指接觸放電ESD容限，即通過(guò)與受保護(hù)器件直接接觸放電。ESD容限是根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法和ESD波形測(cè)量的。規(guī)定的VESD值是測(cè)試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測(cè)器件（EUT）與放電槍之間通過(guò)空氣層放電。IEC 61000-4-2規(guī)定了試驗(yàn)方法和ESD波形。PPK是ESD保護(hù)二極管本身?yè)p壞之前可以分流的比較大浪涌功率。圖6.1顯示使用8／20μs脈沖波形測(cè)量的峰值脈沖功率。(8／20μs表示波形上升到100%需要8μs，從100%下降到50%需要20μs。)ESD靜電保護(hù)管的安全性是非常高的。它采用了多種保護(hù)措施，可以有效防止靜電放電對(duì)電子元器件造成的損害。安徽常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL怎么樣

      ESD保護(hù)二極管總電容（C(T)）相對(duì)于受保護(hù)信號(hào)線的頻率是否足夠低：圖3.3顯示ESD保護(hù)二極管的等效電路。二極管在正常工作期間不導(dǎo)通。此時(shí)，pn結(jié)交界面形成耗盡層，如圖3.3所示。耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護(hù)信號(hào)線頻率的基礎(chǔ)上，正確選擇ESD保護(hù)二極管，否則信號(hào)質(zhì)量會(huì)下降。圖3.4顯示了總電容（C(T)）分別為5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保護(hù)二極管插入損耗特性。電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負(fù)值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當(dāng)于5GHz的頻率）的情況下，電容?。?.1pF至0.3pF）的ESD保護(hù)二極管插入損耗小，幾乎不會(huì)影響二極管傳輸?shù)男盘?hào)，而5pF電容的ESD保護(hù)二極管插入損耗大，通過(guò)二極管的信號(hào)明顯衰減。浙江星河微/SReleicsESD保護(hù)二極管在高速信號(hào)傳輸線路中，如 USB 接口ESD 保護(hù)二極管可以防止靜電放電產(chǎn)生的電磁干擾對(duì)信號(hào)的影響。

      SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個(gè)型號(hào)的區(qū)別主要在于電壓等級(jí)的不同。同時(shí)，它們都具有低電容和快速響應(yīng)速度的特點(diǎn)，能夠有效保護(hù)電子設(shè)備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護(hù)二極管時(shí)，需要根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)選擇合適的型號(hào)，以達(dá)到保護(hù)效果。在使用ESD保護(hù)二極管時(shí)，還需要注意以下幾點(diǎn)：正確安裝：ESD保護(hù)二極管應(yīng)正確安裝在需要保護(hù)的信號(hào)線上，以確保其能夠有效地工作。合理布局：在電路設(shè)計(jì)中，應(yīng)合理布局ESD保護(hù)二極管，以避免信號(hào)線之間的干擾。

       保護(hù)二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護(hù)二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護(hù)二極管專(zhuān)門(mén)用于保護(hù)電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導(dǎo)通。保護(hù)二極管用作浪涌保護(hù)電壓鉗。這類(lèi)二極管在電路施加電壓過(guò)大時(shí)導(dǎo)通。當(dāng)小電流（IZ）從陰極（K）流到陽(yáng)極（A）時(shí)，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（VZ）?？捎霉β适芏O管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。ESD保護(hù)二極管插在信號(hào)線與GND之間，保護(hù)受保護(hù)器件（DUP）免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下（即沒(méi)有ESD浪涌情況），除極少量電流（IR）流過(guò)二極管使其反向擊穿電壓（VBR）高于信號(hào)線電壓之外，幾乎沒(méi)有電流流過(guò)ESD保護(hù)二極管。當(dāng)高于反向擊穿電壓 （VBR）的浪涌電壓進(jìn)入信號(hào)線時(shí)，ESD保護(hù)二極管將大量電流分流到GND，從而抑制浪涌電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。ESD二極管可以有效保護(hù)USB、HDMI、Ethernet接口，防止靜電放電造成的電壓瞬變對(duì)內(nèi)部電路的破壞。

       低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積  小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管2，然后反向流過(guò)二極管3，因?yàn)槎O管3的VBR低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5（a）所示時(shí)，ESD電流不會(huì)反向流過(guò)二極管1和二極管2。因此，這個(gè)電路整體上提高了ESD抗擾度。圖3.5（b）顯示這個(gè)ESD保護(hù)二極管的等效電容電路。低電容二極管2和高電容二極管3串聯(lián)，可以減小組合電容。此外，由于該電路VBR由二極管3的VBR決定，因此可以根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)線調(diào)整二極管3的VBR，從而提高ESD抗擾度。溫度循環(huán)測(cè)試：評(píng)估二極管在不同溫度下的性能穩(wěn)定性。安徽防靜電ESD保護(hù)二極管SR12D3BL怎么樣

采用高壓抑制器件，可以很好地抑制靜電放電的高壓脈沖。安徽常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL怎么樣

       當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí)，耗盡層延伸穿過(guò)pn結(jié)。電場(chǎng)造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價(jià)帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價(jià)帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。當(dāng)pn反向偏置時(shí)，少量電子通過(guò)pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場(chǎng)加速，獲得較大動(dòng)能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致電子進(jìn)一步脫離的過(guò)程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。安徽常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL怎么樣