一般來說,一條蝕刻引線框架的寬度越大則可以匹配的芯片數(shù)量越多,也意味著芯片的生產(chǎn)效率越高,據(jù)悉,現(xiàn)在的引線框架平均可以匹配大約 1000 個(gè)芯片,眾所周知,芯片的發(fā)展正在趨于微小化發(fā)展,而蝕刻引線框架的超薄厚度也是芯片能夠微小化發(fā)展的重要因素,優(yōu)越引線框架正是朝著大寬度、高密度、超薄、高可靠性的方向發(fā)展的,隨著產(chǎn)品指標(biāo)的要求越來越高,優(yōu)越引線框架的制造工藝技術(shù)進(jìn)入瓶頸期,而對(duì)于國(guó)產(chǎn)優(yōu)越引線框架來說,更是困難重重。作為芯片的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件,長(zhǎng)期以來我們市場(chǎng)上的優(yōu)越蝕刻引線框架都是從外商中采購的,如此重要的技術(shù),我們不能夠掌握,豈不是也是一大隱患? 引線框架的引腳是連接芯片到封裝外的電學(xué)通路。寧波鍵盤喇叭網(wǎng)價(jià)格怎么樣
近年來,國(guó)內(nèi)引線框架帶材產(chǎn)業(yè)化水平大幅提高,其中中鋁洛陽銅業(yè)和寧波興業(yè)集團(tuán)已成為重要的生產(chǎn)基地,銅鐵系合金引線框架帶材產(chǎn)量達(dá)到3.5萬噸/年,雖然引線框架材料Cu-Fe-P系(C19400)合金帶材已產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn),但該產(chǎn)品主要應(yīng)用于中低端的接插件及部分低端集成電路中?,F(xiàn)代科技和信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,集成電路向著大規(guī)模及超大規(guī)模方向發(fā)展,要求引線框架材料具有更高更優(yōu)良的性能,其要求銅合金材料強(qiáng)度為550MPa~600MPa、導(dǎo)電率為75%~80%IACS;而要實(shí)現(xiàn)上述性能要求,此類高性能銅合金多為時(shí)效強(qiáng)化型合金,其中國(guó)外研究報(bào)道Cu-Cr-Zr系合金是較理想的銅合金材料;而目前,國(guó)內(nèi)尚無廠家能夠產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)引線框架材料Cu-Cr-Zr系合金。金屬工藝品哪個(gè)牌子好引線框架一直是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中非常重要的基礎(chǔ)材料。
封裝企業(yè)面臨的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)日趨嚴(yán)重,各企業(yè)為了有相對(duì)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),一是通過提高封裝密度以減少材料消耗來實(shí)現(xiàn),二是通過提高生產(chǎn)效率以減少單位產(chǎn)品的固定費(fèi)用,這兩個(gè)方面都要求引線框架配合開發(fā)出高密度(物理概念: 芯片小型化,尺寸減小,引腳等數(shù)量不變甚至增多,則密度變大 – 既單位面積引腳數(shù)增多)及多排框架。因此,對(duì)引線框架的生產(chǎn)企業(yè)必須進(jìn)行技術(shù)提升,開發(fā)出更加精密的沖制模具及大區(qū)域電鍍?cè)O(shè)備及局部電鍍技術(shù)。引線框架的寬度,2011年主流是50~60mm,2012年已使用60~70mm,2013年向70~80mm邁進(jìn)。在2015年前后,引線框架寬度達(dá)到90~100mm。
