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碳化硅芯片驗證周期長，批量生產(chǎn)難度大。碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現(xiàn)從設計到量產(chǎn)。國外廠商技術和產(chǎn)量的優(yōu)勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應端。國內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗證起始階段，未實現(xiàn)批量供應。國產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗證和批量化生產(chǎn)兩大難關，確保大規(guī)模供應的同時保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應...

碳化硅外延制作方法包括化學氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復性良好，設備適中，為目前主流技術。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應用。碳化硅外延設備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于202...

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導體封裝到模塊中，實現(xiàn)芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓撲方式，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉(zhuǎn)模塑封結(jié)構(gòu)和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結(jié)構(gòu)。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統(tǒng)硅基IGBT封裝結(jié)構(gòu)，難以發(fā)揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進陶...

碳化硅下游應用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應用領域需平衡碳化硅器件高價格與性能優(yōu)勢帶來的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領域的滲透率，大規(guī)模應用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預期的情況，將對上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平...

先進陶瓷又稱高性能陶瓷、精細陶瓷、高技術陶瓷等，是指采用高純度、超細人工合成或精選的無機化合物為原料，具有優(yōu)異的力學、聲、光、熱、電、生物等特性的陶瓷。先進陶瓷在原料、工藝方面有別于傳統(tǒng)陶瓷，特定的精細結(jié)構(gòu)使其具有高、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、絕緣、超導、生物相容等一系列優(yōu)點，被廣泛應用于國防、化工、冶金、電子、機械、航空、航天、生物醫(yī)學等領域，是近年來我國重點支持發(fā)展的產(chǎn)業(yè)之一。2025中國國際先進陶瓷展覽會（IACECHINA）將於3月10-12日在上海世博展覽館舉辦，歡迎大家蒞臨參會！ “中國?國際先進陶瓷展覽會”創(chuàng)新應用和解決方案：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您...

碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗證要求極高，需7-8年才能實現(xiàn)從設計到量產(chǎn)。國外廠商技術和產(chǎn)量的優(yōu)勢，并通過車企驗證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應端。國內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗證起始階段，未實現(xiàn)批量供應。國產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗證和批量化生產(chǎn)兩大難關，確保大規(guī)模供應的同時保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和20...

國內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)品以4英寸和6英寸為主，少數(shù)企業(yè)實現(xiàn)8英寸量產(chǎn)，與國際廠商仍有一定差距。我國碳化硅產(chǎn)業(yè)起步較晚，國內(nèi)廠商與國外企業(yè)在碳化硅襯底產(chǎn)品上存在差距。國內(nèi)以4英寸和6英寸為主，而國際廠商如Wolfspeed、意法半導體在2023年已能夠大批量穩(wěn)定供應8英寸襯底。國內(nèi)碳化硅襯底企業(yè)天岳先進2024年5月披露，公司8英寸導電型襯底產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)批量交貨，將推動頭部客戶向8英寸轉(zhuǎn)型，但8英寸產(chǎn)品品質(zhì)和良率與國際廠商還有一定差距?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、202...

從國內(nèi)看，碳化硅制造廠商包括長飛先進、芯聯(lián)集成、上海積塔、比亞迪、三安光電、士蘭微、泰科天潤等，其中長飛先進、芯聯(lián)集成、上海積塔已實現(xiàn)碳化硅MOSFET產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)，其他企業(yè)尚不具備大規(guī)模量產(chǎn)能力。三家企業(yè)產(chǎn)能合計為25萬片/年，規(guī)劃產(chǎn)能為44.8萬片/年。國外he心技術封鎖為常態(tài)，國產(chǎn)替代需求迫切。和許多先進科技一樣，國內(nèi)發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)也受到國外技術禁運的限制，尤其是寬禁帶半導體器件在jun事領域的應用，這進一步催生了國產(chǎn)替代的迫切需求。國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在自主創(chuàng)新的推動下，正加速自主研發(fā)步伐，以bao障供應鏈的安全穩(wěn)定?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海...

五展聯(lián)動；孕育無限發(fā)展商機；IACECHINA2025將與第17屆中國國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,000人次。20...

碳化硅產(chǎn)業(yè)各鏈條都在互相交融、跨界。系統(tǒng)級廠商方面，比亞迪從整車制造跨到碳化硅產(chǎn)業(yè)前端的襯底環(huán)節(jié)，吉利則向后端做到碳化硅芯片制造；在供應鏈Tier1廠商層面，博世和華為同樣做到碳化硅芯片制造。高成本是制約碳化硅器件實現(xiàn)大規(guī)模商用及國產(chǎn)替代的主要因素，但碳化硅器件與傳統(tǒng)硅基器件的差價正在縮小。SiCSBD產(chǎn)品價格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，與硅基器件差價約為3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均價格跌幅達30%-40%，有助于其提升市場滲透率?！爸袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕！五展...

碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢，具有極高的產(chǎn)業(yè)價值，被當下業(yè)內(nèi)專jia稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，是國?家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢以及面臨的機遇與挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應...

碳化硅外延環(huán)節(jié)呈現(xiàn)美、日兩強局面，美國Wolfspeed和日本昭和電工雙寡頭壟斷，此外還有美國II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱電機、意法半導體（ST）、德國英飛凌（Infineon）等企業(yè)。國內(nèi)東莞天域、瀚天天成為主要廠商，晶盛機電、北方華創(chuàng)、芯三代、中電48所、普興電子、三安光電、啟迪半導體、深圳納設智能等亦有布局，努力推進國產(chǎn)替代。預計2025年全球和國內(nèi)6寸碳化硅外延設備新增市場空間分別約為130億元和53億元美元?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM C...

微波燒結(jié)是利用微波電磁場中材料的介質(zhì)損耗使材料整體加熱至燒結(jié)溫度而實現(xiàn)燒結(jié)和致密化。微波燒結(jié)具有體加熱的特性，燒結(jié)過程中依靠材料本身吸收微波能，并轉(zhuǎn)化為材料內(nèi)部分子的動能和勢能，降低燒結(jié)活化能，提高擴散系數(shù)，從而實現(xiàn)低溫快速燒結(jié)，可獲得納米晶粒的燒結(jié)體。微波燒結(jié)的優(yōu)點為具有較短的燒結(jié)時間，使引起低頻介質(zhì)損耗的缺陷濃度減小，從而使得介質(zhì)損耗降低。相對于常規(guī)無壓燒結(jié)，微波燒結(jié)制備的BaTiO3陶瓷晶粒更小，具有相對多的晶界，晶界的介電常數(shù)較低?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！先進制造業(yè)新發(fā)展格局“第十七屆中國?國際先進陶瓷展...

碳化硅作為第三代半導體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢，具有極高的產(chǎn)業(yè)價值，被當下業(yè)內(nèi)專jia稱為“黃金投資賽道”。我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，是國?家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過對碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢以及面臨的機遇與挑戰(zhàn)?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應用于各個領域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對增韌有貢獻的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時抗彎強度好；在2mol%時斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

碳化硅半導體屬于高度技術密集型行業(yè)，具有較高的技術、人才、資金、資源和認證壁壘，高度依賴于技術及生產(chǎn)經(jīng)驗。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭相投資，碳化硅產(chǎn)業(yè)成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業(yè)競爭。同時，全球碳化硅半導體行業(yè)市場集中度較高，市場份額主要被美國、歐洲、日本等國?家和地區(qū)的企業(yè)占據(jù)，國內(nèi)企業(yè)未來將面臨國際先進企業(yè)和國內(nèi)新進入者的雙重競爭。若競爭過早進入白熱化，會對大批初創(chuàng)科技型碳化硅企業(yè)的成長造成致命打擊?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500...

陶瓷是以粘土為主要原料，并與其他天然礦物經(jīng)過粉碎混煉、成型和煅燒制得的材料以及各種制品，是陶器和瓷器的總稱。陶瓷的傳統(tǒng)概念是指所有以粘土等無機非金屬礦物為原料的人工工業(yè)產(chǎn)品。它包括由粘土或含有粘土的混合物經(jīng)混煉、成形、煅燒而制成的各種制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸鹽礦物，因此它與玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工業(yè)同屬于“硅酸鹽工業(yè)”的范疇。廣義上的陶瓷材料指的是除有機和金屬材料以外的其他所有材料，即無機非金屬材料。陶瓷制品的品種繁多，它們之間的化學成分、礦物組成、物理性質(zhì)，以及制 造方法，常?；ハ嘟咏诲e，無明顯的界限，而在應用上卻有很大的區(qū)別。因此，很 難硬性地把它們歸納為幾個系統(tǒng)，...

按化學成分可分為：氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等3.1.1氧化物陶瓷(A2O3、ZrO2、MgO等)3.1.2氮化物陶瓷(Si3N4TN、BN等)3.1.3碳化物陶瓷(SiC、BC、WC等)3.1.4硼化物陶瓷(TB2、ZrB2等)3.1.5硅化物陶瓷、復合瓷、金屬陶瓷和纖維增強陶瓷等。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、20...

