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青海品質(zhì)模塊

來源: 發(fā)布時間:2023-04-03

    分兩種情況:②若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。②若柵-射極電壓UGE>Uth,柵極溝道形成,IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)(正常工作)。此時,空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減少N基區(qū)電阻RN的值,使IGBT通態(tài)壓降降低。IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過去幾十年的發(fā)展,1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO,該時段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很?。浑娏骺刂?,控制電路復(fù)雜且功耗大;1970年代單極型器件VD-MOSFET。但隨著終端應(yīng)用的需求,需要一種新功率器件能同時滿足:驅(qū)動電路簡單,以降低成本與開關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低,以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來的研究,導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明。1985年前后美國GE成功試制工業(yè)樣品(可惜后來放棄)。自此以后,IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進(jìn)。從結(jié)構(gòu)上講,IGBT主要有三個發(fā)展方向:1)IGBT縱向結(jié)構(gòu):非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場截止型;2)IGBT柵極結(jié)構(gòu):平面柵機構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu);3)硅片加工工藝:外延生長技術(shù)、區(qū)熔硅單晶;其發(fā)展趨勢是:①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗=通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開關(guān)損耗(EoffEon)。IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。青海品質(zhì)模塊

體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機械設(shè)計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長足發(fā)展。

普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道,晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)〔圖2(a)〕,相當(dāng)于一個二極管,G為正極、K為負(fù)極,所以,按照測試二極管的方法,找出三個極中的兩個極,測它的正、反向電阻,電阻小時,萬用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關(guān)S,按一下按鈕開關(guān)SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的??煽毓枘K造價信息 河北模塊供應(yīng)商減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。

    所述壓緊件包括連接部和具有彈性的壓緊部,所述連接部一端與所述壓緊部相連,另一端與所述安裝板相連,所述壓緊部抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè),將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上??蛇x的,所述連接部包括連接板、以及設(shè)置在所述連接板一側(cè)的凸起;所述安裝板的上側(cè)設(shè)置有擋板和卡槽,所述擋板豎向設(shè)置且所述擋板上開設(shè)有連接孔或凹槽,所述卡槽位于所述擋板靠近所述igbt單管的一側(cè);所述連接板的下端插接在所述卡槽內(nèi),所述連接板側(cè)部的凸起位于在所述連接孔或凹槽內(nèi)??蛇x的,所述壓緊部與所述連接板的上端相連,且所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端朝背離所述擋板的一側(cè)斜向下延伸??蛇x的,所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接部的一端設(shè)置有工裝槽。可選的,所述igbt單管的數(shù)量為一個以上,各所述igbt單管成排設(shè)置在所述安裝板上??蛇x的,所述壓緊件的數(shù)量與所述igbt單管的排數(shù)相等,每個所述壓緊件將其中一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板上??蛇x的,所述壓緊件的連接板呈長條狀,所述壓緊件包括一個以上的所述壓緊部,各所述壓緊部沿所述連接板的長度方向依次連接在所述連接板的上端??蛇x的,所述安裝板為水冷板。本實用新型的實施例提供的igbt模塊。

    包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管,所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。這樣,在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時,只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件,然后將所述igbt單管放置到安裝位上后,再松開所述壓緊件即可實現(xiàn)所述igbt單管的固定。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法,**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時間,并且減少了總裝的零件數(shù)量,提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率,還降低了因螺釘松動而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險。附圖說明為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖**是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的一種igbt模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為圖1中的igbt模塊的局部示意圖;圖3為本實用新型實施例提供的其中一種壓緊件的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為圖1中的igbt模塊去掉igbt單管后的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖對本實用新型實施例進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確。有的外殼里只有一顆IGBT芯片,有的可能會十幾顆,二十幾顆芯片。

    5ms)l瞬時耐壓10kVl工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%6)短路保護放電回路緊急情況下快速放電,保證緊急情況時快速使設(shè)備處于安全電位。l回路耐壓DC10kVl放電電流10kA(5ms)l工作溫度室溫~40℃;l工作濕度<70%7)正常放電回路用于設(shè)備正常關(guān)機時放電,使設(shè)備處于安全電位。l回路耐壓10kVl放電電流50Al工作溫度室溫~40℃;l工作濕度<70%8)高壓大功率開關(guān)l電流能力200Al隔離耐壓10kVl響應(yīng)時間150msl脈沖電流20kA(不小于10ms)l工作方式氣動控制l工作氣壓l工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%9)尖峰抑制電容用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。l電容容量200μFl分布電感小于10nHl脈沖電流200Al工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%11)動態(tài)測試?yán)m(xù)流二極管用于防止測試過程中的過電壓。l壓降小于1Vl浪涌電流大于20kAl反向恢復(fù)時間小于2μsl工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%12)安全工作區(qū)測試?yán)m(xù)流二極管l浪涌電流大于20kAl反向恢復(fù)時間小于2μSl工作溫度室溫~40℃l工作濕度<70%13)被測器件旁路開關(guān)被測安全接地開關(guān),設(shè)備不運行時,被測接地。要弄明白IGBT模塊,就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)。黑龍江模塊銷售價格

封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。青海品質(zhì)模塊

    所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。本實用新型實施例提供一種igbt模塊,能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。如圖1所示,本實用新型提供的一種igbt模塊,包括安裝板1、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2,所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3,所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實施例,在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時,只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件,然后將所述igbt單管放置到安裝位上后,再松開所述壓緊件即可實現(xiàn)所述igbt單管的固定。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法,**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時間,并且減少了總裝的零件數(shù)量,提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率,還降低了因螺釘松動而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險。如圖1和圖2所示,可選的,所述壓緊件3包括連接部31和具有彈性的壓緊部32,所述連接部31一端與所述壓緊部32相連,另一端與所述安裝板1相連,所述壓緊部3抵設(shè)在所述igbt單管2的上側(cè),將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實施例,在使用所述壓緊件時。青海品質(zhì)模塊

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