國(guó)際市場(chǎng)上,引線框架及材料主要由日本、韓國(guó)、德國(guó)供貨,主要有高導(dǎo)電、高的強(qiáng)中 導(dǎo)電、 高的強(qiáng)高導(dǎo)電三大合金系列: 高導(dǎo)電系列的強(qiáng)度為 400MPa-450MPa , 導(dǎo)電率 80%-85%IACS ; 高的強(qiáng)中導(dǎo)電系列的強(qiáng)度達(dá) 450MPa-550MPa ,導(dǎo)電率 55%-65%IACS ;高的強(qiáng)高導(dǎo)電率系列的抗拉 強(qiáng)度在 600Mpa 以上,導(dǎo)電率大于 80%IACS 。 在國(guó)內(nèi), IC 封裝用銅合金引線框架材料與國(guó)外同類產(chǎn)品相比, 生產(chǎn)上存在品種規(guī)格少, 性能不穩(wěn)定, 銅帶成品率在 40% ~ 50%( 國(guó)外在 75% 以上 ) , 產(chǎn)業(yè)化規(guī)模小等一系列問題, 在板 型狀況、殘余內(nèi)應(yīng)力、表面光潔度、邊部毛刺、寬度與厚度公差超差、外觀要求不合格等各 方面的不足。與國(guó)外產(chǎn)品存在較大差距。預(yù)測(cè)在 2006 年半導(dǎo)體材料價(jià)格將持續(xù)上漲及部分 材料有短缺現(xiàn)象, 以上種種現(xiàn)象將對(duì)引線框架市場(chǎng)的發(fā)展起到一定程度的影響。 在中國(guó)市場(chǎng) 上帶領(lǐng)潮流的大多為新興企業(yè),新員工較多,質(zhì)量成本較高。框架材料通常由合金材料制成,封裝技術(shù)決定了封裝材料的使用。
集成電路塑封中引線框架使用要求:良好的導(dǎo)電性能:引線框架在塑封體中起到芯片和外面的連接作用,因此要求它要有良好的導(dǎo)電性。另外,在電路設(shè)計(jì)時(shí),有時(shí)地線通過芯片的隔離墻連到引線框架的基座,這就更要求它有良好的導(dǎo)電性。有的集成電路的工作頻率較高,為減少電容和電感等寄生效應(yīng),對(duì)引線框架的導(dǎo)電性能要求就更高,導(dǎo)電性越高,引線框架產(chǎn)生的阻抗就越小。一般而言,銅材的導(dǎo)電性比鐵鎳材料的導(dǎo)電性要好。如:Fe58%-Ni42%的鐵鎳合金,其電導(dǎo)率為3.0%IACS;摻0.1%Zr的銅材料,其電導(dǎo)率為90%IACS;摻2.3%Fe、0.03%P、0.1%Zn的銅材料,其電導(dǎo)率為65%IACS,因此從上面可以看出,銅材的電導(dǎo)率較好,并且根據(jù)摻雜不同,其電導(dǎo)率有較大的差別。將“吹、擦、吸、刷”的落后清潔手段變?yōu)槎喾矫娑鴱氐椎那逑?,提高精密電子設(shè)備的運(yùn)行質(zhì)量和壽命。寧波冷卻板價(jià)格
引線框架材料在完成成型加工后,要進(jìn)行框架表面處理。寧波鍵盤喇叭網(wǎng)價(jià)格怎么樣
集成電路塑封中引線框架使用要求:良好的熱匹配(即熱膨脹):材料受熱產(chǎn)生膨脹,在封裝體中,引線框架和塑封體的塑封樹脂相接觸,也和芯片間接接觸,因此要求它們有一個(gè)良好的熱匹配。Fe58%-Ni42%的鐵鎳合金,其線膨脹系數(shù)為43×10-7/℃,一般的銅材料引線框架,其線膨脹系數(shù)為(160~180)×10-7/℃,由此可見,鐵鎳材料的膨脹系數(shù)較小,銅材料的膨脹系數(shù)較大。銅質(zhì)引線框架的膨脹系數(shù)和塑封樹脂的膨脹系數(shù)(200×10''7/~C左右)相近,但是和硅芯片的膨脹系數(shù)相差較大,硅的膨脹系數(shù)為26×l0-7/℃。不過,現(xiàn)在采用的樹脂導(dǎo)電膠作為粘片材料,它們的柔韌性強(qiáng),足以吸收芯片和銅材之間所出現(xiàn)的應(yīng)力形變。如果是共晶裝片,那么就不宜采用線膨脹系數(shù)大的鋼材做引線框架了。寧波鍵盤喇叭網(wǎng)價(jià)格怎么樣