可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當于或類似于可控制的單向（或雙向）二極管，利用其可控功能，實現(xiàn)了弱電流對強電的控制。此外，晶閘管具有體積小、結構簡單、功能強、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點。晶閘管可用于下列過程：

1、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電；

2、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電；

3、變頻：將一個頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電；

4、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓；

5、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓；

6、無觸點通斷：用無觸點開關代替交流接觸器實現(xiàn)開關控制。 歡迎各界朋友蒞臨參觀。河南雙向可控硅模塊

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導通角問題，負載電流存在一些波動和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負載×U∕U實際

K ：安全系數(shù)，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的強大電流； U實際：負載上的小電壓；

U強大 模塊能輸出的強大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 菏澤小功率可控硅模塊供應商淄博正高電氣有限公司以***，高質(zhì)量的產(chǎn)品，滿足廣大新老用戶的需求。

可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等?，F(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：首層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。

可控硅模塊在電子行業(yè)中應用以及發(fā)展比較廣，它已經(jīng)應用到了很多電子設備中，不同設備中使用的可控硅模塊類型也是不同的，下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下。

1．選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型，應根據(jù)應用電路的具體要求合理選用。

  若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選用普通可控硅模塊。

  若用于交流開關、交流調(diào)壓、交流電動機線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應選用雙向可控硅模塊。

  若用于交流電動機變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門極關斷可控硅模塊。

  若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG可控硅模塊。

  若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統(tǒng)及開關電源等電路，可選用逆導可控硅模塊。

  若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數(shù)器、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運行監(jiān)控電路，可選用光控可控硅模塊。 淄博正高電氣有限公司一切從實際出發(fā)、注重實質(zhì)內(nèi)容。

接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結已經(jīng)損壞。反向阻值應很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞，工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。 淄博正高電氣有限公司不斷完善自我，滿足客戶需求。河南雙向可控硅模塊

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可控硅模塊特點：

1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。

5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 河南雙向可控硅模塊

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