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從而可以在閥門開關60關閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液；與多個腔室10分別對應連接的多個存儲箱20，各級腔室10分別通過管道與相應的存儲箱20連接，存儲箱20用于收集和存儲來自當前級腔室101的經歷剝離制程的剝離液；過濾器30用于過濾來自當前級腔室101的存儲箱20的剝離液，并且過濾器30還可以通過管道與下一級腔室102連接，從而過濾器30可以將過濾后的剝離液輸送給下一級腔室102。各腔室10設計為適合進行剝離制程，用于向制程中的玻璃基板供給剝離液，...

剝離液是一種通用濕電子化學品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質，同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產濕法工藝制造的關鍵性電子化工材料，下游應用領域，但整體應用需求較低，因此市場規(guī)模偏小。剝離液應用在太陽能電池中，對于剝離液的潔凈度要求較低，需達到G1等級，下游客戶主要要天合、韓華、通威等；應用到面板中，通常要達到G2、G3等級，且高世代線對于剝離液的要求要高于低世代線，下游客戶有京東方、中星光電；在半導體中的應用可分等級，在8英寸及以下的晶圓制造中，對于剝離液的要求達到G3、G4水平，大硅片、12英寸晶元等產品要達到G5水平。...

按照組成成分和應用工藝不同，濕電子化學品可分為通用性和功能性濕電子化學品。通用濕電子化學品以超凈高純試劑為主，一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學品，按照性質劃分可分為：酸類、堿類、有機溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等；堿類包括氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀等；有機溶劑類包括甲醇、乙醇、異丙醇、**、乙酸乙酯等；其他類包括雙氧水等。功能濕電子化學品指通過復配手段達到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復配類化學品，即在單一的超凈高純試劑（或多種超凈高純試劑的配合）基礎上，加入水、有機溶劑、螯合劑、表面活性劑混合而成的化學品。例如剝離液、顯影液、蝕刻液、清洗液等...

IC去除剝離液MSDS1.產品屬性產品形式：混合溶液產品名稱：ANS-908產品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危險識別可燃性液體和蒸汽警示標識外觀：透明或微黃氣味：類氨對人類和環(huán)境的危害：對眼睛和皮膚有刺激性吸入：會引起呼吸道受刺激，肝臟、腎受傷害，對系統(tǒng)有影響攝?。簳鸷粑篮拖来碳らL期接觸：會引起皮膚傷害4.緊急處理...

本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導體生產工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術：光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、光阻等，其作用是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠廣泛應用于集成電路(ic)、封裝(packaging)、微機電系統(tǒng)(mems)、光電子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板顯示其(led、lcd、oled)和太陽能光伏(solarpv)等領域。在半導體制造領域，離子注入層光刻膠(參考圖2)在經過高劑量或大...

本發(fā)明下述示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的具體實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實施例的技術方案充分傳達給本領域技術人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法主要實施例，用于半導體制造工藝中，可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導體襯底上淀積介質層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入：s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離；s5，對襯底表面進行清洗。本發(fā)明...

隨著電子元器件制作要求的提高，相關行業(yè)應用對濕電子化學品純度的要求也不斷提高。為了適應電子信息產業(yè)微處理工藝技術水平不斷提高的趨勢，并規(guī)范世界超凈高純試劑的標準，國際半導體設備與材料組織（SEMI）將濕電子化學品按金屬雜質、控制粒徑、顆粒個數和應用范圍等指標制定國際等級分類標準。濕電子化學品在各應用領域的產品標準有所不同，光伏太陽能電池領域一般只需要G1級水平；平板顯示和LED領域對濕電子化學品的等級要求為G2、G3水平；半導體領域中，集成電路用濕電子化學品的純度要求較高，基本集中在G3、G4水平，分立器件對濕電子化學品純度的要求低于集成電路，基本集中在G2級水平。一般認為，產生集...

剝離液是一種通用濕電子化學品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質，同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產濕法工藝制造的關鍵性電子化工材料，下游應用領域，但整體應用需求較低，因此市場規(guī)模偏小。剝離液應用在太陽能電池中，對于剝離液的潔凈度要求較低，需達到G1等級，下游客戶主要要天合、韓華、通威等；應用到面板中，通常要達到G2、G3等級，且高世代線對于剝離液的要求要高于低世代線，下游客戶有京東方、中星光電；在半導體中的應用可分等級，在8英寸及以下的晶圓制造中，對于剝離液的要求達到G3、G4水平，大硅片、12英寸晶元等產品要達到G5水平。...

