通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測(cè)故障，vce-sat檢測(cè)被禁止，該狀態(tài)下不檢測(cè)vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關(guān)斷電壓;下管vce-sat檢測(cè)電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路:當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_l為高電平（15v）時(shí)，通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，采樣信號(hào)vce_h，r6和r7構(gòu)成分壓電路(通過(guò)r6和r7設(shè)定保護(hù)值)，比較信號(hào)comp_h，通過(guò)vce_h與comp_h的比較實(shí)現(xiàn)vce飽和壓降的檢測(cè)，并輸出故障信號(hào)fault_h：當(dāng)vce_h小于comp_h，fault_h為高電平，正常狀態(tài)；當(dāng)vce_h大于comp_h，fault_h為低電平，報(bào)故障狀態(tài);當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)drv_h為低電平（-15v）時(shí)，通過(guò)電阻和igbt模塊導(dǎo)通壓降vce-sat的分壓原理：，不檢測(cè)故障，vce-sat檢測(cè)被禁止，該狀態(tài)下不檢測(cè)vce，原因是igbt***狀態(tài)vce電壓為關(guān)斷電壓;當(dāng)fault_h為低電平時(shí),光耦u1_out輸出高電平，經(jīng)過(guò)d5和v5后故障信號(hào)fault_p為低電平，對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行***。下管vce-sat檢測(cè)電路由r15,d12,r16構(gòu)成vce-sat采樣電路，采樣信號(hào)vce_l，r13和r14構(gòu)成分壓電路(通過(guò)r13和r14設(shè)定保護(hù)值)，比較信號(hào)comp_l，通過(guò)vce_l與comp_l的比較實(shí)現(xiàn)vce-sat的檢測(cè)，并輸出故障信號(hào)fault_l，當(dāng)fault_l為低電平時(shí)。在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下，IGBT下游的風(fēng)電產(chǎn)業(yè)、光伏和新能源汽車等領(lǐng)域還在迅速發(fā)展。浙江進(jìn)口模塊進(jìn)貨價(jià)

    ○觸發(fā)板也可接入直流3V電壓和分流器75mV反饋信號(hào)進(jìn)行直流負(fù)載的恒電流和恒電壓控制。（請(qǐng)通過(guò)JP1和JP3跳線選擇短接S4和S6進(jìn)行直流閉環(huán)控制）?！鹩|發(fā)板可跟據(jù)不同要求場(chǎng)合取樣。觸發(fā)板還可以與單片機(jī)及相應(yīng)檢測(cè)傳感器組成外閉環(huán)自動(dòng)控制系統(tǒng)。2．可選擇三種的輸入模式：○4-20mA輸入。通過(guò)JP4跳線選擇短接S1?！?-10V輸入。通過(guò)JP4跳線選擇短接S2。○0-5V輸入。通過(guò)JP4跳線選擇短接S3。3．可外接溫控保護(hù)開(kāi)關(guān)和復(fù)位開(kāi)關(guān)：（請(qǐng)參考接線圖）。4．軟啟動(dòng)調(diào)節(jié)：觸發(fā)板可通過(guò)VR3可調(diào)電阻設(shè)置調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)的時(shí)間，順時(shí)針?lè)较蛘{(diào)節(jié)為啟動(dòng)時(shí)間更長(zhǎng)。5．限流限壓保護(hù)：觸發(fā)板通過(guò)調(diào)節(jié)VR2設(shè)置限電流和限電壓門檻值，順時(shí)針?lè)较蛘{(diào)節(jié)為低。（如使用限壓功能請(qǐng)短接JP2跳線，不用此功能時(shí)斷開(kāi)即可）。6．過(guò)流過(guò)壓保護(hù)：觸發(fā)板通過(guò)調(diào)節(jié)VR1設(shè)置過(guò)電流和過(guò)電壓門檻值，順時(shí)針?lè)较蛘{(diào)節(jié)為低。五、異常狀態(tài)排除法1、在較小的輸入控制信號(hào)時(shí)SCR接近100%輸出：○可能觸發(fā)器在閉環(huán)工作模式狀態(tài)下，沒(méi)有接入反饋信號(hào)，導(dǎo)致觸發(fā)器積分系統(tǒng)誤判，請(qǐng)接入閉環(huán)反饋信號(hào)?！鹩|發(fā)器在閉環(huán)工作模式時(shí)，負(fù)載電流過(guò)小?！饳z查反饋信號(hào)是否接正確。2、SCR無(wú)輸出，無(wú)電流或電壓：○面板PW指示燈不亮，SCR無(wú)法工作。上海品質(zhì)模塊報(bào)價(jià)表IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高。

    作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案：所述變壓器隔離電路采用高頻隔離變壓器，其副邊有兩個(gè)**的繞組，輸出兩路隔離電源。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型能夠有效保護(hù)igbt模塊，并且該實(shí)用新型原邊電路集成了死區(qū)電路、互鎖電路和保護(hù)電路，可以提高抗干擾能力，提高驅(qū)動(dòng)電路可靠性。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型涉及的風(fēng)電變流器驅(qū)動(dòng)電路示意圖。圖2為本實(shí)用新型涉及的風(fēng)電變流器的具體驅(qū)動(dòng)電路。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖1-2，實(shí)施例1：本實(shí)用新型實(shí)施例中，風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路，原邊電路包括死區(qū)電路、互鎖電路、保護(hù)電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路，隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路，副邊電路包括±15v驅(qū)動(dòng)電源、驅(qū)動(dòng)電路和vce-sat檢測(cè)電路。原邊電路包括上下管的死區(qū)電路、互鎖電路和保護(hù)電路。

