值得注意的是，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，穩(wěn)壓二極管和普通二極管也在不斷升級(jí)和優(yōu)化。新型的穩(wěn)壓二極管具有更高的精度和更低的功耗，能夠滿足更高要求的電路應(yīng)用；而新型普通二極管則具有更快的響應(yīng)速度和更高的可靠性，能夠更好地適應(yīng)復(fù)雜的電路環(huán)境?？傊?，穩(wěn)壓二極管和普通二極管作為電子工程中常用的元件，它們?cè)诠δ?、結(jié)構(gòu)、電性能和應(yīng)用場(chǎng)景等方面都存在著明顯的差異。了解這些差異有助于我們更好地選擇和使用這兩種元件，從而構(gòu)建出穩(wěn)定、可靠的電路系統(tǒng)。同時(shí)，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，我們可以期待這兩種元件在未來(lái)能夠發(fā)揮更加出色的性能，為電子工程領(lǐng)域的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。二極管還可用于電子系統(tǒng)中的保護(hù)電路，防止過(guò)電壓損壞其他元件?；葜菁す舛O管廠家直銷

工作原理：晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的pn結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于pn結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，pn結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。pn結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。肇慶半導(dǎo)體二極管生產(chǎn)廠家二極管還可用作信號(hào)調(diào)節(jié)、保護(hù)電路中的開(kāi)關(guān)元件。

阻尼二極管，阻尼二極管英文名稱為Damping diode，它具有較高的反向工作電壓和峰值電流，較小的正向壓降，高頻高壓整流二極管，可用作電視線路掃描電路中的阻尼和升壓整流器。阻尼二極管主要用于黑白或彩電線路掃描電路的阻尼、整流電路，可以是硅二極管或鍺二極管。它具有類似于高頻高壓整流二極管的特性。它的反向恢復(fù)時(shí)間很短，能夠承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流。它可以工作在高頻(線路頻率)，并具有較低的正向壓降。

交流二極管（DIAC）、突波保護(hù)二極管、雙向觸發(fā)二極管，當(dāng)施加超過(guò)規(guī)定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會(huì)開(kāi)始導(dǎo)通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護(hù)上。另，雖被稱為二極管，實(shí)際的構(gòu)造、動(dòng)作原理都應(yīng)歸類為閘流管/可控硅整流器的復(fù)雜分類中。非線性電阻器，若超過(guò)一定電壓，電阻就會(huì)降低。是保護(hù)電路受到突波電壓傷害的雙向元件。通常由二氧化鋅的燒結(jié)體顆粒制成，當(dāng)作非線性電阻使用。雖然一般認(rèn)為它的作用應(yīng)是由內(nèi)部眾多金屬氧化物顆粒間的肖特基接面二極管效應(yīng)而產(chǎn)生，但對(duì)外并不呈現(xiàn)二極管的特性，因此平常并不列在二極管分類之中。由于二管有低成本、易于制造的特點(diǎn)，普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。

二極管是由管芯、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成。管芯就是一個(gè)PN結(jié)，在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構(gòu)成了晶體二極管，如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽(yáng)極，N區(qū)的引出的電極稱為負(fù)極或陰極。二極管的伏安特性，半導(dǎo)體二極管的主要是PN結(jié)，它的特性就是PN結(jié)的特性——單向?qū)щ娦浴３＠梅蔡匦郧€來(lái)形象地描述二極管的單向?qū)щ娦?。若以電壓為橫坐標(biāo)，電流為縱坐標(biāo)，用作圖法把電壓、電流的對(duì)應(yīng)值用平滑的曲線連接起來(lái)，就構(gòu)成二極管的伏安特性曲線，如下圖所示（圖中虛線為鍺管的伏安特性，實(shí)線為硅管的伏安特性）。二極管在電子領(lǐng)域的應(yīng)用極為普遍，是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的關(guān)鍵器件之一。珠海電子電路二極管工作原理

二極管的工作穩(wěn)定性和可靠性受到制工藝和材料質(zhì)量的影響?；葜菁す舛O管廠家直銷

二極管反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時(shí)，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí)，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很?。绘N二極管的反向擊穿特性比較軟，過(guò)渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機(jī)理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時(shí)，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當(dāng)在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點(diǎn)?；葜菁す舛O管廠家直銷