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江西EVG820鍵合機

來源: 發(fā)布時間:2025-04-04

臨時鍵合系統(tǒng):臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程,這對于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導體)非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術在其臨時鍵合設備中得到充分體現(xiàn),該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號:EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。 EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的zhuan用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。江西EVG820鍵合機

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對準晶圓鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底zhizao,晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來,這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上硅)。 主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。同時,EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。 江西EVG820鍵合機鍵合機供應商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。

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EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術數(shù)據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理(晶圓被一一基活并結合在等離子體基活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(熔融/分子和中間層粘結) 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學,無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結強度 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)

EVG®850DB自動解鍵合機系統(tǒng)全自動解鍵合,清潔和卸載薄晶圓特色技術數(shù)據在全自動解鍵合機中,經過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗,而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光,熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法,都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設備晶圓。特征在有形和無形的情況下,都能可靠地處理變薄的、彎曲和翹曲的晶片自動清洗解鍵合晶圓程序控制系統(tǒng)實時監(jiān)控和記錄所有相關過程參數(shù)自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面適用于不同基板尺寸的橋接工具功能模塊化的工具布局→根據特定工藝優(yōu)化了產量技術數(shù)據晶圓直徑(基板尺寸)高達300毫米高達12英寸的薄膜面積組態(tài)解鍵合模塊清潔模塊薄膜裱框機選件ID閱讀多種輸出格式高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理 我們在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。

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針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量,以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度,使用恒溫爐進行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻等問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應力匹配度高等優(yōu)點。鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應用實用的技術。貴州鍵合機可以試用嗎

EVG鍵合機使用直接(實時)或間接對準方法,能夠支持大量不同的對準技術。江西EVG820鍵合機

封裝技術對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術發(fā)展和實用化的關鍵技術[1]。實現(xiàn)封裝的技術手段很多,其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發(fā)展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB)  技術[2]。由于表面有微結構的硅片界面已經受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,要進行復雜的拋光處理,這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率[3]。 江西EVG820鍵合機