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鄭州弧形屏Microled顯示屏

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-08-08

Micro LED又稱(chēng)微型發(fā)光二極管,是指高密度集成的LED陣列,陣列中的LED像素點(diǎn)距離在50um以?xún)?nèi),每一個(gè)LED像素都能自發(fā)光。微縮化使得Micro LED具有更高的發(fā)光亮度、分辨率與色彩飽和度,以及更快的顯示響應(yīng)速度,預(yù)期能夠應(yīng)用于對(duì)亮度要求較高的增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)微型投影裝置、車(chē)用平視顯示器(HUD)投影應(yīng)用、超大型顯示廣告牌等特殊顯示應(yīng)用產(chǎn)品,并有望擴(kuò)展到可穿戴/可植入器件、虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)、光通訊/光互聯(lián)、醫(yī)療探測(cè)、智能車(chē)燈、空間成像等多個(gè)領(lǐng)域。MicroLED顯示屏的反應(yīng)速度非??欤梢詽M(mǎn)足高速運(yùn)動(dòng)場(chǎng)景的需求。鄭州弧形屏Microled顯示屏

    MicroLED技術(shù)工藝按照實(shí)現(xiàn)方式的不同,可以分為芯片級(jí)焊接、外延級(jí)焊接和薄膜轉(zhuǎn)移三種:①芯片級(jí)焊接(chipbonding)將LED直接進(jìn)行切割成微米等級(jí)的MicroLEDchip,再利用SMT技術(shù)或COB技術(shù),將微米等級(jí)的MicroLEDchip一顆一顆鍵接于顯示基板上。該方法每次拿取一部分MicroLED做貼裝,并重復(fù)這個(gè)動(dòng)作,有時(shí)需要借用載體。對(duì)于大尺寸顯示面板而言,此方法更為適用。②外延級(jí)焊接(waferbonding)在LED的外延薄膜層上用感應(yīng)耦合等離子離子蝕刻(ICP),直接形成微米等級(jí)的MicroLED外延薄膜結(jié)構(gòu),再將LED晶圓(含外延層和基板)直接鍵接于驅(qū)動(dòng)電路基板上,然后使用物理或化學(xué)機(jī)制剝離基板,剩4~5μm的Micro-LED外延薄膜結(jié)構(gòu)于驅(qū)動(dòng)電路基板上形成顯示劃素。優(yōu)點(diǎn)是具有批量轉(zhuǎn)移能力,但是不可以調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)移間距。該方法適用于高ppi的小屏。 安徽應(yīng)急中心Microled顯示屏與傳統(tǒng)LCD顯示屏相比,MicroLED顯示屏具有更高的對(duì)比度和更廣的色域。

    而MicroLED的設(shè)計(jì)采用了OLED的所有優(yōu)點(diǎn),如自發(fā)光技術(shù)、完美的黑色和出色的色彩。與此同時(shí),MicroLED還拋棄了有機(jī)化合物,使得其發(fā)光元件尺寸比miniLED更小。這使得MicroLED面板非常薄,并且能夠提供出色的視角。此外,由于不依賴(lài)有機(jī)化合物,MicroLED面板的生產(chǎn)成本應(yīng)該比OLED更低。重要的是,MicroLED在技術(shù)上能夠提供比OLED更明亮的畫(huà)面。這些特點(diǎn)使得MicroLED成為一種值得期待的新一代顯示技術(shù)。未來(lái),我們可以期待MicroLED在各種顯示設(shè)備中的廣泛應(yīng)用,從智能手機(jī)到電視,甚至可能延伸到虛擬現(xiàn)實(shí)設(shè)備和自動(dòng)駕駛汽車(chē)中。MicroLED的出現(xiàn)將為用戶(hù)帶來(lái)更加精彩絢麗的視覺(jué)體驗(yàn),并且為顯示技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)新的突破和可能。隨著科技不斷進(jìn)步,我們可以對(duì)未來(lái)的顯示技術(shù)充滿(mǎn)期待,MicroLED的出現(xiàn)是一個(gè)重要的里程碑,它將為我們帶來(lái)更加逼真和震撼的畫(huà)面,為我們的生活帶來(lái)更多樂(lè)趣和便利。

