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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原...

開關(guān)作用原理，下面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是...

開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí)，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。溝道形成以后，在漏—...

三極管，又叫做雙極型三極管，是一種電流控制電流型半導(dǎo)體元器件，目前的三極管的主要用途是信號(hào)放大，或者作為電子開關(guān)使用。復(fù)合管（達(dá)林頓管），復(fù)合晶體管是將兩個(gè)和更多個(gè)晶體管的集電極連在一起，而將頭一只晶體管的發(fā)射極直接耦合到第二只晶體管的基極，依次連接而成，較后...

下面介紹的是三極管工作原理，一起來看看吧。三極管有哪三極？1、NPN型三極管的三極：NPN型三極管，由三塊半導(dǎo)體構(gòu)成，其中兩塊N型和一塊P型半導(dǎo)體組成，P型半導(dǎo)體在中間，兩塊N型半導(dǎo)體在兩側(cè)。有一個(gè)箭頭的電極是發(fā)射極e，箭頭朝外的是NPN型三極管。箭頭方向也表...

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開關(guān)。這個(gè)柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個(gè)加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡(jiǎn)單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個(gè)電...

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原...

開關(guān)時(shí)間：場(chǎng)效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時(shí)間。柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)開關(guān)時(shí)間有明顯影響，同時(shí)寄生電容的大小也會(huì)影響開關(guān)時(shí)間，此外，器件的物理結(jié)構(gòu)，也會(huì)影響開關(guān)速度。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場(chǎng)效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路。放大電路：場(chǎng)效...

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí)，該...

對(duì)于開關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話，相對(duì)延時(shí)太多，且...

印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NM...

三極管基本概念，雙極性晶體管的全稱為雙極性結(jié)型晶體管，也就是我們常說的三極管。三極管顧名思義具有三個(gè)電極。前面的二極管是由一個(gè)P-N結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個(gè)電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)...

晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，...

二極管伏安特性曲線說明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時(shí)，在開始很大范圍內(nèi)，二極管相當(dāng)于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時(shí)的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。2.溫度對(duì)特性的影響，由于二極管的主要是一個(gè)PN結(jié)，它的導(dǎo)...

三極管是一種重要的電子元件，普遍應(yīng)用于各種電路中。三極管的作用：開關(guān)電路，三極管還可以作為開關(guān)使用。它可以控制電流的開關(guān)，將電流從一個(gè)電路傳遞到另一個(gè)電路。這種開關(guān)功能在數(shù)字電子設(shè)備和計(jì)算機(jī)中被普遍應(yīng)用。在數(shù)字電子設(shè)備中，三極管可以將電流的開關(guān)控制與邏輯電路相...

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時(shí)的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動(dòng)能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過這個(gè)電流值可能會(huì)導(dǎo)致器件過熱、性能退化...

三極管具有三個(gè)工作狀態(tài)，分別為：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。在模擬電路中可以用這些特性實(shí)現(xiàn)不一樣的功能，在數(shù)字電路中，只有0和1兩個(gè)狀態(tài)，所以數(shù)字電路中三極管主要用作電子開關(guān)來使用，這時(shí)候三極管工作在截止和飽和狀態(tài)，即要么導(dǎo)通，要么斷開，就相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)。三極管的...

測(cè)試步驟：MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導(dǎo)線把MO...

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大...

在較初被發(fā)明的那個(gè)年代，二極管通常被稱作“整流器”。在1919年四極管被人發(fā)明后，威廉·亨利·?？藸査箘?chuàng)造了術(shù)語 Diode ，是從希臘語詞根（ δ? ，di，“二”）和（ ?δ?? ，ode，“路徑”）兩者結(jié)合而來的。盡管二極管基本都有著“整流”作用，但是現(xiàn)...

晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相...

階躍二極管，階躍二極管一種特殊的變?nèi)莨?，又稱為階躍恢復(fù)二極管或電荷存儲(chǔ)二極管,簡(jiǎn)稱階躍管，英文名稱為Step-Recovary Diode，它具有高度非線性的電抗，應(yīng)用于倍頻器時(shí)代獨(dú)有的特點(diǎn)，利用其反向恢復(fù)電流的快速突變中所包含的豐富諧波，可獲得高效率的高次倍...

三極管的介紹：主要參數(shù)：1 電流放大系數(shù)： ⑴直流電流放大系數(shù)； ⑵交流電流放大系數(shù)； ⑶共基極電流放大系數(shù)。2 頻率特性參數(shù)： ⑴共基極截止頻率fa； ⑵共發(fā)射極截止頻率fb； ⑶特性頻率ft； ⑷較高振蕩頻率fm；3 極間反向電流： ⑴集電極－基極反向截...

面接觸式二極管。面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導(dǎo)體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個(gè)半導(dǎo)體（如本征硅）的一端成為一個(gè)包含負(fù)極性載流子（電子）的區(qū)域，稱作N型半導(dǎo)體；另一端成為一個(gè)包含正極性載流子（空穴）的區(qū)域，稱作P型半導(dǎo)體。兩種材料在一起時(shí)，電子會(huì)從N型...

二極管伏安特性曲線說明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時(shí)，在開始很大范圍內(nèi)，二極管相當(dāng)于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時(shí)的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。2.溫度對(duì)特性的影響，由于二極管的主要是一個(gè)PN結(jié)，它的導(dǎo)...

溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：vGS對(duì)iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時(shí)，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，...

什么是三極管？三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。它的主要功能是將微弱的電信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，同時(shí)也被用作無觸點(diǎn)開關(guān)。三極管的分類，根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理的不同，三極管可以分為NPN型和PNP型兩種...

晶體二極管分類如下：鍵型二極管，鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用，有時(shí)也被應(yīng)用于檢波和電源整流（不大于50m...

三極管的作用：擴(kuò)流。把一只小功率可控硅和一只大功率三極管組合，就可得到一只大功率可控硅，其較大輸出電流由大功率三極管的特性決定，見附圖9(a)。圖9(b)為電容容量擴(kuò)大電路。利用三極管的電流放大作用，將電容容量擴(kuò)大若干倍。這種等效電容和一般電容器一樣，可浮置工...