晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開(kāi)然后在繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試之前應(yīng)用封裝和引線，而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路。測(cè)試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見(jiàn)的組件封裝類型一樣，用晶圓級(jí)封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過(guò)熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級(jí)組件通?？梢耘c其他表面貼裝設(shè)備類似地使用。例如，它們通常可以在卷帶機(jī)上購(gòu)買(mǎi)，以用于稱為拾取和放置機(jī)器的自動(dòng)化組件放置系統(tǒng)。 在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。官方授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)鍵合機(jī)國(guó)內(nèi)代理

長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開(kāi)來(lái)，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)geming。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或gao級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。 江蘇鍵合機(jī)技術(shù)服務(wù)自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)EVG?560，擁有多達(dá)4個(gè)鍵合室，能滿足各種鍵合操作；可以自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站。

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開(kāi)研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來(lái)保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻等問(wèn)題。高低溫循環(huán)測(cè)試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí)，具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。

1)由既定拉力測(cè)試高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí)，解決了鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對(duì)環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。2)由高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實(shí)現(xiàn)圖形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。3)由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對(duì)工藝流程進(jìn)一步優(yōu)化，對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率。 我們的服務(wù)包括通過(guò)安全的連接，電話或電子郵件，對(duì)包括現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證，進(jìn)行實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和設(shè)備/工藝排除故障。

EVG&reg;501鍵合機(jī)特征：獨(dú)特的壓力和溫度均勻性；兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器；靈活的研究設(shè)計(jì)和配置；從單芯片到晶圓；各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）；可選的渦輪泵（<1E-5mbar）；可升級(jí)用于陽(yáng)極鍵合；開(kāi)室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校、研究所等；開(kāi)室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)；200mm鍵合系統(tǒng)的ZUI小占地面積：0.8平方米；程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。EVG&reg;501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力為20kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴可選：1E-5mbar 晶圓級(jí)涂層、封裝，工程襯底zhi造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。EV Group鍵合機(jī)原理

EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑、陽(yáng)極、直接/熔融、玻璃料、焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散、熱壓縮工藝。官方授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)鍵合機(jī)國(guó)內(nèi)代理

EVG®6200BA自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)化鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對(duì)準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對(duì)準(zhǔn) 手動(dòng)或電動(dòng)對(duì)中平臺(tái)，帶有自動(dòng)對(duì)中選項(xiàng) 全電動(dòng)高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面官方授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)鍵合機(jī)國(guó)內(nèi)代理