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即檢測(cè)輸入端或直流端的總電流，當(dāng)此電流超過設(shè)定值后比較器翻轉(zhuǎn)，***所有IGBT輸入驅(qū)動(dòng)脈沖，使輸出電流降為零。這種過載過流保護(hù)，一旦動(dòng)作后,要通過復(fù)位才能恢復(fù)正常工作。IGBT能夠承受很短時(shí)間的短路電流，能夠承受短路電流的時(shí)間與該IGBT的飽和導(dǎo)通壓...

與熔斷器的原理不同，熔斷器的熔斷是一次性的，斷路器是電路中的電流突然加大，超過斷路器的負(fù)荷時(shí)，會(huì)自動(dòng)斷開。...[熔斷器]熔斷器怎么選型，熔斷器選型方法總結(jié)日期：2020-03-2314:15:01熔斷器如何選型的問題，熔斷器的類型：RLlB系列帶斷相...

5.熱敏電阻器及其電路圖形符號(hào)熱敏電阻器是阻值隨溫度變化而變化的電阻器。熱敏電阻器有正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻器和負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻器。正溫度系數(shù)熱敏電阻器的阻值隨溫度的升高而升高，隨溫度的降低而降低;負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的阻值隨溫度的升高而降低，...

電路圖形符號(hào)標(biāo)明電阻器的類型;引腳由電路圖形符號(hào)兩端伸出，與電路連通，構(gòu)成電路;標(biāo)識(shí)信息通常提供電阻器的類別、序號(hào)及電阻值等參數(shù)信息。電阻器的種類多樣，功能各異。不同類型的電阻器有不同的電路圖形符號(hào)和文字標(biāo)識(shí)。1.普通電阻器及其電路圖形符號(hào)普通電阻器是阻值固定...

電力熔斷器的分類電力熔斷器是保險(xiǎn)絲（熔斷器）的一部分，他們可分為半導(dǎo)體保護(hù)熔斷器，直流熔斷器，特殊熔斷器，通用型熔斷器以及熔斷器式隔離開關(guān)。二極管1.基本概念二極管由管芯、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成。管芯是一個(gè)PN結(jié)，在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線，并用塑料...

只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力快速熔斷器高壓限流熔斷器高壓限流熔斷器適用于交流50HZ，額定電壓，還可與其他電器(如開關(guān)、接觸器等)配合使用，作為電動(dòng)機(jī)、變壓器、電容器等電力設(shè)備的過載或短路等保護(hù)。常用的型號(hào)有R...

斷路器也可以實(shí)現(xiàn)線路的短路和過載保護(hù)，不過原理不一樣，它是通過電流底磁效應(yīng)（電磁脫扣器）實(shí)現(xiàn)斷路保護(hù)，通過電流的熱效應(yīng)實(shí)現(xiàn)過載保護(hù)（不是熔斷，多不用更換器件）。具體到實(shí)際中，當(dāng)電路中的用電負(fù)荷長(zhǎng)時(shí)間接近于所用熔斷器的負(fù)荷時(shí)，熔斷器會(huì)逐漸加熱，直至熔斷。像上...

熔斷器的熔體從構(gòu)成材料上，分為低熔點(diǎn)熔體與高熔點(diǎn)熔體，其它組成部分包括熔管與熔座等，并介紹了熔斷器的接線方法與注意事項(xiàng)。...[熔斷器]熔斷器的二種滅弧方法日期：2020-03-2315:05:16有關(guān)熔斷器的二種滅弧方法，根據(jù)滅弧材料與冷卻方式的不同...

（4）快速熔斷器快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力?？焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有v...

HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創(chuàng)新型解決方案，適用于混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設(shè)計(jì)，該產(chǎn)品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅(qū)動(dòng)效果將更加接近其極限，從而進(jìn)一步提高功率密度。Hybr...

但過小會(huì)導(dǎo)致di/dt過大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。因此對(duì)串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計(jì)要求***綜合考慮。柵極驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)驅(qū)動(dòng)脈沖的波形也有影響。電阻值過小時(shí)會(huì)造成脈沖振蕩，過大時(shí)脈沖的前后沿會(huì)發(fā)生延遲或變緩。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而...

供電質(zhì)量好，傳輸損耗小，效率高，節(jié)約能源，可靠性高，容易組成N＋1冗余供電系統(tǒng)，擴(kuò)展功率也相對(duì)比較容易。所以采用分布式供電系統(tǒng)可以滿足高可靠性設(shè)備的要求。、單端反激式、雙管正激式、雙單端正激式、雙正激式、推挽式、半橋、全橋等八種拓?fù)?。單端正激式、單端?..

