內(nèi)凸臺的中心形成有沿厚度方向貫穿內(nèi)凸臺的凸臺孔，調(diào)平件8的中心形成有沿厚度方向貫穿調(diào)平件8的調(diào)平孔，驅(qū)動軸3上形成有調(diào)平螺紋孔，中心螺釘依次穿過調(diào)平孔、凸臺孔和調(diào)平螺紋孔，以將調(diào)平件8和驅(qū)動軸3固定在內(nèi)凸臺上，調(diào)平件8能夠調(diào)整中心螺釘與傳動筒4之間的角度。本實用新型對調(diào)平件8與驅(qū)動軸3如何夾持內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu)41不做具體限定，例如，如圖3所示，調(diào)平件8中形成有多個沿軸向延伸的調(diào)平通道，調(diào)平通道中設(shè)置有調(diào)平球，調(diào)平件8還包括多個調(diào)平螺釘，調(diào)平螺釘與調(diào)平球一一對應(yīng)，調(diào)平螺釘能夠推動調(diào)平球沿調(diào)平通道移動；調(diào)平件8中還形成有多個徑向延伸的楔形通道，楔形通道與調(diào)平通道一一對應(yīng)，且楔形通道沿徑向貫穿調(diào)平件8的調(diào)平通道外側(cè)的外壁，楔形通道中設(shè)置有楔形塊，楔形塊能夠在調(diào)平球移動至楔形通道位置時被調(diào)平球頂入楔形通道，與傳動筒4的內(nèi)壁接觸。在發(fā)現(xiàn)工藝盤轉(zhuǎn)軸1或工藝盤01的角度出現(xiàn)偏差時，將工藝盤01偏高一側(cè)對應(yīng)的調(diào)平螺釘擰入對應(yīng)的調(diào)平通道，該調(diào)平螺釘頂部推動對應(yīng)的調(diào)平球靠近楔形通道，調(diào)平球?qū)?yīng)的楔形塊推出楔形通道，從而增加調(diào)平件8與傳動筒4在該側(cè)內(nèi)壁之間的距離，進(jìn)而使工藝盤轉(zhuǎn)軸1的軸線向該側(cè)轉(zhuǎn)動，實現(xiàn)將工藝盤01偏高的一側(cè)調(diào)低。因此具有更佳的設(shè)計 能力和用自動化的更高可行性。江西HIPS半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工要求

    本實用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，具體地，涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備中的工藝盤組件，以及一種包括該工藝盤組件的半導(dǎo)體設(shè)備。背景技術(shù)：半導(dǎo)體設(shè)備通常由工藝腔和設(shè)置在工藝腔內(nèi)的工藝盤組成，工藝盤用于承載待加工的工件，工件與工藝腔中通入的工藝氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或者由工藝氣體形成沉積物沉積在工件表面，完成晶片的外延等半導(dǎo)體工藝。為了保證工藝盤上熱量的均勻性，通常采用電機(jī)等設(shè)備驅(qū)動工藝盤旋轉(zhuǎn)，目前的工藝盤驅(qū)動機(jī)構(gòu)通常包括滑動軸、襯套和石英轉(zhuǎn)軸。其中，石英轉(zhuǎn)軸用于驅(qū)動工藝盤旋轉(zhuǎn)，襯套套設(shè)在滑動軸上，石英轉(zhuǎn)軸套設(shè)在襯套上，且滑動軸、襯套和石英轉(zhuǎn)軸三者軸線重合，襯套通過貼合面之間的摩擦作用將滑動軸的扭矩傳遞至石英轉(zhuǎn)軸上。然而，基于這種結(jié)構(gòu)目前的半導(dǎo)體設(shè)備經(jīng)常出現(xiàn)工件放偏、工藝效果不佳、工藝盤旋轉(zhuǎn)卡頓等問題。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型旨在提供一種用于半導(dǎo)體設(shè)備的工藝盤組件，該工藝盤組件能夠解決上述技術(shù)問題中的至少一者。為實現(xiàn)上述目的，作為本實用新型的***個方面，提供一種半導(dǎo)體設(shè)備中的工藝盤組件，包括工藝盤和工藝盤轉(zhuǎn)軸，所述工藝盤轉(zhuǎn)軸用于驅(qū)動所述工藝盤旋轉(zhuǎn)，所述工藝盤組件還包括驅(qū)動軸和驅(qū)動襯套。天津電木半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工厚度生產(chǎn)集成電路芯片需要高度專業(yè)化的設(shè)備，可在多重苛刻環(huán)境下工作。

