兩束滿足相干條件的信號(hào)稱為相干信號(hào)，相干條件（CoherentCondition）：這兩束信號(hào)在相遇區(qū)域：①振動(dòng)方向相同；②振動(dòng)頻率相同；③相位相同或相位差保持恒定那么在兩束信號(hào)相遇的區(qū)域內(nèi)就會(huì)產(chǎn)生干涉現(xiàn)象。能發(fā)出相互干涉的信號(hào)的兩個(gè)信號(hào)源就叫相干信號(hào)源。在相干信號(hào)源情況下正確估計(jì)信號(hào)方向(即解相干或去相關(guān))的關(guān)鍵問題是如何通過一系列處理或變換使得信號(hào)協(xié)方差矩陣的秩得到有效恢復(fù)，從而正確估計(jì)信號(hào)源的方向。目前關(guān)于解相干的處理基本有兩大類：一類是降維處理;另一類是非降維處理。在光線作用下，物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的現(xiàn)象稱為外光電效應(yīng)。飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器有什么

光通信雖然以光作為傳播媒介，但歸根結(jié)底還是基于電的。光載波需要使用電信號(hào)來進(jìn)行調(diào)制，接收機(jī)接收到光信號(hào)也需要將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，才能獲得所攜帶的信息。光的帶寬暫且可以認(rèn)為是無(wú)限的，但是電信號(hào)的帶寬不可能無(wú)限提高。相對(duì)于低頻信號(hào)，高頻信號(hào)有著更高的損耗（包括導(dǎo)線損耗、介質(zhì)損耗以及電磁輻射等），這就導(dǎo)致信號(hào)通路的頻率響應(yīng)是一條向下的曲線，高頻成分的減少導(dǎo)致上升下降時(shí)間會(huì)比原來更長(zhǎng)（因?yàn)楦叽沃C波比低次諧波更為陡峭，這點(diǎn)很容易理解）。因此帶寬的選擇對(duì)時(shí)域波形的較短上升邊有直接的影響。飛博光電30GHZ APD光電探測(cè)器要求光電探測(cè)器的電路模型中包含的電阻為其熱噪聲的主要來源。

光電導(dǎo)器件：利用具有光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體材料做成的光電探測(cè)器稱為光電導(dǎo)器件，通常叫做光敏電阻。在可見光波段和大氣透過的幾個(gè)窗口，即近紅外、中紅外和遠(yuǎn)紅外波段，都有適用的光敏電阻。光敏電阻被較多地用于光電自動(dòng)探測(cè)系統(tǒng)、光電跟蹤系統(tǒng)、導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外光譜系統(tǒng)等。硫化鎘CdS和硒化鎘CdSe光敏電阻是可見光波段用得較多的兩種光敏電阻；硫化鉛PbS光敏電阻是工作于大氣紅外透過窗口的主要光敏電阻，室溫工作的PbS光敏電阻響應(yīng)波長(zhǎng)范圍1.0～3.5微米，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)2.4微米左右；銻化銦InSb光敏電阻主要用于探測(cè)大氣第二個(gè)紅外透過窗口，其響應(yīng)波長(zhǎng)3～5μm；碲鎘汞器件的光譜響應(yīng)在8～14微米，其峰值波長(zhǎng)為10.6微米，與CO2激光器的激光波長(zhǎng)相匹配，用于探測(cè)大氣第三個(gè)窗口（8～14微米）。