⑷在工作電流較大的情況下，為了減小關(guān)斷過電壓，應(yīng)盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應(yīng)采用低感或無(wú)感型；⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅(qū)動(dòng)，都具有一個(gè)～5V的閾值電壓，有一個(gè)容性輸入阻抗，因此IGBT對(duì)柵極電荷非常敏感故驅(qū)動(dòng)電路必須很可靠，要保證有一條...

以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IG...

HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創(chuàng)新型解決方案，適用于混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車的主逆變器。得益于模制模塊的雙面冷卻設(shè)計(jì)，該產(chǎn)品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下，IGBT的驅(qū)動(dòng)效果將更加接近其極限，從而進(jìn)一步提高功率密度。Hybr...

在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場(chǎng)合，晶閘管、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOSFET雖然有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn);但是，在200V或更高電壓的場(chǎng)合，MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿...

IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)一致性的散熱性能。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進(jìn)行安裝，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)焊料無(wú)鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強(qiáng)大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動(dòng)器應(yīng)用的特...

但是各路之間在電路上必須相互隔離，以防干擾或誤觸發(fā)四路驅(qū)動(dòng)信號(hào)根據(jù)觸發(fā)相位分為兩組，相位相反。圖3為一路柵極驅(qū)動(dòng)電路，整流橋B1、B2與電解電容C1、C2組成整流濾波電路，為驅(qū)動(dòng)電路提供+25V和-15V直流驅(qū)動(dòng)電壓。光耦6N137的作用是實(shí)現(xiàn)控制電路...

原標(biāo)題：干貨|大功率IGBT模塊及驅(qū)動(dòng)技術(shù)電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來(lái)越成為各種主回路的優(yōu)先功率開關(guān)器件，因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt...

柵極驅(qū)動(dòng)電路的阻抗越低，這種效應(yīng)越弱，此效應(yīng)一直維持到t3時(shí)刻，Uce降到IGBT的飽和電壓為止。它的影響同樣減緩了IGBT的開通過程。在t3時(shí)刻后，Ic達(dá)到穩(wěn)態(tài)值，影響柵極電壓Uge的因素消失后，Uge以較快的上升率達(dá)到**大值。從圖1的波形可以看出...

圖2是引腳的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中標(biāo)記為：1、鋁層；2、絕緣層；3、銅層；4、錫層；5、芯片；6、鍵合線；7、塑封體；8、引腳；801、***連接部；802、第二連接部；803、第三連接部。具體實(shí)施方式下面對(duì)照附圖，通過對(duì)實(shí)施例的描述，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施...

RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產(chǎn)生壓降，還會(huì)造成過沖電壓，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流，從而克服了過沖電壓。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓，每次關(guān)斷前C*將上次關(guān)斷電壓的過沖部分能量回饋到電源，減小了吸收電...

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面...

在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級(jí)的漏電流流過，基本上不消耗功率。2IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大...

英飛凌IGBT綜述：我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí)，適用于幾乎所有應(yīng)用。市場(chǎng)**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了**...

根據(jù)數(shù)據(jù)表中標(biāo)示的IGBT的寄生電容，可以分析dV/dt引起的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象?？赡艿募纳鷮?dǎo)通現(xiàn)象，是由集電極-柵極和柵極-發(fā)射極之間的固有容性分壓器引起的（請(qǐng)參見圖9）?？紤]到集電極-發(fā)射極上的較高瞬態(tài)電壓，這個(gè)固有的容性分壓器比受限于寄生電感的外接?xùn)艠O...

需指出的是：IGBT參數(shù)表中標(biāo)出的IC是集電極比較大直流電流，但這個(gè)直流電流是有條件的，首先比較大結(jié)溫不能超過150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過的比較大電流不同。同時(shí)，各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流...

IGBT與MOSFET的開關(guān)速度比較因功率MOSFET具有開關(guān)速度快，峰值電流大，容易驅(qū)動(dòng)，安全工作區(qū)寬，dV/dt耐量高等優(yōu)點(diǎn)，在小功率電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。但是由于導(dǎo)通特性受和額定電壓的影響很大，而且工作電壓較高時(shí)，MOSFET固有的反向二極管...

雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調(diào)壓或交流電子開關(guān)。2、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。...

優(yōu)勢(shì)：?簡(jiǎn)單的串聯(lián)方式?很強(qiáng)的抗浪涌電流能力?標(biāo)準(zhǔn)封裝，易于安裝英飛凌二極管綜述：具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件、具有高性價(jià)比的晶閘管/二極管模塊、采用分立封裝的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合大功率二極管和...