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濱州MTDC100晶閘管智能模塊配件

來源: 發(fā)布時間:2021-12-22

    是一種具有三個PN結(jié)的功率型半導體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為:單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”,圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有:額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數(shù)指標,并留有一定余量,以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是:陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是:兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦裕床坏哂幸话愣O管單向?qū)щ姷恼髯饔?,而且可以對導通電流進行控制。單向晶閘管是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成三個PN結(jié),具有三個外電極A、K和G,可等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復合管,見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓后,管子并不導通。此時在控制極G加上正電壓時,VT1、VT2相繼迅速導通,此時即使去掉控制極電壓,管子仍維持導通狀態(tài)。雙向晶閘管可以等效為兩個單向晶閘管反向并聯(lián),見圖14右邊,雙向晶閘管可以控制雙向?qū)?,因此除控制極G外的另兩個電極不再分陽極陰極。正高電氣技術力量雄厚,工裝設備和檢測儀器齊備,檢驗與實驗手段完善。濱州MTDC100晶閘管智能模塊配件

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡,該網(wǎng)絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道,晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下,因各層相距很近,其J2結(jié)結(jié)面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時,便會有充電電流流過電容C0,并通過J3結(jié),這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時,陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下,晶閘管(可控硅)誤導通現(xiàn)象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管(可控硅)安全運行,常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡。MTAC260晶閘管智能模塊批發(fā)正高電氣尊崇團結(jié)、信譽、勤奮。

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    過流保護如果想得到較安全的過流保護,建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法??焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的,按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差,當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時,即使時間很短,也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,會引起晶閘管硬開通,它不僅使電路工作失常,且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低,甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護,推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護措施。(1)阻容吸收回路晶閘管從導通到阻斷時,和開關電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會產(chǎn)生過電壓。

    這兩部分電路,R5、RP和C5構(gòu)成阻容移相電路。合上電源開關S,交流電源電壓通過R5、RP向電容器C5充電,當電容器C5兩端的電壓上升到略高于雙向觸發(fā)二極管ST的轉(zhuǎn)折電壓時,ST和雙向晶閘管VS相繼導通,負載RL得電工作。當交流電源電壓過零瞬間,雙向晶閘管自行關斷,接著C5又被電源反向充電,重復上述過程。分析電路時,觸發(fā)電路是工作在交流電路中的,交流電壓的正、負半周分別會發(fā)出正、負觸發(fā)脈沖送到雙向晶閘管的控制極,使管子在正、負半周內(nèi)對稱地導通一次。改變RP的阻值,就改變了C5的充電速度,也就改變了雙向晶閘管的導通角,相應地改變了負載RL上的交流電壓,實現(xiàn)了交流調(diào)壓。同是不是可以直接作交流調(diào)壓器使用呢?一個簡易型調(diào)壓器,在要求不高的場合(如燈具調(diào)光)完全可以使用。這種調(diào)壓器的缺點有兩個:一是負載RL上的電壓不能從零伏起調(diào),比較低只能調(diào)到20V。當RP調(diào)到比較大值時,C5充電速度變得很慢,以致在交流電壓的半個周期時間內(nèi),C5上的電壓還來不及上升到雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓,雙向晶閘管就不能導通。為了克服這一缺點,增加了由R4、C4和R6組成的另一條阻容移相電路。當RP調(diào)到極限值以上時。C4上的電壓可經(jīng)R6向C5充電。我公司將以優(yōu)良的產(chǎn)品,周到的服務與尊敬的用戶攜手并進!

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晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法

考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流,存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,在選取模塊電流規(guī)格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算:

I>K×I負載×U較大∕U實際

K :安全系數(shù),阻性負載K= 1.5,感性負載K= 2;

I負載:負載流過的較大電流;    U實際:負載上的較大電壓;

U較大:模塊能輸出的較大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);

I:需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電流一定要大于該值。

例:某系統(tǒng)用三相整流模塊電爐調(diào)溫,380V輸入,輸出電流130A,輸出直流電壓可調(diào)350V~450V,應選擇什么型號的模塊?

選擇方法:三相整流模塊,380V輸入,較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負載,按公式輸出電流應不小于1.5×130×513/350=285.81A,可選取接近(但一定要大于)值,即320A的模塊,型號為:3MTDC320。 正高電氣以顧客為本,誠信服務為經(jīng)營理念。濱州MTDC100晶閘管智能模塊配件

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晶閘管智能調(diào)壓模塊的使用方法

1、各功能端相對com端必須為正,若com端為負極,極性相反,則晶閘管智能調(diào)壓模塊主回路輸出端可能失控。

2、晶閘管智能調(diào)壓模塊各功能端的控制特性均為正極性,即控制電壓越高,模塊強電主回路輸出電壓越高。

3、晶閘管智能調(diào)壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式,若2種以上方式同時輸入使用,則輸入信號較強的一種起主要作用。

4、晶閘管智能調(diào)壓模塊電源為上進下出,三相交流電路的進線R、S、T無相序要求,導線粗細按實際使用電流選擇。

5、晶閘管智能調(diào)壓模塊N線*為模塊內(nèi)部開關電源用,用1平方細導線即可,N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設計。

6、晶閘管智能調(diào)壓模塊在使用過程中若發(fā)生過流現(xiàn)象,應首先檢查負載有無短路等故障??稍谀K的進線R、S、T端之前安裝快速熔斷器進行過流保護,規(guī)格可按實際負載電流的1.5倍選配。

7、智能晶閘管智能調(diào)壓模塊應與散熱器配合使用,在機柜中與其他器件之間有足夠的散熱空間。必要時可安裝風扇強制散熱。 濱州MTDC100晶閘管智能模塊配件

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