保護二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護二極管專門用于保護電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導通。保護二極管用作浪涌保護電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時導通。當小電流（IZ）從陰極（K）流到陽極（A）時，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（VZ）?？捎霉β适芏O管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。ESD保護二極管插在信號線與GND之間，保護受保護器件（DUP）免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下（即沒有ESD浪涌情況），除極少量電流（IR）流過二極管使其反向擊穿電壓（VBR）高于信號線電壓之外，幾乎沒有電流流過ESD保護二極管。當高于反向擊穿電壓 （VBR）的浪涌電壓進入信號線時，ESD保護二極管將大量電流分流到GND，從而抑制浪涌電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。采用多級保護電路，可以有效地提高保護效果。廣東常規(guī)ESD保護二極管SR08D3BL型號價格

       高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（Eg）寬度減小，從而產(chǎn)生齊納效應。此外，隨著溫度升高，半導體晶格振動增加，載流子遷移率相應下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意，即使同一產(chǎn)品系列的二極管，溫度特性也不一樣。廣東標準ESD保護二極管SR12D3BL多少錢SRV05-4：可用于 VGA 模擬視頻輸出接口的靜電保護。

       工業(yè)自動化、醫(yī)療設備和汽車電子：在這些領域中，傳感器廣泛應用于各種設備和系統(tǒng)中，其接口暴露在外界環(huán)境中，容易受到靜電放電的影響。使用ESD保護二極管可以保護這些傳感器接口，確保傳感器能夠在惡劣環(huán)境中可靠工作。例如，在觸摸屏設備中，ESD保護二極管可以保護觸摸控制器免受靜電放電的損害，保證觸摸屏的正常功能。消費電子設備：現(xiàn)代消費電子設備，如智能手機、平板電腦、智能手表等，集成了大量的精密電子元件。這些設備的接口和按鍵區(qū)域很容易受到靜電放電的侵害。使用ESD保護二極管能夠有效防止靜電放電對設備內(nèi)部電路的損壞，延長設備的使用壽命，提高用戶體驗。

       信號極性（即信號電壓是否像模擬信號一樣跨GND電位）考慮到要保護的信號線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動的未調(diào)制數(shù)字信號（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負的無偏壓模擬信號。雙向ESD保護二極管可用于高于和低于GND范圍的信號，如下圖所示。（單向和雙向二極管均可用于電壓*為正或*為負的信號。)當靜電放電（ESD）進入系統(tǒng)時，ESD保護二極管要么導通，要么反向擊穿。單向ESD保護二極管通過正ESD電擊時反向擊穿，負ESD電擊時導通吸收ESD能量。防止ESD脈沖損壞被保護器件（DUP）ESD 保護二極管可以在靜電放電瞬間迅速導通，將靜電電流引導到地，從而保護電子設備中的敏感元件。

       隨著電子技術的不斷發(fā)展，對ESD保護二極管的要求也越來越高。未來的ESD保護二極管將朝著更高性能、更小體積、更低寄生電容的方向發(fā)展。同時，隨著新材料和新工藝的應用，ESD保護二極管的性能將得到進一步提升，為電子設備的安全運行提供更加可靠的保障。ESD保護二極管在以下情況下使用比較合適：數(shù)據(jù)傳輸接口：如USB、HDMI、Ethernet和Serial等接口，常暴露在外部環(huán)境中，易受到靜電放電的影響。ESD保護二極管可以有效保護這些接口，防止靜電放電造成的電壓瞬變對內(nèi)部電路的破壞。SR15D3BL和SR18D3BL的電容和電感非常低，可減少電路的噪聲和干擾，提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。深圳星河微/SReleicsESD保護二極管SR08D3BL型號多少錢

電子設備的電源電壓出現(xiàn)異常升高或受到外部浪涌電壓的沖擊，ESD 保護二極管可以在一定程度上限制電壓上升。廣東常規(guī)ESD保護二極管SR08D3BL型號價格

        電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容?。?.1pF至0.3pF）的ESD保護二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸?shù)男盘?，?pF電容的ESD保護二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時，二極管因pn結(jié)（p:p型半導體，n:n型半導體）形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結(jié)面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但任何一種方式都會導致ESD抗擾度下降。當兩個二極管串聯(lián)時，它們的組合電容減小。此外，二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容（Ct）ESD保護二極管采用ESD二極管陣列工藝（EAP）制造，多個二極管組合在一起減小電容，不影響ESD抗擾度。廣東常規(guī)ESD保護二極管SR08D3BL型號價格