光伏探測(cè)器基于光照產(chǎn)生電勢(shì)差，用測(cè)電勢(shì)差的原理。它分為光電池與光電二極管兩種類型，光電池主要是把光能轉(zhuǎn)換為電能的器件，目前有硒光電池、硅光電池、砷化鎵及鍺光電池等，但目前運(yùn)用較廣的是硅光電池。光電二級(jí)管分為P-N結(jié)光電二極管、PIN光電二級(jí)管、雪崩光電二極管、光電三級(jí)管等。PIN光電二極管又稱快速光電二極管，與一般的光電二極管相比，它具有不的時(shí)間常量，并使光譜響應(yīng)范轉(zhuǎn)向長(zhǎng)波方向移動(dòng)，其峰值波長(zhǎng)可移至1.04~1.06um而與YAG激光器的發(fā)射波長(zhǎng)相對(duì)應(yīng)。它具有靈敏度高的優(yōu)點(diǎn)。它是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間夾了一層本征半導(dǎo)體構(gòu)成的。因?yàn)楸菊靼雽?dǎo)體近似于介質(zhì)，這就相當(dāng)于增大了P-N結(jié)結(jié)電容兩個(gè)電極之間的距離，使結(jié)電容變得很小。其次，P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體中耗盡層的寬度是隨反向電壓增加而加寬的，隨著反偏壓的增大，結(jié)電容也要變得很小。由于I層的存在，而P區(qū)一般做得很薄，入射光子只能在I層內(nèi)被吸收，而反向偏壓主要集中在I區(qū)，形成高電場(chǎng)區(qū)，I區(qū)的光生載流子在強(qiáng)電場(chǎng)作用下加速運(yùn)動(dòng)，所以載流子渡越時(shí)間常量減小，從而改善了光電二極管的頻率響應(yīng)。同時(shí)I層的引入加大了耗盡區(qū)，展寬了光電轉(zhuǎn)換的有效工作區(qū)域，從而使靈敏度得以提高。光電探測(cè)器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配。

光電三級(jí)管與光電二極管比較，光電三級(jí)管輸出電流較大，一般在毫安級(jí)，但光照特性較差，多用于要求輸出電流較大的場(chǎng)合。光電三極管有pnp和npn型兩種結(jié)構(gòu)，常用材料有硅和鍺。例如用硅材料制作的npn型結(jié)有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光電三極管，其暗電流比鍺光電三極管小，且受溫度變化影響小，所以得到位廣泛應(yīng)用。下面以3DU型光電三極管為例說明它的結(jié)構(gòu)、工作原理與主要特性。3DU型光電三極管是以p型硅為基極的三極管。3DU管的結(jié)構(gòu)和普通晶體管類似，只是在材料的摻雜情況、結(jié)面積的大小和基極引線的設(shè)置上和普通晶體管不同。因?yàn)楣怆娙龢O管要響應(yīng)光輻射，受光面即集電結(jié)（bc結(jié)）面積比一般晶體管大。另外，它是利用光控制集電極電流的，所以在基極上既可設(shè)置引線進(jìn)行電控制，也可以不設(shè)，完全同光一控制。它的工作原理是工作時(shí)各電極所加的電壓與普通晶體管相同，即要保證集電結(jié)反偏置，發(fā)射正偏聽偏置。由于集電結(jié)是反偏壓，在結(jié)區(qū)有很強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)，對(duì)3DU管來講，內(nèi)建電場(chǎng)方向是由c到b的。和光電二極管工作原理相同。通常光電探測(cè)器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲。飛博光電30GHZ APD光電探測(cè)器要求

APD雪崩光電二極管具有較高的接收機(jī)靈敏度。飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器有什么

器件靈敏度用一定偏壓下每流明輻照所產(chǎn)生的光電流的大小來表示。例如一種CdS光敏電阻,當(dāng)偏壓為70伏時(shí)，暗電流為10-6～10-8安，光照靈敏度為3～10安/流明。CdSe光敏電阻的靈敏度一般比CdS高。光敏電阻另一個(gè)重要參數(shù)是時(shí)間常數(shù)τ，它表示器件對(duì)光照反應(yīng)速度的大小。光照突然去除以后，光電流下降到最大值的1/e（約為37%）所需的時(shí)間為時(shí)間常數(shù)τ。也有按光電流下降到最大值的10%計(jì)算τ的;各種光敏電阻的時(shí)間常數(shù)差別很大。CdS的時(shí)間常數(shù)比較大（毫秒量級(jí)）。紅外波段的光電導(dǎo)探測(cè)器PbS、Hg1-xCdxTe的常用響應(yīng)波段在1～3微米、3～5微米、8～14微米三個(gè)大氣透過窗口。由于它們的禁帶寬度很窄，因此在室溫下，熱激發(fā)足以使導(dǎo)帶中有大量的自由載流子，這就快速降低了對(duì)輻射的靈敏度。飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器有什么

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