如果PCB的密度較高，有可能期望測(cè)量的引腳附近根本找不到合適的過(guò)孔(比如采用雙面BGA貼裝或采用盲埋孔的PCB設(shè)計(jì)時(shí)),這時(shí)就需要有合適的手段把關(guān)心的BGA引腳上的信號(hào)盡可能無(wú)失真地引出來(lái)。為了解決這種探測(cè)的難題，可以使用一種專門的BGAInterposer(BGA芯片轉(zhuǎn)接板，有時(shí)也稱為BGA探頭)。這是一個(gè)專門設(shè)計(jì)的適配器，使用時(shí)要把適配器焊接在DDR的內(nèi)存顆粒和PCB板中間，并通過(guò)轉(zhuǎn)接板周邊的焊盤把被測(cè)信號(hào)引出。BGA轉(zhuǎn)接板內(nèi)部有專門的埋阻電路設(shè)計(jì)，以盡可能減小信號(hào)分叉對(duì)信號(hào)的影響。一個(gè)DDR的BGA探頭的典型使用場(chǎng)景。DDR4 和 LPDDR4 合規(guī)性測(cè)試軟件。重慶測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試

前面介紹過(guò)，JEDEC規(guī)范定義的DDR信號(hào)的要求是針對(duì)DDR顆粒的引腳上的，但 是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無(wú)法直接測(cè)試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方 式，其測(cè)試到的信號(hào)與芯片引腳處的信號(hào)也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳 處的信號(hào)質(zhì)量， 一種常用的方法是在示波器中對(duì)PCB走線和測(cè)試夾具的影響進(jìn)行軟件的 去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個(gè)鏈路上各部分的S參數(shù)模型 文件(通常通過(guò)仿真或者實(shí)測(cè)得到),并根據(jù)實(shí)際測(cè)試點(diǎn)和期望觀察到的點(diǎn)之間的傳輸函數(shù)， 來(lái)計(jì)算期望位置處的信號(hào)波形，再對(duì)這個(gè)信號(hào)做進(jìn)一步的波形參數(shù)測(cè)量和統(tǒng)計(jì)。展示了典型的DDR4和DDR5信號(hào)質(zhì)量測(cè)試環(huán)境，以及在示波器中進(jìn)行去嵌入操作的 界面。重慶測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試DDR2 3 4物理層一致性測(cè)試；

DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程，以及將實(shí)際的設(shè)計(jì)需求和DDR規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合，我們以一個(gè)實(shí)際的設(shè)計(jì)分析實(shí)例來(lái)說(shuō)明，如何在一個(gè)DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，解讀并使用DDR規(guī)范中的參數(shù)，應(yīng)用到實(shí)際的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。某項(xiàng)目中，對(duì)DDR系統(tǒng)的功能模塊細(xì)化框圖。在這個(gè)系統(tǒng)中，對(duì)DDR的設(shè)計(jì)需求如下。

整個(gè)DDR功能模塊由四個(gè)512MB的DDR芯片組成，選用Micron的DDR存諸芯片MT46V64M8BN-75。每個(gè)DDR芯片是8位數(shù)據(jù)寬度，構(gòu)成32位寬的2GBDDR存諸單元，地址空間為Add<13..0>，分四個(gè)Bank，尋址信號(hào)為BA<1..0>。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

DDR SDRAM即我們通常所說(shuō)的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前 DDR4已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流，DDR5也開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。對(duì)于DDR總線來(lái)說(shuō)，我們通常說(shuō)的 速率是指其數(shù)據(jù)線上信號(hào)的快跳變速率。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是 1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線 上會(huì)有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率 達(dá)不到這個(gè)理想值。 DDR-致性測(cè)試探測(cè)和夾具；

通常測(cè)量眼圖很有效的一種方法就是使用示波器的眼圖測(cè)量功能，即用時(shí)鐘做觸發(fā)對(duì)數(shù) 據(jù)信號(hào)進(jìn)行累積，看累積結(jié)果的差情況是否在可以容許的范圍內(nèi)。但遺憾的是，想用這種 方法直接測(cè)量DDR的信號(hào)質(zhì)量非常困難，因?yàn)镈DR信號(hào)讀寫時(shí)序是不一樣的。

可以看到，寫數(shù)據(jù)(DQ)的跳變位置對(duì)應(yīng)著鎖存信號(hào)(DQS)的中心，而 讀數(shù)據(jù)的跳變位置卻對(duì)應(yīng)著鎖存信號(hào)的邊沿，而且在總線上還有三態(tài)，因此如果直接用DQS 觸發(fā)對(duì)DQ累積進(jìn)行眼圖測(cè)量的話，會(huì)得到的結(jié)果。 DDR2 和 LPDDR2 一致性測(cè)試軟件。山東測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試

DDR5 接收機(jī)一致性和表征測(cè)試應(yīng)用軟件。重慶測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試

按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí) 延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。重慶測(cè)試服務(wù)DDR一致性測(cè)試