作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？本文將討論如何通過(guò)四步來(lái)選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到 總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，需要注意正確連接其源極、柵極和漏極，以確保其正常工作。中山增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們?cè)倏紤]了，一般大于1A電流會(huì)考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動(dòng)能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān)，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動(dòng)可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動(dòng)走線不是直線，感量可能會(huì)更大,并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。東莞金屬場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家JFET具有電路簡(jiǎn)單、工作穩(wěn)定的特點(diǎn)，適合于低頻放大器設(shè)計(jì)。

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從source通過(guò)channel流到drain，總的來(lái)說(shuō)，只有在gate 對(duì)source電壓V 超過(guò)閾值電壓Vt時(shí)，才會(huì)有drain電流。在對(duì)稱的MOS管中，對(duì)source和drain的標(biāo)注有一點(diǎn)任意性，定義上，載流子流出source，流入drain，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來(lái)決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色，這種情況下，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source。

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體，MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。MOS電容的特性能被用來(lái)形成MOS管，Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source，另一個(gè)稱為drain，假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓，只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會(huì)形成channel。場(chǎng)效應(yīng)管具有高頻響應(yīng)特性，適用于高頻、高速電路，如雷達(dá)、衛(wèi)星通信等。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)速度快，適用于需要快速響應(yīng)的電路系統(tǒng)中。徐州場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用，如變頻器、逆變器等，提高電能轉(zhuǎn)換效率。中山增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格

雪崩失效分析（電壓失效），底什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過(guò)其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見(jiàn)的失效模式。下面的圖片為雪崩測(cè)試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡(jiǎn)單了解下?？赡芪覀兘?jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對(duì)我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析，大多數(shù)廠家都光給一個(gè)EAS.EOS之類的結(jié)論，那么到底我們?cè)趺磪^(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試失效的器件圖，我們可以進(jìn)行對(duì)比從而確定是否是雪崩失效。中山增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格