檢查涂層在噴涂坩堝側(cè)壁的過(guò)程中需用擋板遮住坩堝底部，約為側(cè)壁3／4的地方。噴涂和刷涂過(guò)程中要均勻使液體凝聚，涂層必須滿足均勻、無(wú)氣泡、無(wú)脫落、無(wú)裂縫等條件方為合格。坩堝焙燒將噴好的坩堝放入烘箱內(nèi)，開(kāi)始坩堝焙燒,整個(gè)過(guò)程大概需要30~40小時(shí)，先快速升溫至設(shè)定溫度，保持幾小時(shí)后，自然冷卻至合適溫度，再開(kāi)蓋冷卻。值得注意的是，坩堝噴涂車(chē)間需要保持一定的溫度，溫度較低環(huán)境需在配比涂層時(shí)對(duì)純水加熱。原料的雜質(zhì)濃度會(huì)影響鑄錠爐的化料時(shí)間，鑄錠爐在長(zhǎng)晶等階段出現(xiàn)異常，此時(shí)鑄錠時(shí)間可能較一般工藝時(shí)間長(zhǎng)2-4個(gè)小時(shí)，底部氮化硅的量太少會(huì)導(dǎo)致無(wú)法順利脫模，硅錠底部開(kāi)裂。而過(guò)量的氮化硅會(huì)覆蓋住石英砂，從而導(dǎo)致引晶效果不明顯，因此要在鑄錠中做出適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。多晶硅工序1、備料對(duì)多晶硅的原硅料和回收料使用PN測(cè)試儀和電阻率進(jìn)行分檔分類，直到達(dá)到配比質(zhì)量，計(jì)算出需要的摻雜劑質(zhì)量。硅料的種類大致有多晶原硅料、多晶碳頭硅料、多晶硅錠回收的硅料、單晶棒或單晶頭、尾料、單晶鍋底料、單晶碎硅片、其他半導(dǎo)體工業(yè)的下腳料等。2、裝料裝料時(shí)操作工戴上PVC手套和防護(hù)服，輕拿輕放防止氮化硅涂層被破壞。

    材料制造簡(jiǎn)便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。北京新款電池片

    濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反應(yīng)氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蝕堿槽的作用是為了拋光未制絨面，使電池片變得光滑；堿槽的主要溶液為KOH；H2SO4是為了讓硅片在流水線上漂浮流動(dòng)起來(lái)，并不參與反應(yīng)。干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時(shí)，一方面等離子體中的氣體化學(xué)活性會(huì)變得相對(duì)較強(qiáng)，選擇合適的氣體，就可以讓硅片更快速的進(jìn)行反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)刻蝕；另一方面，可利用電場(chǎng)對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使等離子體具有一定能量，當(dāng)轟擊硅片的表面時(shí)，硅片材料的原子擊出，可以達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來(lái)實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積。太陽(yáng)光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右。減反射膜可以提高電池片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，有助于提高光生電流，進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率：另一方面，薄膜中的氫對(duì)電池表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小暗電流，提升開(kāi)路電壓，提高光電轉(zhuǎn)換效率。H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)，從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。在真空環(huán)境下及480攝氏度的溫度下，通過(guò)對(duì)石墨舟的導(dǎo)電。使硅片的表面鍍上一層SixNy薄膜。

