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功耗低場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-03-23

強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管在深空探測(cè)中的意義:深空探測(cè)環(huán)境極端惡劣,強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管是探測(cè)器能夠正常工作的關(guān)鍵保障。探測(cè)器在穿越輻射帶、靠近太陽(yáng)等過(guò)程中,會(huì)遭受宇宙射線的輻射,這種輻射強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了普通電子設(shè)備的承受能力。強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管采用特殊材料與結(jié)構(gòu),能夠有效抵御輻射粒子的轟擊,保持穩(wěn)定的電學(xué)性能。在火星探測(cè)器的電子系統(tǒng)中,強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管用于控制探測(cè)器姿態(tài)、通信、數(shù)據(jù)采集等關(guān)鍵電路。它確保探測(cè)器在火星表面長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行,將珍貴的探測(cè)數(shù)據(jù),如火星的地質(zhì)結(jié)構(gòu)、氣候環(huán)境等數(shù)據(jù)傳回地球。這些數(shù)據(jù)為人類探索宇宙奧秘、拓展認(rèn)知邊界提供了重要的技術(shù)支撐,讓我們對(duì)宇宙的認(rèn)識(shí)不斷深入。MOSFET有三個(gè)電極:柵極、漏極和源極。功耗低場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

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判斷源極S、漏極D,將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因?yàn)闇y(cè)試前提不同,測(cè)出的RDS(on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS(on),在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。功耗低場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管具有較長(zhǎng)的使用壽命,可靠性高,降低了設(shè)備的維護(hù)成本。

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MOS管開(kāi)關(guān)電路圖:頭一種應(yīng)用,由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇,當(dāng)V8V存在時(shí),此時(shí)電壓全部由V8V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT不提供電壓給VSIN,而當(dāng)V8V為低時(shí),VSIN由8V供電。注意R120的接地,該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,確保PMOS的正常開(kāi)啟,這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來(lái)的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反,這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開(kāi)關(guān)管的功能不能達(dá)到,實(shí)際應(yīng)用要注意。

SOA失效(電流失效)再簡(jiǎn)單說(shuō)下第二點(diǎn),SOA失效,SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面,造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式?;蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累,持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過(guò)氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。1:受限于較大額定電流及脈沖電流2:受限于較大節(jié)溫下的RDSON。3:受限于器件較大的耗散功率。4:受限于較大單個(gè)脈沖電流。5:擊穿電壓BVDSS限制區(qū)。我們電源上的MOSFET,只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi),就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問(wèn)題的產(chǎn)生。這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖,由于去過(guò)鋁,可能看起來(lái)不那么直接,參考下。在進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)管電路調(diào)試時(shí),應(yīng)逐步調(diào)整柵極電壓,觀察輸出變化,以確保電路性能達(dá)到預(yù)期。

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MOS管發(fā)熱情況有:1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的較忌諱的錯(cuò)誤。2.頻率太高,主要是有時(shí)過(guò)分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。3.沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于較大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤,對(duì)功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。場(chǎng)效應(yīng)管的可靠性較高,壽命長(zhǎng)。江門(mén)柵極場(chǎng)效應(yīng)管加工

場(chǎng)效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源,為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流,應(yīng)用于精密測(cè)量、激光器等領(lǐng)域。功耗低場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

MOSFET的特性和作用:MOS管導(dǎo)作用,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于SiO2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在,電壓VGS產(chǎn)生電場(chǎng)從而導(dǎo)致源source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面,排名頭一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,隨著國(guó)情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過(guò)消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的,特別是現(xiàn)在汽車電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了。功耗低場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)