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GEMINI FB鍵合機(jī)原理

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-06

EVG&reg;501鍵合機(jī)特征:獨(dú)特的壓力和溫度均勻性;兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器;靈活的研究設(shè)計(jì)和配置;從單芯片到晶圓;各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合);可選的渦輪泵(<1E-5mbar);可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合;開室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);兼容試生產(chǎn),適合于學(xué)校、研究所等;開室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù);200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積:0.8平方米;程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG&reg;501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn):0.1毫巴可選:1E-5mbar EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝,這對(duì)于當(dāng)今和未來(lái)的器件制造是至關(guān)重要。GEMINI FB鍵合機(jī)原理

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引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導(dǎo)體中,這是因?yàn)槠涑杀拘矢咔乙子趹?yīng)用。在ZUI佳環(huán)境中,每秒ZUI多可以創(chuàng)建10個(gè)鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金,但由于銅的相對(duì)成本和可獲得性,銅已成為一種流行的替代方法。此過(guò)程需要一個(gè)類似于裁縫的針狀裝置,以便在施加極高電壓的同時(shí)將電線固定在適當(dāng)?shù)奈恢谩Q乇砻娴膹埩κ谷廴诮饘傩纬汕蛐?,因此得名。?dāng)銅用于球焊時(shí),氮?dú)庖詺鈶B(tài)形式使用,以防止在引線鍵合過(guò)程中形成氧化銅。 SOI鍵合機(jī)研發(fā)可以用嗎我們?cè)诓恍柚匦屡渲糜布那闆r下,EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。

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EVG®620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn),用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign®包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn):±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動(dòng) 可選:電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償:自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度:10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):3個(gè)卡帶站 可選:ZUI多5個(gè)站 

共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),以其作為中間鍵合介質(zhì)層,通過(guò)加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結(jié)性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用, 可以阻止金向硅中擴(kuò)散[10,11]。 清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒。

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BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售,每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用,例如存儲(chǔ)器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征:在單個(gè)平臺(tái)上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過(guò)等離子活化的直接晶圓鍵合,可實(shí)現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米ZUI高數(shù)量或過(guò)程模塊8通量每小時(shí)ZUI多40個(gè)晶圓處理系統(tǒng)4個(gè)裝載口特征:多達(dá)八個(gè)預(yù)處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過(guò)EFEM(設(shè)備前端模塊)實(shí)現(xiàn)ZUI高吞吐量光學(xué)邊緣對(duì)準(zhǔn)模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下: ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合、等離子活化直接鍵合。價(jià)格怎么樣鍵合機(jī)保修期多久

對(duì)于無(wú)夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。GEMINI FB鍵合機(jī)原理

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問(wèn)題,提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對(duì)硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。在對(duì)金層施加一定的壓力和溫度時(shí),金層發(fā)生流動(dòng)、互融,從而形成鍵合。該過(guò)程對(duì)金的純度要求較高,即當(dāng)金層發(fā)生氧化時(shí)就會(huì)影響鍵合質(zhì)量。GEMINI FB鍵合機(jī)原理