    大中小燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序2010-03-28流水淙淙展開(kāi)全文一、電路板燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序電流保險(xiǎn)絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認(rèn)下列其它零件是在正常狀態(tài)時(shí)才能進(jìn)行更換，否則，IGBT和保險(xiǎn)絲又會(huì)燒壞。1．目視電流保險(xiǎn)絲是否燒斷2．檢測(cè)IGBT是否...一、電路板燒IGBT或保險(xiǎn)絲的維修程序保險(xiǎn)絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認(rèn)下列其它零件是在正常狀態(tài)時(shí)才能進(jìn)行更換，否則，IGBT和保險(xiǎn)絲又會(huì)燒壞。這樣付出的代價(jià)就大了。1．檢查保險(xiǎn)絲是否燒斷2．檢測(cè)IGBT是否擊穿：用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量IGBT的“E”；“C”；“G”三極間是否擊穿短路。A：“E”極與“G”極；“C”極與“G”極，正反測(cè)試均不導(dǎo)通(正常)。B：萬(wàn)用表紅筆接”E“極，黑筆接“C”極有電壓降（型號(hào)為GT40T101三極全不通）。3．測(cè)量互感器是否斷腳，正常狀態(tài)如下：用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量互感器次級(jí)電阻約80Ω；初極為0Ω。4．整流橋是否正常（用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)試）：A：數(shù)字萬(wàn)用表紅筆接“-”，黑筆接“+”有，調(diào)反無(wú)顯示。B：萬(wàn)用表紅筆接“-”，黑筆分別接兩個(gè)輸入端均有，調(diào)反無(wú)顯示。C：萬(wàn)用表黑筆接“+”，紅筆分別接兩個(gè)輸入端均有，調(diào)反無(wú)顯示。5．檢查電容C301；C302；C303。從應(yīng)用領(lǐng)域規(guī)模占比來(lái)看，中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用以新能源汽車、工業(yè)控制及消費(fèi)電子為主，占比分別是30%。

    光耦隔離電路還連接死區(qū)電路、互鎖電路和保護(hù)電路，驅(qū)動(dòng)電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測(cè)電路檢測(cè)到igbt模塊發(fā)生短路故障或過(guò)流故障時(shí)，通過(guò)光耦隔離電路傳遞故障信號(hào)給原邊電路，原邊電路同時(shí)***igbt模塊上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并通過(guò)光耦隔離電路和驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷igbt模塊。實(shí)施例2：在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型的一種實(shí)施例電路如圖2所示，其中，15v電源輸入濾波電路由l1和c1構(gòu)成的濾波器，其作用主要是：對(duì)輸入15v電源進(jìn)行濾波，并且降低開(kāi)關(guān)噪聲和電磁干擾。dc/dc電路由q1,q2,t1構(gòu)成推挽電路，并且q1和q2由晶體管構(gòu)成，t1為高頻隔離變壓器，其副邊有兩個(gè)**的繞組，輸出兩路隔離電源：其中上管隔離電源包括:d7與c4構(gòu)成二極管整流電路，輸出-15v_sh電源；d8與c5構(gòu)成二極管整流電路，輸出+15v_sh電源；其中下管隔離電源包括:d9與c6構(gòu)成二極管整流電路，輸出-15v_sl電源；d11與c7構(gòu)成二極管整流電路，輸出+15v_sl電源；上管死區(qū)電路和互鎖電路由v1,v2,r2,c2,d2組成，下管死區(qū)電路和互鎖電路由v3,v4,r3,c3,d3組成，保護(hù)電路包括d5,v5,d6,v6構(gòu)成。pwm_h信號(hào)為上管輸入信號(hào)，pwm_l信號(hào)為下管輸入信號(hào)；當(dāng)pwm_l信號(hào)為高電平時(shí)，c2通過(guò)d2快速放電。IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用硅膠。上海國(guó)產(chǎn)模塊推薦貨源

新能源汽車上用的IGBT模塊，客戶要求CTI值大于250V左右.浙江進(jìn)口模塊進(jìn)貨價(jià)

    該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據(jù)應(yīng)用端對(duì)器件的開(kāi)關(guān)特性需求，可以對(duì)第二氧化層22的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區(qū)的光刻膠3，保留非溝道區(qū)的光刻膠3，從而保護(hù)溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第二氧化層22不被蝕刻；s105：對(duì)第二氧化層22進(jìn)行蝕刻(如圖5f所示)，然后去除溝槽內(nèi)非溝道區(qū)保留的光刻膠3(如圖5g所示)；s106：在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(如圖5h所示)；s107:沉積多晶硅層(如圖5i所示)，然后去除表面多余多晶硅層(如圖5j所示)。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例提供的制作方法形成兩種厚度氧化層2沒(méi)有新增光刻流程，從而節(jié)省了光罩制作成本。綜上，本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt及其制作方法可以降低現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)的結(jié)電容大小、提高了器件的開(kāi)關(guān)特性，從而使得本實(shí)用新型可以應(yīng)用于高頻場(chǎng)景。盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。浙江進(jìn)口模塊進(jìn)貨價(jià)

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。目前我公司在職員工以90后為主，是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。誠(chéng)實(shí)、守信是對(duì)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)要求，也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德，樹(shù)立了良好的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器形象，贏得了社會(huì)各界的信任和認(rèn)可。