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來源: 發(fā)布時間:2023-06-07

    原標題:干貨|大功率IGBT模塊及驅(qū)動技術(shù)電力電子技術(shù)在當今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中,越來越成為各種主回路的優(yōu)先功率開關(guān)器件,因此如何安全可靠地驅(qū)動igbt工作,也成為越來越多的設(shè)計工程師面臨需要解決的課題。在使用igbt構(gòu)成的各種主回路之中,大功率igbt驅(qū)動保護電路起到弱電控制強電的終端界面(接口)作用。因其重要性,所以可以將該電路看成是一個相對**的“子系統(tǒng)”來研究、開發(fā)及設(shè)計。大功率igbt驅(qū)動保護電路一直伴隨igbt技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,現(xiàn)在市場上流行著很多種類非常成熟的大功率igbt驅(qū)動保護電路**產(chǎn)品,成為大多數(shù)設(shè)計工程師的優(yōu)先;也有許多的工程師根據(jù)其電路的特殊要求,自行研制出各種**的大功率igbt驅(qū)動保護電路。本文對這些大功率igbt驅(qū)動保護電路進行分類,并對該電路需要達到的一些功能進行闡述,***展望此電路的發(fā)展。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動保護電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v~1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a~600a范圍的場合。來源:電力電子技術(shù)與新能源,智享汽車圈返回搜狐。二極管由管芯、管殼和兩個電極構(gòu)成。管芯是一個PN結(jié),在PN結(jié)的兩端各引出一個引線,并用塑料。安徽大規(guī)模模塊廠家直銷

西門康IGBT正是作為順應(yīng)這種要求而開發(fā)的,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點(控制和響應(yīng)),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十KHz頻率范圍內(nèi)?;谶@些優(yōu)異的特性,西門康IGBT一直***使用在超過300V電壓的應(yīng)用中,模塊化的西門康IGBT可以滿足更高的電流傳導要求,其應(yīng)用領(lǐng)域不斷提高,今后將有更大的發(fā)展。河南模塊代理商外加正向電壓較小時,二極管呈現(xiàn)的電阻較大,正向電流幾乎為零。

西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前,功率場效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場合,晶閘管、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOSFET雖然有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單的優(yōu)點;但是,在200V或更高電壓的場合,MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的增加會迅速增加,使得其功耗大幅增加,存在著不能得到高耐壓、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦?,雖然可以得到高耐壓、大容量的元件,但是它要求的驅(qū)動電流大,控制電路非常復雜,而且交換速度不夠快。

    RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產(chǎn)生壓降,還會造成過沖電壓,.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流,從而克服了過沖電壓。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓,每次關(guān)斷前C*將上次關(guān)斷電壓的過沖部分能量回饋到電源,減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在IGBT關(guān)斷時從電源電壓開始上升,它的過電壓吸收能力不如RCD型充放電型。從吸收過電壓的能力來說,放電阻止型效果稍差,但能量消耗較小。對緩沖吸收電路的要求是:⑴盡量減小主電路的布線電感L;⑵吸收電容應(yīng)采用低感或無感吸收電容,它的引線應(yīng)盡量短,**好直接接在IGBT的端子上;⑶吸收二極管應(yīng)采用快開通和快軟恢復二極管,以免產(chǎn)生開通過電壓,和反向恢復引起較大的振蕩過電壓。,得出了設(shè)計時應(yīng)注意的幾點事項:⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應(yīng)的影響,能引起意外的電壓尖峰損害,所以設(shè)計時應(yīng)讓柵極的阻抗足夠低,以盡量消除其負面影響;⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對IGBT的開通過程及驅(qū)動脈沖的波形都有很大的影響,所以設(shè)計時要綜合考慮;⑶應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來控制故障電流的下降速率,從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值,達到短路保護的目的。采用分立封裝的高效硅基或 CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合。

    但過小會導致di/dt過大,產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計要求***綜合考慮。柵極驅(qū)動電阻對驅(qū)動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩,過大時脈沖的前后沿會發(fā)生延遲或變緩。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大。為了保持相同的脈沖前后沿速率,對于電流容量大的IGBT器件,應(yīng)提供較大的前后沿充電電流。為此,柵極串聯(lián)的電阻的阻值應(yīng)隨著IGBT電流容量的增大而減小。:⑴光耦驅(qū)動電路,光耦驅(qū)動電路是現(xiàn)代逆變器和變頻器設(shè)計時被***采用的一種電路,由于線路簡單,可靠性高,開關(guān)性能好,被許多逆變器和變頻器廠家所采用。由于驅(qū)動光耦的型號很多,所以選用的余地也很大。驅(qū)動光耦選用較多的主要有東芝的TLP系列,夏普的PC系列,惠普的HCLP系列等;⑵**集成塊驅(qū)動電路,主要有IR的IR2111,IR2112,IR2113等,三菱的EXB系列,M57959,M57962等。IGBT的驅(qū)動電路必須具備兩個功能:一是實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT的柵極隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖,實現(xiàn)電隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器和光電耦合器。:一類是低倍數(shù)(~倍)的過載保護;一類是高倍數(shù)(8~10)的短路保護。對于過載保護不必快速反應(yīng),可采用集中式保護。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關(guān)性能經(jīng)過優(yōu)化,可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器。推廣模塊批發(fā)廠家

EconoBRIDGE 可在整流級*有二極管時實現(xiàn)不控整流,也可在整流級中使用晶閘管實現(xiàn)半控整流。安徽大規(guī)模模塊廠家直銷

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江蘇芯鉆時代電子科技有限公司是一家從事IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及售后的貿(mào)易型企業(yè)。公司坐落在昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機電城北樓A201,成立于2022-03-29。公司通過創(chuàng)新型可持續(xù)發(fā)展為重心理念,以客戶滿意為重要標準。在孜孜不倦的奮斗下,公司產(chǎn)品業(yè)務(wù)越來越廣。目前主要經(jīng)營有IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器等產(chǎn)品,并多次以電子元器件行業(yè)標準、客戶需求定制多款多元化的產(chǎn)品。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司研發(fā)團隊不斷緊跟IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器行業(yè)發(fā)展趨勢,研發(fā)與改進新的產(chǎn)品,從而保證公司在新技術(shù)研發(fā)方面不斷提升,確保公司產(chǎn)品符合行業(yè)標準和要求。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司注重以人為本、團隊合作的企業(yè)文化,通過保證IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器產(chǎn)品質(zhì)量合格,以誠信經(jīng)營、用戶至上、價格合理來服務(wù)客戶。建立一切以客戶需求為前提的工作目標,真誠歡迎新老客戶前來洽談業(yè)務(wù)。