磁控濺射鍍膜（MSP）是一種先進(jìn)的表面裝飾鍍膜技術(shù)，膜材做成陰極圓柱磁控旋轉(zhuǎn)靶置于鍍膜室**，通入工作氣體，在電壓（直流或脈沖）作用下產(chǎn)生真空輝光放電，360℃方向輻射鍍膜。靶材利用率高，工作溫度低，可用于金屬或非金屬（塑料、玻璃、陶瓷等）工件鍍制鋁、銅、鉻、鎳、鈦、金、銀以及不銹鋼等薄膜，通入反應(yīng)氣體可鍍多種化合物膜，鍍膜層具有均勻、致密、附著力強(qiáng)、繞射性好等特點(diǎn)，***用于家用電器、鐘表、工藝美術(shù)、玩具、車(chē)燈反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜。江蘇磁控濺射哪家強(qiáng)

磁控濺射設(shè)備的主要用途 （1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。 （2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機(jī)外殼，鼠標(biāo)等。 （3） 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機(jī) （4）化學(xué)氣相沉積（CVD）生長(zhǎng)困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。 （5） 在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃目前廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽(yáng)能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。 （6）在機(jī)械加工行業(yè)中，表面功能膜、超硬膜，自潤(rùn)滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)得到長(zhǎng)足發(fā)展，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命黑龍江磁控濺射報(bào)價(jià)

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來(lái)產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽(yáng)極，真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱(chēng)交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。

采用磁控濺射鍍膜方法，由于沉積電流和靶電壓可以控制，也即是濺射功率可以調(diào)節(jié)并控制，因此膜厚的可控性和重復(fù)性較好，并且可在較大表面上獲得厚度均勻的膜層。 濺射原子能量比蒸發(fā)原子能量高1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。高能量的濺射原子沉積在基片上進(jìn)行的能量轉(zhuǎn)換比蒸發(fā)原子高得多，產(chǎn)生較高的熱能，部分高能量的濺射原子產(chǎn)生不同程度的注入現(xiàn)象，在基片上形成一層濺射原子與基片原了相互溶合的偽擴(kuò)散層，而且，在成膜過(guò)程中基片始終在等離子區(qū)中被清洗和***，***了附著力不強(qiáng)的濺射原子，凈化且***基片表面，增強(qiáng)了濺射原子與基片的附著力，因而濺射鋁膜與基片的附著力較高。

電子束蒸發(fā)和磁控濺射制Al膜是半導(dǎo)體器件電極制備生產(chǎn)中常用的兩種方法，通過(guò)理論與實(shí)驗(yàn)分析，并對(duì)樣品進(jìn)行了膜厚、附著力、致密性，電導(dǎo)率、折射率等指標(biāo)的綜合測(cè)試，實(shí)驗(yàn)表明：電子束蒸發(fā)制得的Al薄膜厚度的可控性和重復(fù)性較差及分散度較大鋁薄膜與Si基片的附著力較小;鋁薄膜的晶粒雖小，但很疏松，導(dǎo)致其致密性較差;鋁膜的電導(dǎo)率、折射率較塊狀鋁材小得多。而磁控濺射制得的鋁膜的性能指標(biāo)則比電子束蒸發(fā)的指標(biāo)優(yōu)越。實(shí)踐證明，磁控濺射方法制備的鋁薄膜的綜合性能優(yōu)于電子束蒸發(fā)，所以在生產(chǎn)實(shí)踐中絕大多數(shù)采用磁控濺射沉積半導(dǎo)體電極材料，這也是半導(dǎo)體行業(yè)中薄膜行業(yè)的發(fā)展方向。浙江磁控濺射規(guī)格齊全

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為了解決陰極濺射的缺點(diǎn)，人們?cè)?0世紀(jì)70年***發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點(diǎn)，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。 其原理是：在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時(shí)，經(jīng)過(guò)多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過(guò)熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點(diǎn)。該方法的缺點(diǎn)是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場(chǎng)會(huì)使靶材產(chǎn)生***的不均勻刻蝕，導(dǎo)致靶材利用率低，一般*為20%-30%。江蘇磁控濺射哪家強(qiáng)

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