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您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?
可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽(yáng)極承受正電壓,只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí),可控硅才能導(dǎo)通。由門(mén)級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽(yáng)極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽(yáng)極電流,即高于電流IL??煽毓鑼?dǎo)通后的電壓降很小。
接通可控硅模塊的條件是將流過(guò)可控硅模塊的電流減小到較小的值,即保持電流IH。有兩種方法:
1.將正極電壓降低至數(shù)值,或添加反向陽(yáng)極電壓。
2.增加負(fù)載電路中的電阻。
以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài),希望能幫助您 淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shù)革新,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,提高技術(shù)水平。萊蕪反并聯(lián)可控硅模塊批發(fā)
可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí),BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),BG2便有基流ib2流過(guò),經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時(shí),電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,兩個(gè)管子的電流劇增,可控硅使飽和導(dǎo)通。
由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?,所以一旦可控硅?dǎo)通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用,沒(méi)有關(guān)斷功能,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。
由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開(kāi)關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 德州快恢復(fù)可控硅模塊淄博正高電氣有限公司創(chuàng)新發(fā)展,努力拼搏。
雙向可控硅晶閘管使用中,應(yīng)特別注意以下事項(xiàng):
1.靈敏度
雙向可控硅是一個(gè)三端元件,但我們不再稱(chēng)其兩極為陰陽(yáng)極,而是稱(chēng)作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無(wú)論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門(mén)極電流IGT是有區(qū)別的。
2.可控硅過(guò)載的保護(hù)
可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多,但是它過(guò)載能力差,短時(shí)間的過(guò)流,過(guò)壓都會(huì)造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:
(1)外加電壓下允許超過(guò)正向轉(zhuǎn)折電壓,否則控制極將不起作用;
(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來(lái)??;
(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護(hù)措施,一般對(duì)過(guò)流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些,一般多采用前者,過(guò)電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過(guò)程產(chǎn)生的過(guò)壓。由于,過(guò)電壓的尖峰高,作用時(shí)間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。
可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,在您了解的知識(shí)中,您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?下面正高電氣來(lái)講解一下。
可控硅模塊的工作條件:
1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門(mén)級(jí)承受哪種電壓,可控硅模塊都會(huì)處于斷開(kāi)狀態(tài)。
2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽(yáng)極電壓時(shí),可控硅*在門(mén)級(jí)受到正向電壓時(shí)接通。
3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),只需要有一定的正極電壓,不管門(mén)極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導(dǎo)通,如果可控硅導(dǎo)通后,門(mén)極將失去其功能。
4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí),可控硅模塊關(guān)斷。 我們?cè)概c您共同努力,共擔(dān)風(fēng)雨,合作共贏。
可控硅模塊的作用和優(yōu)勢(shì)大家都知道,它的應(yīng)用范圍是非常廣的,在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來(lái)講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。
在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。 地理位置優(yōu)越,交通十分便利。濱州可控硅模塊廠家
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可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域
該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè)、通訊、**等各類(lèi)電氣操控、電源等,依據(jù)還可經(jīng)過(guò)模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功用,并可結(jié)束過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺持平維護(hù)功用。
可控硅模塊的操控辦法
經(jīng)過(guò)輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號(hào),經(jīng)過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤(rùn)調(diào)度,結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程。
電壓或電流信號(hào)可取自各種操控外表、核算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號(hào)選用0~5V,0~10V,4~20mA三種對(duì)比常用的操控辦法。
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