避免接觸皮膚、眼睛和衣服；存儲：密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)10ppmAIHA,TWAN,N-DIMETHYLACETAMIDE-TWA:10ppm,35mg/m3通風：良好的通風措施，保持良好通風人員保護設備：橡膠手套、防護目鏡，避免接觸皮膚、眼睛、衣服、避免吸入蒸汽壓；9.物理和化學性能物理測試：液體顏色：微黃氣味:類氨熔點:-24~-23℃沸點：165~204℃閃點:110℃蒸汽壓mmHg@...

如遇水，圖案則隨著背膠的脫落而脫落。這種印刷方法是通過滾筒式膠質印模把沾在膠面上的油墨轉印到紙面上。由于膠面是平的，沒有凹下的花紋，所以印出的紙面上的圖案和花紋也是平的，沒有立體感，防偽性較差。膠版印刷所需的油墨較少，模具的制造成本也比凹版低。目前我國汽車尾氣直接排入空氣中，并未進行回收處理，對空氣造成了巨大污染，同時會對人體造成傷害。技術實現思路本**技術的目的就在于為了解決上述問題而提供一種印刷品膠面印刷剝離復合裝置。剝離液中加入特有添加劑可有效保護對應金屬；南京江化微的蝕刻液剝離液供應商 IC去除剝離液MSDS1.產品屬性產品形式：混合溶液產品名稱：ANS-908產品功能描述：用...

光刻膠又稱光致抗蝕劑，主要由感光樹脂、增感劑和溶劑三種成分組成。感光樹脂經光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經曝光、顯影、刻蝕、擴散、離子注入、金屬沉積等工藝將所需的微細圖形從掩模版轉移至加工的基板上、***通過去膠剝離液將未曝光部分余下的光刻膠清洗掉，從而完成整個圖形轉移過程。在液晶面板和amoled生產中***使用。現有的剝離液主要有兩種，分別是水性剝離液和有機剝離液，由于有機剝離液只能用于具有mo/al/mo結構的制程中，無法用于ito/ag/ito；且乙醇胺的含量高達60％以上，有很強的腐蝕性，因此，常用的剝...

參考圖7)，這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會被增強呈現，傳遞到柵極成型工序時會對柵極圖形產生嚴重的影響，即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷，在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接，直接降低了產品良率。另外，在氧氣灰化階段，由于等離子氧可以穿透襯底表面上的氧化層到達襯底硅區(qū)，直接與硅反應產生二氧化硅，增加了硅損失，會影響器件閾值電壓及漏電流，也會影響產品良率。技術實現要素：在發(fā)明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念,該簡化形式的概念均為本領域現有技術簡化，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術...

本發(fā)明涉及化學制劑技術領域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術：：隨著半導體制造技術以及立體封裝技術的不斷發(fā)展，電子器件和電子產品對多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術的封裝體積小，立體空間大，引線距離短，信號傳輸快，所以能夠更好地實現封裝的微型化。晶圓疊層是3d疊層封裝的一種形式。疊層晶圓在制造的過程中會對**外層的晶圓表面進行顯影蝕刻，當中會用到光刻膠剝離液。剝離液的大概費用大概是多少？浙江什么剝離液配方技術 所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意...

但現有的回收裝置普遍存在如下問題：剝離廢液利用水洗裝置水洗過濾出光刻膠樹脂成分，回收率低。為了解決這一問題，現有技術通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續(xù)反應，而后沉淀過濾出光刻膠樹脂成分，但所得到的光刻膠樹脂成分品質不宜再用于光刻膠原料，只能用于其他要求較低的樹脂需求場所。技術實現要素：本實用新型的目的是為了提供一種結構設置更為合理、使用方便可靠的光刻膠廢剝離液回收裝置，從根本上解決現有回收裝置回收率低的問題，同時分級回收輸出線性酚醛樹脂成分，分級儲存，以用于不同場合，物盡其用。為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種光刻膠廢剝離液回收裝置，包括攪拌釜和與攪拌釜連通的過濾罐，攪拌釜...

在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請實施例提供的剝離液機臺的種結構示意圖。圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺的第二種結構示意圖。圖3為本申請實施例提供的剝離液機臺的第三種結構示意圖。圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺的第四種結構示意圖。圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖。具體實施方式目前剝離液機臺在工作時，如果過濾剝離光阻時產生的薄膜碎屑的過濾器被阻塞，則需要剝離液機臺內的所有工作單元，待被阻塞的過濾器被清理后，才能重新進行剝離制程，使得機臺需頻繁停線以更換過濾器，極大的降低了生產效率。請參閱圖1，圖1為本申請實施例提供的...