    表1實施例和對比例的碳化硅陶瓷的力學(xué)性能數(shù)據(jù)從上表1中可以看出，實施例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度均在400mpa左右，實施例2得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度甚至高達(dá)451mpa，遠(yuǎn)高于對比例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度。實施例得到的碳化硅陶瓷的顯微硬度至少為2441hv，致密度均在3g/cm3以上，而對比例得到的碳化硅陶瓷的抗顯微硬度和致密度均較低。由此可以看出，采用實施例中的碳化硅陶瓷的制備方法得到的碳化硅陶瓷的力學(xué)性能較好。以上所述實施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。以上所述實施例*表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。

    半導(dǎo)體材料是什么？半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的；因角標(biāo)不可用，暫用當(dāng)前描述）。在一般情況下，半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而升高，這與金屬導(dǎo)體恰好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導(dǎo)體材料的范圍。反映半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料內(nèi)在基本性質(zhì)的卻是各種外界因素如光、熱、磁、電等作用于半導(dǎo)體而引起的物理效應(yīng)和現(xiàn)象，這些可統(tǒng)稱為半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體性質(zhì)。構(gòu)成固態(tài)電子器件的基體材料絕大多數(shù)是半導(dǎo)體，正是這些半導(dǎo)體材料的各種半導(dǎo)體性質(zhì)賦予各種不同類型半導(dǎo)體器件以不同的功能和特性。半導(dǎo)體的基本化學(xué)特征在于原子間存在飽和的共價鍵。作為共價鍵特征的典型是在晶格結(jié)構(gòu)上表現(xiàn)為四面體結(jié)構(gòu)，所以典型的半導(dǎo)體材料具有金剛石或閃鋅礦（ZnS）的結(jié)構(gòu)。由于地球的礦藏多半是化合物，所以**早得到利用的半導(dǎo)體材料都是化合物，例如方鉛礦。磨削、銑削、鉆孔、車削和制造都可以很好地運用在半導(dǎo)體零件加工上。

    半導(dǎo)體材料的應(yīng)用半導(dǎo)體材料的早期應(yīng)用：半導(dǎo)體的***個應(yīng)用就是利用它的整流效應(yīng)作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導(dǎo)體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導(dǎo)體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導(dǎo)體的四個效應(yīng)都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學(xué)家研制成功晶體整流器、硒整流器和氧化亞銅整流器。1931年，蘭治和伯格曼研制成功硒光伏電池。1932年，德國先后研制成功硫化鉛、硒化鉛和碲化鉛等半導(dǎo)體紅外探測器，在二戰(zhàn)中用于偵測飛機(jī)和艦船。二戰(zhàn)時盟軍在半導(dǎo)體方面的研究也取得了很大成效，英國就利用紅外探測器多次偵測到了德國的飛機(jī)。***，半導(dǎo)體已***地用于家電、通訊、工業(yè)制造、航空、航天等領(lǐng)域。1994年，電子工業(yè)的世界市場份額為6910億美元，1998年增加到9358億美元。而其中由于美國經(jīng)濟(jì)的衰退，導(dǎo)致了半導(dǎo)體市場的下滑，即由1995年的1500多億美元，下降到1998年的1300多億美元。經(jīng)過幾年的徘徊，目前半導(dǎo)體市場已有所回升。制備不同的半導(dǎo)體器件對半導(dǎo)體材料有不同的形態(tài)要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導(dǎo)體材料的不同形態(tài)要求對應(yīng)不同的加工工藝。由于該材料的線性熱膨脹系數(shù)（CLTE）較低、公差配置可更緊。湖北環(huán)保半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工特質(zhì)

機(jī)加工能力，支持仿真系統(tǒng)NPI應(yīng)用發(fā)展。江西HIPS半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工要求

    水平定向結(jié)晶法主要用于制備砷化鎵單晶，而垂直定向結(jié)晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產(chǎn)的體單晶再經(jīng)過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應(yīng)的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業(yè)生產(chǎn)使用的主要是化學(xué)氣相外延，其次是液相外延。金屬有機(jī)化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結(jié)構(gòu)。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學(xué)氣相沉積、磁控濺射等方法制成。1、元素半導(dǎo)體材料硅在當(dāng)前的應(yīng)用相當(dāng)***，他不僅是半導(dǎo)體集成電路，半導(dǎo)體器件和硅太陽能電池的基礎(chǔ)材料，而且用半導(dǎo)體制作的電子器件和產(chǎn)品已經(jīng)大范圍的進(jìn)入到人們的生活，人們的家用電器中所用到的電子器件80%以上與案件都離不開硅材料。鍺是稀有元素，地殼中的含量較少，由于鍺的特有性質(zhì)，使得它的應(yīng)用主要集中與制作各種二極管，三極管等。而以鍺制作的其他錢江如探測器，也具有著許多的優(yōu)點，***的應(yīng)用于多個領(lǐng)域。2、有機(jī)半導(dǎo)體材料有機(jī)半導(dǎo)體材料具有熱***電導(dǎo)率，如萘蒽，聚丙烯和聚二乙烯苯以及堿金屬和蒽的絡(luò)合物。江西HIPS半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工要求