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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-03-26

另外,對(duì)于一個(gè)典型的工業(yè)用圖象傳感器而言,由于許多場(chǎng)景的拍攝都是在照明條件很差的情況下進(jìn)行的,因此擁有較大的動(dòng)態(tài)范圍將是十分有益的。CMOS圖像傳感器通過(guò)多斜率操作實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo):轉(zhuǎn)換曲線由傾度不同的直線部分所組成,它們共同形成了一個(gè)非線性特征曲線。因此,一幅場(chǎng)景的黑暗部分有可能占據(jù)集成模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換范圍的很大一部分:轉(zhuǎn)換特征曲線在這里**為陡峭,以實(shí)現(xiàn)高靈敏度和對(duì)比度。特征曲線上半部分的平整化將在圖像的明亮部分捕獲幾個(gè)數(shù)量級(jí)的過(guò)度曝光,并以一個(gè)更加細(xì)致的標(biāo)度來(lái)表現(xiàn)它們。采用多斜率的方式來(lái)運(yùn)作LUPA-4000將使高達(dá)90dB的光動(dòng)態(tài)范圍與一個(gè)10位A/D轉(zhuǎn)換范圍相匹配。CIS芯片采用CMOS工藝制造,相比傳統(tǒng)的CCD芯片,具有功耗低、集成度高、成本低等優(yōu)勢(shì)。梁溪區(qū)推廣CIS芯片收費(fèi)

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對(duì)于CIF圖像格式,OV511型可支持高達(dá)30幀/秒的傳輸速率、減少了低帶寬應(yīng)用中通常會(huì)出現(xiàn)的圖像跳動(dòng)現(xiàn)象。OV511型作為高性能的USB接口的控制器,它具有足夠的靈活性,適合包括視頻會(huì)議、視頻電子郵件、計(jì)算機(jī)多媒體和保安監(jiān)控等場(chǎng)合應(yīng)用。3.其他領(lǐng)域應(yīng)用CMOS圖像傳感器是一種多功能傳感器,由于它兼具CCD圖像傳感器的性能,因此可進(jìn)入CCD的應(yīng)用領(lǐng)域,但它又有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),所以開(kāi)拓了許多新的應(yīng)用領(lǐng)域。除了上述介紹的主要應(yīng)用之外,CMOS圖像傳感器還可應(yīng)用于數(shù)字靜態(tài)攝像機(jī)和醫(yī)用小型攝像機(jī)等。例如,心臟外科醫(yī)生可以在患者胸部安裝一個(gè)小“硅眼”,以便在手術(shù)后監(jiān)視手術(shù)效果,CCD就很難實(shí)現(xiàn)這種應(yīng)用。梁溪區(qū)智能CIS芯片工廠直銷(xiāo)CIS芯片的應(yīng)用非常,除了常見(jiàn)的數(shù)字相機(jī)和手機(jī)攝像頭外,應(yīng)用于安防監(jiān)控、醫(yī)療影像、工業(yè)檢測(cè)等領(lǐng)域。

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對(duì)于含有積分功能的像素單元來(lái)說(shuō),此上限由光電子積分單元的容量大小決定:對(duì)于不含積分功能的像素單元,該上限由流過(guò)光電二極管或三極管的最大電流決定。在輸入光信號(hào)飽和時(shí),溢出模糊就發(fā)生了。溢出模糊是由于像素單元的光電子飽和進(jìn)而流出到鄰近的像素單元上。溢出模糊反映到圖像上就是一片特別亮的區(qū)域。這有些類(lèi)似于照片上的曝光過(guò)度。溢出模糊可通過(guò)在像素單元內(nèi)加入自動(dòng)泄放管來(lái)克服,泄放管可以有效地將過(guò)剩電荷排出。但是,這只是限制了溢出,卻不能使象素能真實(shí)還原出圖像了。

2. 暗電流物理器件不可能是理想的,如同亞閾值效應(yīng)一樣,由于雜質(zhì)、受熱等其他原因的影響,即使沒(méi)有光照射到象素,象素單元也會(huì)產(chǎn)生電荷,這些電荷產(chǎn)生了暗電流。暗電流與光照產(chǎn)生的電荷很難進(jìn)行區(qū)分。暗電流在像素陣列各處也不完全相同,它會(huì)導(dǎo)致固定圖形噪聲。對(duì)于含有積分功能的像素單元來(lái)說(shuō),暗電流所造成的固定圖形噪聲與積分時(shí)間成正比。暗電流的產(chǎn)生也是一個(gè)隨機(jī)過(guò)程,它是散彈噪聲的一個(gè)來(lái)源。因此,熱噪聲元件所產(chǎn)生的暗電流大小等于像素單元中的暗電流電子數(shù)的平方根。較高的動(dòng)態(tài)范圍可以保證圖像在亮部和暗部都有較好的細(xì)節(jié)表現(xiàn)。

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CMOS傳感器的圖像采集方式為主動(dòng)式,感光二極管所產(chǎn)生的電荷會(huì)直接由晶體管放大輸出,但CCD傳感器為被動(dòng)式采集,需外加電壓讓每個(gè)象素中的電荷移動(dòng),而此外加電壓通常需要達(dá)到12~18V;因此,CCD傳感器除了在電源管理電路設(shè)計(jì)上的難度更高之外(需外加 power IC),高驅(qū)動(dòng)電壓更使其功耗遠(yuǎn)高于CMOS傳感器的水平。舉例來(lái)說(shuō),OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA),在 30 fps的速度下運(yùn)行,功耗*為40mW;而致力于低功耗CCD傳感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等級(jí)的產(chǎn)品,其功耗卻仍保持在90mW 以上。因此CCD發(fā)熱量比CMOS大,不能長(zhǎng)時(shí)間在陽(yáng)光下工作。這些電壓信號(hào)經(jīng)過(guò)放大和采樣后,通過(guò)信號(hào)處理電路進(jìn)行數(shù)字化處理,生成數(shù)字圖像。濱湖區(qū)定制CIS芯片銷(xiāo)售方法

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當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間的積分單元被采用時(shí),這種類(lèi)型的噪聲就變成了影響圖像信號(hào)質(zhì)量的主要因素,對(duì)于昏暗物體,長(zhǎng)時(shí)間的積分是必要的,并且像素單元電容容量是有限的,于是暗電流電子的積累限制了積分的**長(zhǎng)時(shí)間。為減少暗電流對(duì)圖像信號(hào)的影響,首先可以采取降溫手段。但是,*對(duì)芯片降溫是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,由暗電流產(chǎn)生的固定圖形噪聲不能完全通過(guò)雙采樣克服?,F(xiàn)在采用的有效的方法是從已獲得的圖像信號(hào)中減去參考暗電流信號(hào)。3. 象素的飽和與溢出模糊類(lèi)似于放大器由于線性區(qū)的范圍有限而存在一個(gè)輸入上限,對(duì)于CMOS圖像傳感芯片來(lái)說(shuō),它也有一個(gè)輸入的上限。輸入光信號(hào)若超過(guò)此上限,像素單元將飽和而不能進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。梁溪區(qū)推廣CIS芯片收費(fèi)

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