反向擊穿電壓是ESD保護(hù)二極管在規(guī)定條件下（通常定義為1mA，盡管因器件而異）開(kāi)始傳導(dǎo)規(guī)定量電流時(shí)的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數(shù)。VBR定義為ESD保護(hù)二極管導(dǎo)通電壓。反向電流是ESD保護(hù)二極管在規(guī)定電壓下反向偏置時(shí)，反向流動(dòng)的漏電流。對(duì)于ESD保護(hù)二極管，IR按工作峰值反向電壓（VRWM）定義。鉗位電壓是ESD保護(hù)二極管指定峰值脈沖電流條件下比較大鉗制電壓。VC通常在多個(gè)峰值脈沖電流點(diǎn)測(cè)量。如第6節(jié)（圖6.1）所示，峰值脈沖電流使用8／20μs波形。動(dòng)態(tài)電阻和鉗位電壓**ESD保護(hù)二極管的ESD性能。根據(jù)客戶(hù)的需求和設(shè)備的特點(diǎn)，可以設(shè)計(jì)合適的ESD靜電保護(hù)二極管的應(yīng)用方案。杭州靜電ESD保護(hù)二極管SR08D3BL型號(hào)售價(jià)

       指接觸放電ESD容限，即通過(guò)與受保護(hù)器件直接接觸放電。ESD容限是根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法和ESD波形測(cè)量的。規(guī)定的VESD值是測(cè)試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測(cè)器件（EUT）與放電槍之間通過(guò)空氣層放電。IEC 61000-4-2規(guī)定了試驗(yàn)方法和ESD波形。PPK是ESD保護(hù)二極管本身?yè)p壞之前可以分流的比較大浪涌功率。圖6.1顯示使用8／20μs脈沖波形測(cè)量的峰值脈沖功率。(8／20μs表示波形上升到100%需要8μs，從100%下降到50%需要20μs。)合肥防靜電ESD保護(hù)二極管SR12D3BL怎么樣高可靠性：ESD靜電保護(hù)管采用了多種材料和工藝，可以有效地提高產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

    應(yīng)用場(chǎng)景SR15D3BL和SR18D3BL廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。它們可以用于保護(hù)電路中的各種元器件，如芯片、傳感器、電容器等，有效地保護(hù)電路免受ESD事件的影響，提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。結(jié)論綜上所述，SR15D3BL和SR18D3BL是兩種常見(jiàn)的ESD保護(hù)二極管，具有響應(yīng)速度快、低電容和低電感、良好的ESD保護(hù)效果等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)具體的需求選擇合適的型號(hào)，以確保電子設(shè)備的正常運(yùn)行和穩(wěn)定性。

      ESD（Electrostatic Discharge，靜電放電）保護(hù)二極管***適用于各種需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。以下是一些主要的應(yīng)用場(chǎng)合：集成電路（IC）和半導(dǎo)體器件：在IC制造、封裝、測(cè)試以及**終產(chǎn)品組裝過(guò)程中，ESD保護(hù)二極管能夠保護(hù)脆弱的芯片不受靜電沖擊。特別是針對(duì)高集成度、低功耗和高速的IC，ESD保護(hù)二極管的作用尤為重要。消費(fèi)電子設(shè)備：包括智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、相機(jī)、耳機(jī)等，這些設(shè)備在日常使用中容易遭受靜電放電的影響。電源端口：電源端口是靜電放電的常見(jiàn)入口，ESD保護(hù)二極管在這里發(fā)揮著重要作用。

       工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備和汽車(chē)電子：在這些領(lǐng)域中，傳感器廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備和系統(tǒng)中，其接口暴露在外界環(huán)境中，容易受到靜電放電的影響。使用ESD保護(hù)二極管可以保護(hù)這些傳感器接口，確保傳感器能夠在惡劣環(huán)境中可靠工作。例如，在觸摸屏設(shè)備中，ESD保護(hù)二極管可以保護(hù)觸摸控制器免受靜電放電的損害，保證觸摸屏的正常功能。消費(fèi)電子設(shè)備：現(xiàn)代消費(fèi)電子設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦、智能手表等，集成了大量的精密電子元件。這些設(shè)備的接口和按鍵區(qū)域很容易受到靜電放電的侵害。使用ESD保護(hù)二極管能夠有效防止靜電放電對(duì)設(shè)備內(nèi)部電路的損壞，延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命，提高用戶(hù)體驗(yàn)。采用高壓抑制器件，可以很好地抑制靜電放電的高壓脈沖。江蘇新電 ESD保護(hù)二極管源頭工廠

瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）：能夠在極短的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通，吸收高能量的靜電脈沖。杭州靜電ESD保護(hù)二極管SR08D3BL型號(hào)售價(jià)

       低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積  小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管2，然后反向流過(guò)二極管3，因?yàn)槎O管3的VBR低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5（a）所示時(shí)，ESD電流不會(huì)反向流過(guò)二極管1和二極管2。因此，這個(gè)電路整體上提高了ESD抗擾度。圖3.5（b）顯示這個(gè)ESD保護(hù)二極管的等效電容電路。低電容二極管2和高電容二極管3串聯(lián)，可以減小組合電容。此外，由于該電路VBR由二極管3的VBR決定，因此可以根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)線(xiàn)調(diào)整二極管3的VBR，從而提高ESD抗擾度。杭州靜電ESD保護(hù)二極管SR08D3BL型號(hào)售價(jià)