ANSYS在壓力容器分析設(shè)計中的應(yīng)用
耐壓快插接頭在水壓試驗裝置中的作用
穿艙接頭在深海環(huán)境模擬試驗裝置的作用
耐壓快插接頭的標準與特性
供應(yīng)南京市穿艙接頭直銷江蘇卡普蒂姆物聯(lián)科技供應(yīng)
江蘇卡普蒂姆深海環(huán)境模擬試驗裝置介紹
水壓試驗裝置的原理及應(yīng)用
提供南京市仿真模擬設(shè)計江蘇卡普蒂姆物聯(lián)科技供應(yīng)
供應(yīng)南京市快開式設(shè)備報價江蘇卡普蒂姆物聯(lián)科技供應(yīng)
供應(yīng)南京市滅菌釜直銷江蘇卡普蒂姆物聯(lián)科技供應(yīng)
SmartView®NT自動鍵合對準系統(tǒng),用于通用對準。全自動鍵合對準系統(tǒng),采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術(shù)對于在lingxian技術(shù)的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關(guān)重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征:適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。新疆鍵合機三維芯片應(yīng)用
晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟利益。它允許晶圓制造,封裝和測試的集成,從而簡化制造過程。縮短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機,可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。 EVG850 TB鍵合機國內(nèi)用戶EVG晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢?
EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理(晶圓被一一基活并結(jié)合在等離子體基活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(jié)(熔融/分子和中間層粘結(jié)) 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學,無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結(jié)強度 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)
EVG®850TB 自動化臨時鍵合系統(tǒng) 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上特色技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動的臨時鍵合系統(tǒng)可在一個自動化工具中實現(xiàn)整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加,烘焙,將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對準和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣,設(shè)備布局是模塊化的,這意味著可以根據(jù)特定過程對吞吐量進行優(yōu)化。可選的在線計量模塊允許通過反饋回路進行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺,因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑,例如旋涂熱塑性塑料,熱固性材料或膠帶。EVG501鍵合機:桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。
目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發(fā)生流動、互融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當金層發(fā)生氧化時就會影響鍵合質(zhì)量。EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。湖北官方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機
EVG鍵合機晶圓加工服務(wù)包含如下: ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。新疆鍵合機三維芯片應(yīng)用
EVG®850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標準工藝氣體:N2和O2以及2種其他工藝氣體:高純度氣體(99.999%),稀有氣體(Ar,He,Ne等)和形成氣體(N2,Ar含量蕞/高為4%的氣體)2) 通用質(zhì)量流量控制器:蕞多可對4種工藝氣體進行自校準,可對配方進行編程,流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件),高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成 清潔介質(zhì):去離子水(標準),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站。新疆鍵合機三維芯片應(yīng)用