刻蝕技術是SiC器件研制的關鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對器件性能至關重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡單等優(yōu)點，而廣泛應用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側(cè)壁控zhi、蝕刻速率和側(cè)壁粗糙度等需針對SiC材料特性開發(fā)?？涛g環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實現(xiàn)更小尺寸器件結(jié)構(gòu)、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉(zhuǎn)變等。主流的SiCICP刻蝕設備廠商包括德國Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國AMAT、英國牛津儀器、日本Samco及愛發(fā)科，及我國北方華創(chuàng)、中國電科48所、...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應用于各個領域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對增韌有貢獻的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時抗彎強度好；在2mol%時斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

從國內(nèi)看，碳化硅制造廠商包括長飛先進、芯聯(lián)集成、上海積塔、比亞迪、三安光電、士蘭微、泰科天潤等，其中長飛先進、芯聯(lián)集成、上海積塔已實現(xiàn)碳化硅MOSFET產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)，其他企業(yè)尚不具備大規(guī)模量產(chǎn)能力。三家企業(yè)產(chǎn)能合計為25萬片/年，規(guī)劃產(chǎn)能為44.8萬片/年。國外he心技術封鎖為常態(tài)，國產(chǎn)替代需求迫切。和許多先進科技一樣，國內(nèi)發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)也受到國外技術禁運的限制，尤其是寬禁帶半導體器件在jun事領域的應用，這進一步催生了國產(chǎn)替代的迫切需求。國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在自主創(chuàng)新的推動下，正加速自主研發(fā)步伐，以bao障供應鏈的安全穩(wěn)定?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海...

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數(shù)低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設備是SiC產(chǎn)線難度較高的設備，全球設備廠商少、交期長，國產(chǎn)化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應用材料（收購瓦里安），日本愛發(fā)科及日清公司，國內(nèi)廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上...

“中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕，高壓燒結(jié)有兩種方式，第一種為高壓成型常壓燒結(jié)，第二種為高壓氣氛燒結(jié)。1、高壓成型常壓燒結(jié)高壓成型常壓燒結(jié)中，樣品在高壓下再次加壓后，顆粒之間的接觸點增加且氣孔減少，導致燒結(jié)前坯體的相對密度明顯增加，而陶瓷燒結(jié)活性與樣品的壓坯密度緊密相關，所以燒結(jié)溫度明顯降低。高壓成型常壓燒結(jié)使燒結(jié)溫度降低了至少200℃（無壓燒結(jié)溫度一般高于1200℃）。2、高壓氣氛燒結(jié)高壓氣氛燒結(jié)中，高壓能夠明顯增加陶瓷致密的驅(qū)動力，并且由于成核勢壘的降低使成核速率增加，擴散能力的降低使生長速率減小。高壓氣氛燒結(jié)被認為是一種比較理想的得到致密細...

碳化硅外延制作方法包括化學氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復性良好，設備適中，為目前主流技術。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應用。碳化硅外延設備的密閉性、氣壓、氣體通入時間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于202...

外延生長技術是碳化硅器件的關鍵環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對器件性能影響很大，碳化硅襯底無法直接制作器件，優(yōu)質(zhì)外延工藝可改進微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯、貫穿螺型位錯（TSD）、貫穿刃型位錯（TED）和基平面位錯（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長缺陷，同時精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對應不同耐壓等級的器件規(guī)格。通常，1μm的外延層對應100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時，外延層厚度需在100μm以上?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50...

陶瓷注射成型技術作為一種新興的精密制造技術，有著其不可比擬的獨特優(yōu)勢。成為國內(nèi)外精密陶瓷零部件中具有優(yōu)勢的先進制備技術?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動孕育無限發(fā)展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。無壓燒結(jié)在常壓下進行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長時間、等燒結(jié)速率進行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過1000℃）和較長的保溫時間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過高，可能導致晶界的移動速度過快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度后...

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應用于各個領域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對增韌有貢獻的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時抗彎強度好；在2mol%時斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

在半導體制造領域，增大晶片尺寸是提高半導體產(chǎn)品競爭力的關鍵途徑。對于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進一步降低碳化硅芯片單位成本。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。展會展覽面積將超...

五展聯(lián)動；孕育無限發(fā)展商機；IACECHINA2025將與第17屆中國國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PMCHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AMCHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預計將達到70,000人次。20...