     北京新款電池片不出絨面（主要因素）； 采取的方法是：① 增加時(shí)間；② 提高溫度；③ 加大NaOH濃度。

    電池片制作的七步工藝流程：電池片工藝流程共分為7步:第一步：制絨(INTEX)第二步：擴(kuò)散(DIFF)第三步：后清洗(刻邊/去PSG)第四步：鍍減反射膜(PECVD)第五步：絲網(wǎng)、燒結(jié)(PRINTER)第六步：測(cè)試、分選(TESTER+SORTER)第七步：包裝(PACKING)。1制絨制絨的目的是在硅片表面形成絨面面，以減少電池片的反射率，絨面凹凸不平可以增加二次反射，改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶，可以得到金字塔狀絨面；用酸處理多晶，可以得到蟲(chóng)孔狀無(wú)規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質(zhì)的區(qū)別。工藝流程：制絨槽→水洗→堿洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情況下，硅與HF、HNO3（硅表面會(huì)被鈍化）認(rèn)為是不反應(yīng)的。當(dāng)存在于兩種混合酸的體系中，硅與混合溶液的反應(yīng)是持續(xù)性的。2擴(kuò)散擴(kuò)散是為電池片制造心臟，是為電池片制造P-N結(jié)，POCl3是當(dāng)前磷擴(kuò)散用較多的選擇。POCl3為液態(tài)磷源，液態(tài)磷源擴(kuò)散具有生產(chǎn)效率較高、穩(wěn)定性好、制得PN結(jié)均勻平整及擴(kuò)散層表面良好等優(yōu)點(diǎn)。POCl3在大于600℃的條件下分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），PCl5對(duì)硅片表面有腐蝕作用，當(dāng)有氧氣O2存在時(shí)，PCl5會(huì)分解成P2O5且釋放出氯氣，所以擴(kuò)散通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣。

    1一次清洗與二次清洗的酸液不干凈，檢查酸液使用的次數(shù)有沒(méi)揮發(fā)等2擴(kuò)散與鍍膜前硅片表面帶有較臟的水印3在制絨后硅片表面的硅酸鈉沒(méi)能得到很好的去除就會(huì)留下不規(guī)則的膠體印，到成品后是水紋；這只要我們?cè)谥平q后及時(shí)進(jìn)行酸洗，也可提高HF的濃度.如果制絨液的配比沒(méi)有問(wèn)題，那么花斑白斑和制絨前的硅片表面質(zhì)量就顯得尤其重要了。原始的解決方法是用強(qiáng)堿來(lái)粗剝一下，但隨著原材料變薄也可用低一些的濃度與IPA的混合溶液來(lái)處理，一般5~6分鐘即可；6溶液均勻的方法1超聲，缺點(diǎn)是容易造成碎片，即使沒(méi)有在槽中碎，后道工序也會(huì)碎；2循環(huán)，使用chemicalpump；3攪拌；4鼓泡；7制絨出現(xiàn)的問(wèn)題花臉；雨點(diǎn)狀斑點(diǎn)；發(fā)白；8雨點(diǎn)狀斑點(diǎn)問(wèn)題沒(méi)寫(xiě)9酒精和IPA1酒精較難控制，無(wú)毒，污染??；2IPA做的絨面的均勻性比酒精要好控制的多；10多晶硅一次清洗工藝流程這個(gè)省了11制備絨面技術(shù)方法1機(jī)械刻槽要求硅片厚度大于200um，刻槽深度一般為50um，增加材料成本2等離子蝕刻成本高，耗時(shí)長(zhǎng)，產(chǎn)量低3激光刻槽絨面的陷光效果好，但處理工序復(fù)雜，加工系統(tǒng)昂貴4各向同性的酸腐蝕12酸腐蝕制備絨面的基本原理以HF－HNO3為基礎(chǔ)的水溶液體系機(jī)理為HNO3給硅表面提供空穴，打破了硅表面的Si2H鍵。

   單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15％左右，實(shí)驗(yàn)室成果也有20％以上的。

