當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí)，耗盡層延伸穿過(guò)pn結(jié)。電場(chǎng)造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價(jià)帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價(jià)帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。當(dāng)pn反向偏置時(shí)，少量電子通過(guò)pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場(chǎng)加速，獲得較大動(dòng)能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致電子進(jìn)一步脫離的過(guò)程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。ESD保護(hù)二極管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件，它們通過(guò)快速響應(yīng)和導(dǎo)通。常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR24D3BL型號(hào)近期價(jià)格

      ***比較大額定值指任何條件下，即使瞬間也不得超過(guò)的比較高值。如果施加的應(yīng)力超過(guò)規(guī)定的額定值，器件可能會(huì)長(zhǎng)久損壞。不得超過(guò)任何***比較大額定值。因此，應(yīng)注意電源電壓波動(dòng)、電子器件電氣特性變化、電路調(diào)整過(guò)程中應(yīng)力可能高于比較大額定值、環(huán)境溫度變化、輸入信號(hào)波動(dòng)等情況。應(yīng)考慮的主要額定值包括ESD保護(hù)二極管的ESD容限、峰值脈沖功率、結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度。這些參數(shù)相互關(guān)聯(lián)，不能單獨(dú)考慮。它們還取決于外部電路條件。盡管***比較大額定值通常規(guī)定的環(huán)境溫度（Ta）為25°C，但有些規(guī)定參數(shù)溫度條件不同。廣東標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL型號(hào)價(jià)格ESD 保護(hù)二極管可以在靜電放電瞬間迅速導(dǎo)通，將靜電電流引導(dǎo)到地，從而保護(hù)電子設(shè)備中的敏感元件。

       信號(hào)極性（即信號(hào)電壓是否像模擬信號(hào)一樣跨GND電位）考慮到要保護(hù)的信號(hào)線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護(hù)二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動(dòng)的未調(diào)制數(shù)字信號(hào)（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負(fù)的無(wú)偏壓模擬信號(hào)。雙向ESD保護(hù)二極管可用于高于和低于GND范圍的信號(hào)，如下圖所示。（單向和雙向二極管均可用于電壓*為正或*為負(fù)的信號(hào)。)當(dāng)靜電放電（ESD）進(jìn)入系統(tǒng)時(shí)，ESD保護(hù)二極管要么導(dǎo)通，要么反向擊穿。單向ESD保護(hù)二極管通過(guò)正ESD電擊時(shí)反向擊穿，負(fù)ESD電擊時(shí)導(dǎo)通吸收ESD能量。防止ESD脈沖損壞被保護(hù)器件（DUP）

      ESD保護(hù)二極管是一種基于PN結(jié)的半導(dǎo)體器件，其工作原理是在正常工作條件下呈現(xiàn)高阻抗?fàn)顟B(tài)，而在靜電放電事件中，能夠迅速導(dǎo)通并將電荷釋放到地線，從而保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電的損害。當(dāng)外部接口電壓超過(guò)ESD二極管的擊穿電壓時(shí)，二極管開(kāi)始起作用，將電流分流到地，防止電壓超過(guò)內(nèi)部電路的承受能力。ESD保護(hù)二極管具有快速響應(yīng)能力，能夠在極短的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通并釋放靜電能量。由于其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和工作原理，ESD保護(hù)二極管能夠提供可靠的保護(hù)，防止電子設(shè)備因靜電放電而受損。電子設(shè)備的電源電壓出現(xiàn)異常升高或受到外部浪涌電壓的沖擊，ESD 保護(hù)二極管可以在一定程度上限制電壓上升。

      ESD（Electrostatic Discharge，靜電放電）保護(hù)二極管***適用于各種需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。以下是一些主要的應(yīng)用場(chǎng)合：集成電路（IC）和半導(dǎo)體器件：在IC制造、封裝、測(cè)試以及**終產(chǎn)品組裝過(guò)程中，ESD保護(hù)二極管能夠保護(hù)脆弱的芯片不受靜電沖擊。特別是針對(duì)高集成度、低功耗和高速的IC，ESD保護(hù)二極管的作用尤為重要。消費(fèi)電子設(shè)備：包括智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、相機(jī)、耳機(jī)等，這些設(shè)備在日常使用中容易遭受靜電放電的影響。壽命測(cè)試：確保二極管在長(zhǎng)期使用中保持穩(wěn)定的性能。常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR08D3BL報(bào)價(jià)

ESD保護(hù)二極管的工作原理基于PN結(jié)的特性。常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR24D3BL型號(hào)近期價(jià)格

      反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí)，耗盡層延伸穿過(guò)pn結(jié)。電場(chǎng)造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價(jià)帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價(jià)帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。齊納擊穿如圖1.3所示。當(dāng)pn反向偏置時(shí)，少量電子通過(guò)pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場(chǎng)加速，獲得較大動(dòng)能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致電子進(jìn)一步脫離的過(guò)程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR24D3BL型號(hào)近期價(jià)格