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觸發(fā)二極管，觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管，英文名稱為Diode AC switch,簡(jiǎn)寫為DIAC，觸發(fā)二極管實(shí)際上是一種電壓控制元件，一般的它們都有一個(gè)觸發(fā)電壓，當(dāng)兩端電壓低于這個(gè)觸發(fā)電壓的時(shí)候，二極管是開(kāi)路狀態(tài)，當(dāng)電壓達(dá)到觸發(fā)電壓的時(shí)候，二極管瞬間導(dǎo)通，將...

三極管的參數(shù)。三極管主要性能參數(shù)：直流參數(shù)： 1、共射直流電流放大系數(shù)β;2、ICBO是發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流;3、ICEO是基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的穿透電流。交流參數(shù)： 1、共射交流電流放大系數(shù)β;2、特征頻率fT，頻率升高，β降為1時(shí)對(duì)...

江崎二極管，阻尼二極管又稱隧道二極管、穿隧效應(yīng)二極管、穿隧二極管、透納二極管，英文名稱為Tunnel Diode，它是一種可以高速切換的半導(dǎo)體二極管，其切換速度可到達(dá)微波頻率的范圍，其原理是利用量子穿隧效應(yīng)。它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。江崎二...

印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在...

發(fā)光二極管，施加正向偏置，可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見(jiàn)光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當(dāng)LED產(chǎn)生的光是帶寬極窄的同調(diào)光（Coherent Light）時(shí)，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結(jié)，P區(qū)空穴、N區(qū)...

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放，此時(shí)阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管。當(dāng)瀉放電阻過(guò)小，由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電...

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的...

雪崩失效的預(yù)防措施，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來(lái)考慮。具體可以參考以下的方式來(lái)處理。1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取。2：合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及...

1874年，德國(guó)物理學(xué)家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開(kāi)發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個(gè)電極 ，一個(gè)陽(yáng)極和一個(gè)熱式陰極。在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后，...

相信大家在安裝設(shè)備時(shí)都需要使用到三級(jí)管，現(xiàn)在市面上的三極管型號(hào)及分類非常的多樣化，這里小編要為大家分享的是三級(jí)管作用是什么以及三級(jí)管產(chǎn)品的分類有哪些，想要了解的朋友不妨和小編一起來(lái)看看吧！三級(jí)管產(chǎn)品的分類有哪些？1、按照材質(zhì)分可分為：硅管和鍺管。2、按照結(jié)構(gòu)分...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。...

二極管概述，二極管，（英語(yǔ)：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。晶體二極管的主要是PN結(jié)，關(guān)于PN結(jié)首先要了解三個(gè)概念。本征半導(dǎo)體：指不含任何摻雜元素的半導(dǎo)體，如純硅晶片或純鍺晶片。P型半...

晶體二極管分類如下：1、點(diǎn)接觸型二極管，點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造...

三極管具有放大信號(hào)、開(kāi)關(guān)電路和穩(wěn)壓等多種功能，對(duì)電子設(shè)備的正常運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。放大信號(hào)，三極管可以將微弱的輸入信號(hào)放大成較大的輸出信號(hào)。它通過(guò)調(diào)節(jié)輸入電流或電壓的變化，使輸出信號(hào)得以放大。這種放大作用在無(wú)線電、音頻設(shè)備和通信系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。在無(wú)線電...

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當(dāng)vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來(lái)越薄，當(dāng)vDS增加到使VGD...

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒(méi)有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)...

N溝道耗盡型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時(shí)，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生，而增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時(shí)才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管...

早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來(lái)講，晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，...

二極管（Diode）具有單向?qū)щ娦?，即只允許電流沿著一個(gè)方向流動(dòng)，而阻擋反向電流流動(dòng)。二極管是電子電路中較基本的元件之一，普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。單向?qū)ㄐ缘膶?shí)驗(yàn)說(shuō)明：當(dāng)輸入電源電壓Vi比穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓VZ低時(shí)，穩(wěn)壓二極管沒(méi)有擊穿而處于反向截止區(qū)，此時(shí)...

晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相...

溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：vGS對(duì)iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時(shí)，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，...

三極管的種類：1）低頻小功率三極管，特征頻率在3MHz以下，功率小于1W，一般作為小信號(hào)放大用；2）高頻小功率三極管，特征頻率大于3MHz，功率小于1W，主要用于高頻振蕩、放大電路；3）低頻大功率三極管，特征頻率小于3MHz，功率大于1W，低頻大功率三極管品種...

合理的熱設(shè)計(jì)余量，這個(gè)就不多說(shuō)了，各個(gè)企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。無(wú)論...

三極管的參數(shù)。三極管主要性能參數(shù)：直流參數(shù)： 1、共射直流電流放大系數(shù)β;2、ICBO是發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流;3、ICEO是基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的穿透電流。交流參數(shù)： 1、共射交流電流放大系數(shù)β;2、特征頻率fT，頻率升高，β降為1時(shí)對(duì)...

頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱為Frequency doubled diode，對(duì)二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變?nèi)荻?..

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原...

PIN二極管，PIN二極管英文名稱為Pin diode，是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造出來(lái)的一種晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語(yǔ)。當(dāng)其工作頻率超過(guò)100MHz時(shí)，由于少數(shù)載...

下面介紹的是三極管工作原理，一起來(lái)看看吧。三極管有哪三極？1、NPN型三極管的三極：NPN型三極管，由三塊半導(dǎo)體構(gòu)成，其中兩塊N型和一塊P型半導(dǎo)體組成，P型半導(dǎo)體在中間，兩塊N型半導(dǎo)體在兩側(cè)。有一個(gè)箭頭的電極是發(fā)射極e，箭頭朝外的是NPN型三極管。箭頭方向也表...

三極管能夠放大信號(hào)的理解，三極管具有電流放大作用，它是一個(gè)電流控制器件。所謂電流控制器件是指，它用很小的基極電流來(lái)控制比較大的集電極電流和發(fā)射極電流。三極管電路中，三極管輸出電流（集電極電流、發(fā)射極電流）是由直流電源提供的，基極電流則是一部分由所要放大的信號(hào)源...

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體，MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在...