圖3是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖五，其顯示光刻膠炸裂到臨近光刻膠。圖7是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖六，其顯示光刻膠去除殘留。圖8是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖一，其顯示首先剝離去除主要光刻膠層。圖9是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖二，其顯示逐步剝離去除第二光刻膠層的中間過程。圖10是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示完全去除光刻膠后的襯底。圖11是采用現有技術剝離去除光刻膠殘...

閥門開關60設置在每一子管道301上。在一些實施例中，閥門開關60設置在每一子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中，閥門開關60設置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關60的設置位置可以設置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做贅述。在一些實施例中，請參閱圖4，圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第四種結構示意圖。第二管道50包括多個第三子管道503，每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301，且每一所述第三子管道503與所述下一級腔室連通102。其中，閥門開關60設置在每一第三子管道503上。本申請實施例提供的剝離液機臺，包括：依次順序排列的多級腔室...

剝離液是一種通用濕電子化學品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質，同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產濕法工藝制造的關鍵性電子化工材料，下游應用領域，但整體應用需求較低，因此市場規(guī)模偏小。剝離液應用在太陽能電池中，對于剝離液的潔凈度要求較低，需達到G1等級，下游客戶主要要天合、韓華、通威等；應用到面板中，通常要達到G2、G3等級，且高世代線對于剝離液的要求要高于低世代線，下游客戶有京東方、中星光電；在半導體中的應用可分等級，在8英寸及以下的晶圓制造中，對于剝離液的要求達到G3、G4水平，大硅片、12英寸晶元等產品要達到G5水平。...

所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器，所述道包括多個子管道，每一所述子管道與一子過濾器連通，且所述多個子管道與當前級腔室對應的存儲箱連通。在一些實施例中，所述第二管道包括公共子管道及多個第二子管道，每一所述第二子管道與一子過濾器連通，每一所述第二子管道與所述公共子管道連通，所述公共子管道與所述下一級腔室連通。在一些實施例中，所述閥門開關設置在每一所述子管道上。在一些實施例中，所述閥門開關設置在每一所述第二子管道上。在一些實施例中，所述閥門開關設置在每一所述子管道及每一所述第二子管道上。在一些實施例中，所述第二管道包括多個第三子管道，每一所述第三子管道與一子過濾器連通，且每一所述第三子管...

所述功能切換口3外部并聯有高純水輸入管線1和沉淀劑輸入管線2。所述二級過濾罐13的底部設有廢液出口20。所述一級過濾罐16和二級過濾罐13內部均懸設有攔截固體成分的過濾筒。本實施例中，所述一級過濾罐16和二級過濾罐13的結構相同，以一級過濾罐16為例，由外殼1601、懸設于外殼1601內的過濾筒、扣裝于過濾筒頂部的壓蓋1602組成。所述壓蓋1602中心設有對應進料管路15的通孔。所述過濾筒由均勻布設多孔1606的支撐筒體1605、設于支撐筒體1605內表面的金屬濾網1604、設于金屬濾網1604表面的纖維濾布1603組成。所述支撐筒體1605的上沿伸出外殼1601頂部并利用水平翻邊支撐...

每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中，閥門開關60設置在每一子管道301上。在一些實施例中，閥門開關60設置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中，閥門開關60設置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關60的設置位置可以設置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做贅述。在一些實施例中，請參閱圖4，圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第四種結構示意圖。第二管道50包括多個第三子管道503，每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301，且每一所述第三子管道503與所述下一級腔室連...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進一步用剝離液將涂覆在微電路保護區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產工藝主要包含光阻涂布、顯影、去光阻、相關清洗作業(yè)四大階段，其中在去光阻階段會產生部分剝離液。印制電路板生產工藝相當復雜。不僅設備和制造工藝的科技含量高，工藝流程長，用水量大，而且所用的化學藥品（包括各種添加劑）種類多、用量大。因此，在用減成法生產印刷線路板的過程中，產污環(huán)節(jié)多，種類繁雜，物料損耗大?？煞譃楦煞庸?設計和布線、模版制作、鉆孔...

所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過皮帶連接，所述收卷驅動電機與所述膠面收卷輥通過導線連接。進一步的，所述電加熱箱與所述干燥度感應器通過導線連接，所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過導線連接。進一步的，所述主支撐架由合金鋼壓制而成，厚度為5mm。進一步的，所述干燥度感應器與所述電氣控制箱通過導線連接。進一步的，所述防濺射擋板共有兩塊，傾斜角度為45°。進一步的，所述電氣控制箱與所述表面印刷結構通過導線連接，所述電氣控制箱與所述膠面剝離結構通過導線連接。本技術的有益效果在于：采用黏合方式對印刷品膠面印刷進行剝離，同時能夠對印刷品膠面進行回收，節(jié)約了大量材料，降低了生產成本。剝離液的作用和使用場景。江化...