    整個(gè)硅片加工流程中為重要的一環(huán)切片環(huán)節(jié)切片環(huán)節(jié)所需的設(shè)備主要有截?cái)鄼C(jī)、開(kāi)方機(jī)、磨倒機(jī)、粘棒機(jī)、脫膠機(jī)、切片機(jī)、脫膠機(jī)、清洗機(jī)、分選儀以及其他自動(dòng)化輔助設(shè)備等，其中切片機(jī)是切片環(huán)節(jié)設(shè)備切片機(jī)是一種使用高速運(yùn)動(dòng)的金剛石線對(duì)單晶硅棒進(jìn)行切片加工的精密生產(chǎn)設(shè)備在設(shè)備工作過(guò)程中，一根高速往復(fù)運(yùn)轉(zhuǎn)的金剛石線分布成切割線網(wǎng)，通過(guò)由放線輪、張力輪、導(dǎo)輪、切割輪等組成的運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)及自動(dòng)檢測(cè)控制系統(tǒng)對(duì)單晶硅棒料進(jìn)行加工研磨，將硅棒切割為硅片目前國(guó)內(nèi)提供多線切割機(jī)廠商包括高測(cè)股份、宇晶股份、連城數(shù)控、上機(jī)數(shù)控及晶盛機(jī)電等電池片主流分類從襯底類型來(lái)看，可將電池片分為P型電池片和N型電池片兩類P型電池片P型電池原材料為P型硅片(摻雜硼)P型電池主要包括BSF(常規(guī)鋁背場(chǎng)電池)和PERC(鈍化發(fā)射極和背面電池)P型單晶硅PERC電池理論轉(zhuǎn)換效率極限為，PERC電池量產(chǎn)效率已逼近理論極限效率，很難再有大幅度的提升，并且未能徹底解決以P型硅片為基底的電池富有硼氧對(duì)所產(chǎn)生的光至衰減現(xiàn)象N型電池片在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，若摻入微量III族元素(如硼、鎵等)可制得空穴導(dǎo)電的P(positive)型硅單晶若摻入微量V族元素(如磷、砷等)可制得電子導(dǎo)電的N。

   導(dǎo)電層可涂在玻璃板或者塑料片上，輕巧且有韌性，并可雙面吸收光線。北京新款電池片

一次清洗與二次清洗的酸液不干凈，檢查酸液使用的次數(shù)有沒(méi)揮發(fā)等。北京新款電池片

    退火的作用是使硅錠內(nèi)部溫度一致，消除硅錠內(nèi)的應(yīng)力。冷卻冷卻階段隔熱籠慢慢打開(kāi)，壓力逐漸上升，冷卻階段時(shí)間較長(zhǎng)，其作用與退火一樣重要，直接影響硅錠的性能。太陽(yáng)電池多晶硅錠是一種柱狀晶，晶體生長(zhǎng)方向垂直向上，是通過(guò)定向凝固（也稱可控凝固、約束凝固）過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)的，即在結(jié)晶過(guò)程中，通過(guò)控制溫度場(chǎng)的變化，形成單方向熱流(生長(zhǎng)方向與熱流方向相反），并要求液固界面處的溫度梯度大于0，橫向則要求無(wú)溫度梯度，從而形成定向生長(zhǎng)的柱狀晶。鑄錠車(chē)間常見(jiàn)事項(xiàng)1、在熔化和長(zhǎng)晶階段會(huì)出現(xiàn)熔化、中間長(zhǎng)晶和邊部長(zhǎng)晶三次報(bào)警。在鑄錠循環(huán)過(guò)程中，這兩個(gè)階段需密切關(guān)注。2、當(dāng)爐內(nèi)壓力低于980mbar時(shí)，需要對(duì)爐子進(jìn)行充氣?；靥畈僮鲿r(shí)爐內(nèi)壓力大于這一數(shù)值時(shí)沒(méi)有自動(dòng)停止，需自動(dòng)停止。3、鑄錠過(guò)程中根據(jù)爐內(nèi)出現(xiàn)不同情況手動(dòng)調(diào)整，如適當(dāng)延長(zhǎng)長(zhǎng)晶時(shí)間等。注意爐內(nèi)的水電、氣壓。五、硅錠的檢測(cè),典型的電阻率分布呈現(xiàn)出上述的變化趨勢(shì)，尾高頭低。主要是因?yàn)樗砑拥哪负辖鸬姆帜禂?shù)造成的，檢測(cè)硅錠中的電阻率是否出現(xiàn)異常。正常情況下的硅錠紅外檢測(cè)結(jié)果不會(huì)出現(xiàn)下圖紅域標(biāo)識(shí)的，造成此現(xiàn)象的原因可能為熱場(chǎng)不穩(wěn)定或硅料雜質(zhì)比較多造成的。北京新款電池片

深圳市銘豐慶五金制品有限公司屬于五金、工具的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù)，是一家有限責(zé)任公司企業(yè)。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具有五金沖壓，精密彈簧，精密五金模具，眼鏡配件等多項(xiàng)業(yè)務(wù)。銘豐慶五金制品自成立以來(lái)，一直堅(jiān)持走正規(guī)化、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持。