qū)電路、互鎖電路、保護(hù)電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路，所述隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路，所述副邊電路包括±15v驅(qū)動(dòng)電源、驅(qū)動(dòng)電路和vce-sat檢測(cè)電路，vce-sat檢測(cè)電路分別連接igbt模塊、驅(qū)動(dòng)電路和光耦隔離電路，光耦隔離電路還連接死區(qū)電路、互鎖電路和保護(hù)電路，驅(qū)動(dòng)電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測(cè)電路檢測(cè)到igbt模塊發(fā)生短路故障或過(guò)流故障時(shí)，通過(guò)光耦隔離電路傳遞故障...

人就會(huì)發(fā)生危險(xiǎn)...發(fā)表于2018-03-2909:24?151次閱讀怎么用labview讀取IT8813電壓和電流發(fā)表于2018-03-2717:06?178次閱讀高低電平隨機(jī)數(shù)控制電壓選擇模塊發(fā)表于2018-03-2713:22?162次閱讀matlab模擬的時(shí)候怎樣才能讓電壓緩慢關(guān)斷？發(fā)表于2018-03-2712:18?195次閱讀回收WT333功率計(jì)發(fā)表于2018-03-2710:57?46次閱讀回收WT332功率計(jì)發(fā)表于2018-03-2710:43?27次閱讀二手WT2030功率分析儀發(fā)表于2018-03-2710:27?47次閱讀本人電源方面的新手，有一道題困惑了好幾天...

Thresholdvoltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變...發(fā)表于2017-11-2717:18?935次閱讀怎么使用示波器抓取瞬態(tài)波形示波器是一種用途十分***的電子測(cè)量?jī)x器。它能把肉眼看不見(jiàn)的電信號(hào)變換成看得見(jiàn)的圖像，便于人們研究各種...發(fā)表于2017-11-2710:54?1070次閱讀基于簡(jiǎn)單功率跟蹤技術(shù)的射頻功率放大器效率優(yōu)化高數(shù)據(jù)速率的需求推動(dòng)著移動(dòng)通信系統(tǒng)從2G向3G遷移。這些系統(tǒng)中更高的數(shù)據(jù)速率為移動(dòng)電話射頻設(shè)...發(fā)表于2017-11-2513:58?181次閱讀降低SDR功耗的整體設(shè)計(jì)方案?jìng)鹘y(tǒng)上，降低軟件無(wú)線電(SDR)硬件的功耗一...

本文介紹了如何實(shí)現(xiàn)具有較大信號(hào)輸出的硅應(yīng)變計(jì)...發(fā)表于2017-06-0714:12?518次閱讀負(fù)反饋電阻在運(yùn)放電路中有什么作用？射頻電阻并聯(lián)同...在射頻和微波頻段使用的高功率電阻，大多數(shù)使用在Wilkinson功分器或者合路器產(chǎn)品中。為得到**好的...發(fā)表于2017-06-0709:01?1724次閱讀什么是泄漏電阻？泄漏電流的原因個(gè)絕緣電阻有關(guān)系嗎...通過(guò)絕緣體，導(dǎo)體或地線的電流很少（微安）。如果絕緣劣化會(huì)出現(xiàn)電流增加或吸收電流消失后有電流增加。（參...發(fā)表于2017-06-0617:17?2236次閱讀**電阻標(biāo)準(zhǔn)衡量值，電阻和電壓之間的交互關(guān)系我現(xiàn)在知道的是：金屬導(dǎo)...

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交直流電壓還可以測(cè)量直流電壓。甚至有的萬(wàn)用表還可以測(cè)量晶體管...發(fā)表于2018-01-1819:18?3013次閱讀驗(yàn)證了LCL型濾波器參數(shù)設(shè)計(jì)及光伏并入配電網(wǎng)的逆...從濾波器的原理入手，對(duì)單L型和LCL型濾波器原理進(jìn)行對(duì)比分析，在設(shè)計(jì)方法上，對(duì)比傳統(tǒng)的分步設(shè)計(jì)法，本...發(fā)表于2018-01-1716:00?1327次閱讀怎么用示波器測(cè)功率本文介紹了怎么用示波器測(cè)功率，小編為大家總結(jié)了使用示波器執(zhí)行功率測(cè)量的七大秘訣。那么，在測(cè)量功率時(shí)我...發(fā)表于2018-01-1510:55?699次閱讀示波器如何測(cè)量直流電壓_示波器測(cè)量直流電壓方法示波器測(cè)量直流電壓方法有兩種，一種是直接測(cè)...

其次對(duì)TTL電平的相關(guān)定義進(jìn)行了介紹，**后闡述了電...發(fā)表于2018-03-1310:02?221次閱讀淺談欠壓檢測(cè)門限的選定方法關(guān)于如何設(shè)置上/下門限電壓、如何設(shè)置回差電壓、如何選擇**芯片，以及關(guān)于回差電壓。檢測(cè)門限電壓、穩(wěn)壓...發(fā)表于2018-03-0516:44?118次閱讀理解電壓基準(zhǔn)：簡(jiǎn)單灌電流使用運(yùn)算放大器反饋和電壓基準(zhǔn)可以簡(jiǎn)單直接產(chǎn)生任意大小的直流電流。本篇文章將討論一種**簡(jiǎn)化的實(shí)現(xiàn)灌電...發(fā)表于2018-03-0110:38?283次閱讀簡(jiǎn)單材料制作多電壓變壓器對(duì)于電子愛(ài)好者來(lái)說(shuō)，新鮮的事物或者實(shí)驗(yàn)都是他們**大的興趣，本文將介紹如何制作方便適用的多電壓變壓...