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來源: 發(fā)布時間:2023-05-08

此外,失效電阻表面還存在少量的乙酸根離子(CH3COO-),由于工藝生產中引入的有機弱酸減小了溶液的pH、提高了溶液的導電率,促進了金屬陽極的溶解過程,加大金屬陽離子的濃度而提升枝晶的生長速率,造成了電阻的短路失效。從表1離子色譜結果可以得出原工藝中生產使用的SnPb焊料存在較高的氯離子(Cl-),說明SnPb焊料中的助焊劑中存在較高的氯離子,加速了電阻表面發(fā)生焊料的電化學遷移。參考國際電子工業(yè)聯接協會標準表面絕緣電阻手冊IPC-TM-6502.3.28.2[4],“/”表示未檢出,其含量低于方法檢出限,方法檢出限為0.003mg/cm2。操作方便:充分考慮實驗室應用場景,方便工程師實施工作。湖南國內電阻測試歡迎選購

電阻測試

PCB/PCBA絕緣失效失效機理絕緣電阻是表征PCB絕緣性能的一個簡單而且容易測量的指標,絕緣失效是指絕緣電阻減小。一般,影響絕緣電阻的因素有溫度、濕度、電場強度以及樣品處理等。絕緣失效通??赡馨l(fā)生在PCB表面或者內部,前者多見于電化學遷移(ECM)或化學腐蝕,后者則多見于導電陽極絲(CAF)。1、電化學遷移(ECM)電化學遷移是在直流電壓的影響下發(fā)生的離子運動。在潮濕條件下,金屬離子會在陽極形成,并向陰極遷移(見圖6.1),形成枝晶。當枝晶連接兩種導體時,便造成了短路,而且枝晶會因電流驟增而發(fā)生熔斷。1、電化學遷移(ECM)電化學遷移是在直流電壓的影響下發(fā)生的離子運動。在潮濕條件下,金屬離子會在陽極形成,并向陰極遷移(見圖6.1),形成枝晶。當枝晶連接兩種導體時,便造成了短路,而且枝晶會因電流驟增而發(fā)生熔斷。2、導電陽極絲(CAF)目前公認的CAF成因是銅離子的電化學遷移隨著銅鹽的沉積。在高溫高濕條件下,PCB內部的樹脂和玻纖之間的附力劣化,促成玻纖表面的硅烷偶聯劑產生水解,樹脂和玻纖分離并形成可供離子遷移的通道。湖南國內電阻測試歡迎選購維柯多通道導通電阻實時監(jiān)控測試系統(tǒng) GWLR256與冷熱沖擊試驗箱配合使用,用于產品導通(低 阻)性能驗證。

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表面電子組件的電化學遷移的發(fā)生機理取決于四個因素:銅、電壓、濕度和離子種類。當環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時,能夠與表面上的任何離子相互作用,使離子沿著電路板表面移動。離子與銅發(fā)生反應,它們在電壓的作用下,被推動著在銅電路之間遷移。這通常被總結為一系列步驟:水吸附、陽極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長。線路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產生的影響因素:無論是線路板材料和阻焊層、元器件的清潔度,還是制板工藝或組裝工藝產生的任何殘留物(包括助焊劑殘留物)。由于這種失效機制是動態(tài)變化的,理想狀況是對每種設計和裝配都進行測試。但這是不可行的。這就提出了一個問題:如何比較好地描述一個組件的電化學遷移傾向。

電子元器件失效分析項目1、元器件類失效電感、電阻、電容:開裂、破裂、裂紋、參數變化2、器件/模塊失效二極管、三極管、LED燈3、集成電路失效DIP封裝芯片、PGA封裝芯片、SOP/SSOP系列芯片、QFP系列芯片、BGA封裝芯片4、PCB&PCBA焊接失效PCB板面起泡、分層、阻焊膜脫落、發(fā)黑,遷移氧化,腐蝕,開路,短路、CAF短時失效;板面變色,錫面變色,焊盤變色;孔間絕緣性能下降;深孔開裂;爆板等PCBA(ENIG、化鎳沉金、電鍍鎳金、OSP、噴錫板)焊接不良;端子(引腳)上錫不良,表面異物、電遷移、元件脫落等5、DPA分析電阻器/電容器/熱敏電阻器/二極管等電子元器件可靠性驗證服務評估一家PCB板廠是否符合產品的要求,除了成本考量、工藝技術評估之外,有更為重要的PCB基板電氣性能評估。

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可靠性研究的兩大內容就是失效分析和可靠性測試(包括破壞性實驗)。兩者之間是相互影響和相互制約的。電子元器件技術的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現代電子裝備的基礎,元器件可靠性工作的根本任務是提高元器件的可靠性。因此,必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作,通過分析確定失效機理,找出失效原因,反饋給設計、制造和使用,共同研究和實施糾正措施,提高電子元器件的可靠性。電子元器件失效分析的目的是借助各種測試分析技術和分析程序確認電子元器件的失效現象,分辨其失效模式和失效機理,確認結果的失效原因,提出改進設計和制造工藝的建議,防止失效的重復出現,提高元器件可靠性。SIR表面絕緣電阻測試的目的之一:變更回流焊或波峰焊工藝。廣東電阻測試操作

SIR測試對象:PCB軟板、助焊劑、清洗劑 、錫膏、錫渣還原劑。湖南國內電阻測試歡迎選購

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