為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號，光電探測器不僅要和被測信號、光學(xué)系統(tǒng)相匹配，而且要和后續(xù)的電子線路在特性和工作參數(shù)上相匹配，使每個相互連接的器件都處于比較好的工作狀態(tài)?，F(xiàn)將光電探測器件的應(yīng)用選擇要點(diǎn)歸納如下：光電探測器必須和輻射信號源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測量波長是紫外波段，則選用光電倍增管或?qū)ｉT的紫外光電半導(dǎo)體器件；如果信號是可見光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件；如果是紅外信號，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管。光電二極管的工作原理同光電池一樣，都是基于PN結(jié)的光伏效應(yīng)工作的。雪崩光電探測器價格對比

光伏探測器基于光照產(chǎn)生電勢差，用測電勢差的原理。它分為光電池與光電二極管兩種類型，光電池主要是把光能轉(zhuǎn)換為電能的器件，目前有硒光電池、硅光電池、砷化鎵及鍺光電池等，但目前運(yùn)用較廣的是硅光電池。光電二級管分為P-N結(jié)光電二極管、PIN光電二級管、雪崩光電二極管、光電三級管等。PIN光電二極管又稱快速光電二極管，與一般的光電二極管相比，它具有不的時間常量，并使光譜響應(yīng)范轉(zhuǎn)向長波方向移動，其峰值波長可移至1.04~1.06um而與YAG激光器的發(fā)射波長相對應(yīng)。它具有靈敏度高的優(yōu)點(diǎn)。它是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間夾了一層本征半導(dǎo)體構(gòu)成的。因為本征半導(dǎo)體近似于介質(zhì)，這就相當(dāng)于增大了P-N結(jié)結(jié)電容兩個電極之間的距離，使結(jié)電容變得很小。其次，P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體中耗盡層的寬度是隨反向電壓增加而加寬的，隨著反偏壓的增大，結(jié)電容也要變得很小。由于I層的存在，而P區(qū)一般做得很薄，入射光子只能在I層內(nèi)被吸收，而反向偏壓主要集中在I區(qū)，形成高電場區(qū)，I區(qū)的光生載流子在強(qiáng)電場作用下加速運(yùn)動，所以載流子渡越時間常量減小，從而改善了光電二極管的頻率響應(yīng)。同時I層的引入加大了耗盡區(qū)，展寬了光電轉(zhuǎn)換的有效工作區(qū)域，從而使靈敏度得以提高。石巖高帶寬光電探測器價格行情半導(dǎo)體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。

光相干接收機(jī)的一個優(yōu)點(diǎn)是數(shù)字信號處理功能。數(shù)字相干接收機(jī)的解調(diào)過程是完全線性的；所有傳輸光信號的復(fù)雜幅度信息包括偏振態(tài)在檢測后被保存分析，因此可以進(jìn)行各種信號補(bǔ)償處理，比如做色度色散補(bǔ)償和偏振模式色散補(bǔ)償。這就使得長距離傳輸?shù)逆溌吩O(shè)計變得更加簡單，因為傳統(tǒng)的非相干光通信是要通過光路補(bǔ)償器件來進(jìn)行色散補(bǔ)償?shù)裙ぷ鞯摹＃▊鹘y(tǒng)傳輸鏈路的色散問題，即光信號各個組成成分在光纖中傳輸時，抵達(dá)時間不一樣。）相干接收機(jī)比普通的接收機(jī)靈敏度高大約20dB,因此在傳輸系統(tǒng)中無中繼的距離就會越長。得益于接收機(jī)的高靈敏度，我們可以減少在長距離傳輸光路上進(jìn)行放大的次數(shù)?；谝陨显颍喔晒馔ㄐ趴梢詼p少長距離傳輸?shù)墓饫w架設(shè)成本，簡化光路放大和補(bǔ)償設(shè)計，因此在長距離傳輸網(wǎng)上成為了主要的應(yīng)用技術(shù)。

光電探測器是光接收器的主要器件之一，用來將光功率轉(zhuǎn)換為電流。根據(jù)系統(tǒng)的性能目標(biāo)，可以選用PIN或APD（雪崩光電二極管）光電探測器。誤碼率（BER）是用于指定通信傳輸系統(tǒng)可靠性的主要指標(biāo)，通常與接收機(jī)靈敏度值相關(guān)，該值定義了必須到達(dá)光電探測器的較小平均光功率，以實現(xiàn)所需的BER性能。另外，信道的Q值可以從采樣的信號統(tǒng)計中計算出來，并用于估計系統(tǒng)的誤碼率。光電探測器在定義基本通信系統(tǒng)的較終靈敏度方面起著重要的作用，因為它以散彈噪聲和熱噪聲的形式提供統(tǒng)計擾動，并引入了暗電流及定義響應(yīng)率來衡量每單位輸入功率獲得多少電輸出。這些特性取決于入射光的波長和傳感器的材料特性和物理設(shè)計。光電探測器可分為兩大類：一類是光子探測器；另一類是熱探測器。

雪崩光電二極管（APD）當(dāng)二極管PN結(jié)上加上足夠強(qiáng)的反向電壓的時候，耗盡區(qū)存在一個很強(qiáng)的場，足夠使強(qiáng)電場飄移的光生載流子獲得充分的動能來通過晶格原子碰撞產(chǎn)生新的載流子，新的載流子再次碰撞形成更多載流子，這樣就實現(xiàn)了雪崩式的載流子倍增。但這同時也會造成噪聲的放大當(dāng)入射光功率腳較小時，多采用APD，此時引入的噪聲不大，在入射光功率較大時，雪崩增益引起的噪聲貢獻(xiàn)占主要優(yōu)勢，可能帶來光電流的失真，采用APD帶來的好處不大，采用PIN更為合適。在相干光通信中主要利用了相干調(diào)制和外差檢測技術(shù)。飛博光電光電探測器使用方法

線性度和靈敏度是衡量PIN型光電探測器性能的兩個重要參數(shù)。雪崩光電探測器價格對比

光電探測器的基本工作機(jī)理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號。當(dāng)探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收。半導(dǎo)體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外，還可以用來分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當(dāng)本征吸收開始時，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數(shù)，同時導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。雪崩光電探測器價格對比

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