但現有的回收裝置普遍存在如下問題：剝離廢液利用水洗裝置水洗過濾出光刻膠樹脂成分，回收率低。為了解決這一問題，現有技術通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續(xù)反應，而后沉淀過濾出光刻膠樹脂成分，但所得到的光刻膠樹脂成分品質不宜再用于光刻膠原料，只能用于其他要求較低的樹脂需求場所。技術實現要素：本實用新型的目的是為了提供一種結構設置更為合理、使用方便可靠的光刻膠廢剝離液回收裝置，從根本上解決現有回收裝置回收率低的問題，同時分級回收輸出線性酚醛樹脂成分，分級儲存，以用于不同場合，物盡其用。為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種光刻膠廢剝離液回收裝置，包括攪拌釜和與攪拌釜連通的過濾罐，攪拌釜...

圖3是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖五，其顯示光刻膠炸裂到臨近光刻膠。圖7是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖六，其顯示光刻膠去除殘留。圖8是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖一，其顯示首先剝離去除主要光刻膠層。圖9是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖二，其顯示逐步剝離去除第二光刻膠層的中間過程。圖10是本發(fā)明光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示完全去除光刻膠后的襯底。圖11是采用現有技術剝離去除光刻膠殘...

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進行下一步。有時直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對于等離子體處理過的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把加熱到60℃，雖然去膠效果快了一些，但是沸點是60℃，揮發(fā)的特別快，而且**蒸汽也有易燃的風險，因此找一款去膠效果好的光刻膠剝離液十分有必要。介紹常見的一款剝離液，該剝離液去膠效果好，但是對砷化鎵有輕微腐蝕，不易長時間浸泡。工藝參數因產品和光刻膠的種類而不同，但基本上都要加熱。上海和輝光電用的哪家的剝離液？安徽京東方用的蝕刻液剝離液 ...

形成帶有沉淀物的固液混合物，打開一級過濾罐進料管路上的電磁閥18，固液混合物進入一級過濾罐16的過濾筒中，先由一級過濾罐16的過濾筒過濾得到一級線性酚醛樹脂，濾液由提升泵6送往攪拌釜的循環(huán)料口7，往復3次數后，一級線性酚醛樹脂回收完成，關閉一級過濾罐進料管路上的電磁閥18，利用提升泵6將一級過濾罐16中濾液抽取到攪拌釜10內備用；2、向攪拌釜10中輸入酸性溶液，與前述濾液充分攪拌混合再次析出沉淀物，即二級線性酚醛樹脂，利用ph計檢測溶液ph值，當達到5-7范圍內即可，打開二級過濾罐13進料管路上的電磁閥17，帶有沉淀物的混合液進入二級過濾罐13中，由其中的過濾筒過濾得到二級線性酚醛樹脂...

本發(fā)明涉及剝離液技術領域：，更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術：：電子行業(yè)飛速發(fā)展，光刻膠應用也越來越。在半導體元器件制造過程中，經過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材，才能再進行下道工序。因此，光刻膠的剝離質量也有直接影響著產品的質量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻，但對于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板)，傳統(tǒng)剝離液親水性不夠，水置換能力較差，容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術實現要素：本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實現上述目的，本發(fā)明采用如下技...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000埃～10000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進行干法剝離；如背景技術中所述，經過高劑量或大分子量的源種注入后，會在光刻膠的外層形成一層硬殼即為主要光刻膠層，主要光刻膠層包裹在第二光刻膠層外。使氮氫混合氣體與光刻膠反應生成含氨揮發(fā)性化合物氣體，反應速率平穩(wěn)，等離子體氮氫混合氣體與主要光刻膠層、第二光刻膠層的反應速率相等。等離子體氮氫混合氣體先剝離去除主要光刻膠層，參考圖8所示。再逐步剝離去除第二光刻膠層，參考圖9和圖10所示?？蛇x的，等離子...

本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導體生產工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術：光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、光阻等，其作用是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠廣泛應用于集成電路(ic)、封裝(packaging)、微機電系統(tǒng)(mems)、光電子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板顯示其(led、lcd、oled)和太陽能光伏(solarpv)等領域。在半導體制造領域，離子注入層光刻膠(參考圖2)在經過高劑量或大...