主動(dòng)選址驅(qū)動(dòng)模式下,每個(gè)Micro LED像素有其對(duì)應(yīng)的單獨(dú)驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)電流由驅(qū)動(dòng)晶體管提供?;镜闹鲃?dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路為雙晶體管單電容電路。每個(gè)像素電路中,選通晶體管用來(lái)控制像素電路開(kāi)關(guān),驅(qū)動(dòng)晶體管與電源連通為像素提供穩(wěn)定電流,存儲(chǔ)電容用來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信號(hào)。為了提高灰階等顯示能力,可以采用四晶體管雙電容電路等復(fù)雜的主動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)電路。被動(dòng)選址驅(qū)動(dòng)是把像素電極做成矩陣型結(jié)構(gòu),每一列(行)像素的陽(yáng)(陰)極共用一個(gè)列(行)掃描線(xiàn),兩層電極之間通過(guò)沉積層進(jìn)行電學(xué)隔離,以同時(shí)選通第X行和第Y列掃描線(xiàn)的方式來(lái)點(diǎn)亮位于第X行和第Y列的LED像素,高速逐點(diǎn)(或逐行)掃描各個(gè)像素來(lái)實(shí)現(xiàn)整個(gè)屏幕畫(huà)面顯示的模式。MicroLED顯示屏可以實(shí)現(xiàn)更高的透明度和更好的顯示效果。

    人眼睛極其敏感,2nm波長(zhǎng)差異,人的眼睛可以非常清晰的捕捉到,因此對(duì)于整個(gè)MicroLED生產(chǎn)過(guò)程中,對(duì)外延的均勻性提出了更高的要求。普遍業(yè)界認(rèn)為,外延的均勻性要做到2nm以?xún)?nèi)無(wú)分選,并且滿(mǎn)足后續(xù)巨量轉(zhuǎn)移的要求。此外,對(duì)襯底的翹曲率、顆粒、缺陷也要嚴(yán)格的卡控,這是為后續(xù)的芯片工藝所考慮。目前的主流GaN外延技術(shù)有兩種,一種是基于藍(lán)寶石襯底,還有一種是基于硅襯底,這也與上文提到的兩種襯底路線(xiàn)相對(duì)應(yīng)。基于藍(lán)寶石襯底外延GaN的技術(shù)已經(jīng)比較成熟,適用性也廣,但由于硅襯底外延片可以將封裝、巨量轉(zhuǎn)移等新技術(shù)更好的串聯(lián),業(yè)內(nèi)也把該技術(shù)認(rèn)作未來(lái)MicroLED發(fā)展技術(shù)。但是目前,基于硅襯底的GaN外延仍然不是業(yè)內(nèi)的主流,目前主要原因有以下幾點(diǎn):GaN與Si的晶格常數(shù)有17%的差異,造成高錯(cuò)位密度(藍(lán)寶石為5*108,Si為107),這種差異容易導(dǎo)致GaN表面產(chǎn)生缺陷;GaN和Si有超過(guò)56%熱膨脹系數(shù)的差異,導(dǎo)致應(yīng)力無(wú)法釋放,造成翹曲、龜裂;GaN中的Ga原子本身與Si會(huì)發(fā)生刻蝕反應(yīng)。如果把GaN直接長(zhǎng)到Si上面,就會(huì)被刻蝕反應(yīng)掉;Si吸收可見(jiàn)光會(huì)降低LED的外量子效率。 MicroLED顯示屏的可靠性非常高,可以在各種惡劣環(huán)境下使用。廈門(mén)超高清Microled顯示屏

與傳統(tǒng)LED顯示屏相比,Micro LED具有兩大特征,一是微縮化,二是矩陣化和集成化。鄭州弧形屏Microled顯示屏

無(wú)論是早期的LED還是現(xiàn)在的Micro LED,襯底材料難以承受沉積、蒸鍍等高溫工藝而極易損傷變形一直是柔性器件制造技術(shù)中的共性問(wèn)題,需要在制造前期以各類(lèi)剛性材料為搭載基底,再通過(guò)后期的剝離工藝完成器件向柔性基底的轉(zhuǎn)移。藍(lán)寶石是目前Micro LED的主流襯底材料,尺寸越大,厚度越厚。但是其不導(dǎo)電的特性、差異熱性會(huì)影響Micro LED器件的發(fā)光效率。為尋找更好的解決方案,國(guó)際上這一領(lǐng)域也有一些實(shí)際的動(dòng)作,比如法國(guó)的Aledia已經(jīng)在12英寸硅晶圓上嘗試生產(chǎn)硅襯底納米線(xiàn)Micro LED工藝。鄭州弧形屏Microled顯示屏

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