微流控芯片是在普通毛細管電泳的基本原理和技術的基礎上，利用微加工技術在硅、石英、玻璃或高分子聚合物基質材料上加工出各種微細結構，如管道、反應池、電極之類的功能單元，完成生物和化學等領域中所涉及的樣品制備、生化反應、處理（混合、過濾、稀釋）、分離檢測等一系列任務，具有快速、高效、低耗、分析過程自動化和應用范圍廣等特點的微型分析實驗裝置。目前已成為微全分析系統（micrototalanalysissystems,μ-TAS）和芯片實驗室（labonachip）的發(fā)展重點和前沿領域。為常見的聚合物微流控芯片形式。近年來，由于生化分析的復雜性和多樣性需求，微流控芯片技術的發(fā)展愈發(fā)趨于組合化和集成化，在一塊芯片基片上集成多種功能單元成為一種常見形式，普遍應用于醫(yī)學診斷、醫(yī)學分析、藥物篩選、環(huán)境監(jiān)測和燃料電池技術等諸多領域?；诟咄靠焖俜蛛x的需要，多通道陣列并行操作是微流控芯片的發(fā)展的趨勢，芯片微通道數量已從較初的12通道、96通道，發(fā)展到現在的384通道。微納加工平臺包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測量。陽江微納加工平臺

    高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術適用于小面積的微納結構制作。近年來，三維浮雕微納結構的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等。據悉，蘋果公司新上市的手機產品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統也用到了復雜的微光學元件。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作。直寫技術，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調節(jié)，可以實現良好的灰度光刻能力。 陽江微納加工平臺微納加工技術的特點多學科交叉。

    微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝。在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法，CVD和PECVD用于生長氮化硅、氧化硅等介質膜。真空蒸鍍，簡稱蒸鍍，是指在真空條件下，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法。蒸鍍是使用較早、用途較廣的氣相沉積技術，具有成膜方法簡單、薄膜純度和致密性高、膜結構和性能獨特等優(yōu)點。

光刻是半導體制造中常用的技術之一，是現代光電子器件制造的基礎。然而，深紫外和極紫外光刻系統及其相應的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術，導致其價格都相對昂貴。因此，無掩模的高速制備法是微納結構制備的優(yōu)先方法。在這些無掩模方法中，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量。但是，實際應用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高。微納加工技術的特點：微型化。

微納制造技術一般是指微米、納米級的材料、設計、制造、測量控制和產品的研發(fā)、加工、制造以及應用技術。微納制造技術是繼IT、生物技術之后，21世紀較具發(fā)展?jié)摿Φ难芯款I域和新興產業(yè)之一。微納制造技術較早是由加工精度研究的角度延伸出來的。伴隨著科技進步和制造業(yè)的快速發(fā)展，人們對加工精度的要求越來越高，傳統加工方式的加工精度越來越難以滿足諸多領域的應用和研究需求。這一需求促使人們投入到更高精度加工技術的研發(fā)上。從較初的毫米級（10-3m）到微米級（10-6m）和納米級（10-9m），人類的制造水平逐步由宏觀尺度向微觀尺度邁進，“微納制造技術”的概念也應運而生。微納制造技術研發(fā)和應用標志著人類可以在微、納米尺度認識和改造世界。陽江微納加工平臺

大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。陽江微納加工平臺

微納加工當中，GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來做掩膜，但是刻蝕GaN和光刻膠，選擇比接近1:1，如果需要刻蝕深度超過3微米以上就需要采用厚膠來做掩膜。對于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來做刻蝕的掩模，刻蝕GaN的氣體對于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達到8:1。應用于MEMS制作的襯底可以說是各種各樣的，如硅晶圓、玻璃晶圓、塑料、還其他的材料。硅晶圓包括氧化硅片、SOI硅片、高阻硅片等，硅片晶圓包括單晶石英玻璃、高硼硅玻璃、光學玻璃、光敏玻璃等。塑料材料包括PMMA、PS、光學樹脂等材料。其他材料包括陶瓷、AlN材料、金屬等材料。陽江微納加工平臺