XBM3214 用于2串鋰電池的保護(hù)芯片,芯片內(nèi)置高精度電壓檢測電路和電流檢測電路,支持電池過充電、過放電、充電過電流、放電過電流和短路保護(hù)功能,具備25mV過充電檢測精度,采用SOT23 - 6封裝 鋰電池具備電壓高、能量密度大、循環(huán)壽命長等優(yōu)點(diǎn),在各種需要儲能的場景都有廣泛應(yīng)用。但對于鋰電池而言,過充、過放、過壓、過流等情況都會導(dǎo)致電池異常,影響電池使用壽命。因此,多串鋰電池需要保護(hù)IC來監(jiān)控和保護(hù)電池,避免出現(xiàn)危險狀況\多串鋰電池保護(hù)IC及其特點(diǎn)7串-10串 多節(jié)電池保護(hù)芯片 XBM7101 集成均衡/NTC/SSOP24。廣州DS2730賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保
多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品二級保護(hù)二級保護(hù)是指使用PTC、MHP、等被動組件來保護(hù)電池。鋰電池保護(hù)板分為一級保護(hù)和二級保護(hù)。一級保護(hù)通常指的是主動組件保護(hù),包括保護(hù)IC和MOSFET,它能夠?qū)崟r監(jiān)測電池的電壓和充放電電流,并在必要時MOSFET的導(dǎo)通或關(guān)斷,以防止電池過充、過放、過載及短路。而二級保護(hù)則是指使用PTC、MHP、絲等被動組件來進(jìn)一步增強(qiáng)電池的安全性。這些組件通常是溫度敏感的,能夠在電池溫度異常升高時呈現(xiàn)高阻狀態(tài),阻止電流流動,從而避免可能的危險情況當(dāng)電池溫度異常升高時,PTC或MHP會呈現(xiàn)高阻狀態(tài),阻礙電池的充放電,從而防止鋰電池的起火。這種保護(hù)方式被稱為二級保護(hù),它是一種被動組件保護(hù),通常作為一級保護(hù)電路(IC/Mosfet)的補(bǔ)充。 上海DS3056賽芯原廠移動電源soc芯片 DS5136B+EPP無線充 22.5W 單串移動電源+無線充.
2串鋰電池保護(hù)芯片介紹XBM3204XBM3214保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能:對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù),同時具備電池反接保護(hù)功能,這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié):2串鋰電池的保護(hù)芯片電路的過電流保護(hù)閾值由開關(guān)MOS管決定,如果覺得該閾值較小,可以將多個開關(guān)MOS管進(jìn)行并聯(lián)操作,以增大過流電流,將兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起,可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路,鋰電池就可以實現(xiàn)邊充邊放的功能
鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計,鋰電保護(hù)的GND接電池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),請嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的,VT腳通??山有酒珿ND(B-),或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與,濾除電池電壓的劇烈波動和外部強(qiáng)烈電壓干擾,使得VDD電壓盡量穩(wěn)定,該電阻和電容缺一不可,缺少任何一個都會有少燒芯片的可能,增加生產(chǎn)的不良率(XB5432不加電容)。不同IC的電阻取值有差異,請根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等,可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值,如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等,比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個,可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級ESD,增強(qiáng)對尖峰電壓等外部信號的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用,減小內(nèi)阻,增強(qiáng)持續(xù)電流,多芯片并聯(lián)使用時,芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò),電阻可共用,但電容須要一個保護(hù)芯片配一個電容。2串 內(nèi)置均衡MOS,帶船運(yùn)/SenseXBM325X.
級聯(lián)是串聯(lián)還是并聯(lián)在電氣工程領(lǐng)域,特別是防雷技術(shù)中,級聯(lián)策略被視為確保電氣系統(tǒng)安全運(yùn)行的關(guān)鍵。級聯(lián),無論是串聯(lián)還是并聯(lián),都是將多個組件或系統(tǒng)按特定方式連接起來以實現(xiàn)更高性能、可靠性或效率的方法1。串聯(lián)級聯(lián)串聯(lián)級聯(lián)是指將設(shè)備首尾相連,電流依次流過每個設(shè)備。這種設(shè)計能避**一防雷器因過載而失效的。包括逐級降壓,確保雷電流在到達(dá)敏感設(shè)備前被逐步削減,減少對末端設(shè)備的影響;冗余保護(hù),即使某一級防雷器出現(xiàn)故障,后續(xù)級別的保護(hù)依然,提高了系統(tǒng)的整體可靠性1。并聯(lián)級聯(lián)并聯(lián)級聯(lián)則是在同一節(jié)點(diǎn)部署多個防雷器,它們共同承擔(dān)雷電流的沖擊。這種策略特別適用于高流量和高能量的環(huán)境,如大型數(shù)據(jù)中心或工業(yè)設(shè)施。包括快響應(yīng),可以同時處理雷電流,***縮短了系統(tǒng)響應(yīng)時間,提高了防護(hù)效率;負(fù)載均衡,多個防雷器共享負(fù)載,減少了單個設(shè)備的壓力,延長了設(shè)備壽命1。結(jié)論綜上所述,級聯(lián)既可以是串聯(lián)也可以是并聯(lián),具體取決于應(yīng)用場景和設(shè)計需求。在防雷系統(tǒng)中,串聯(lián)級聯(lián)和并聯(lián)級聯(lián)各有優(yōu)缺點(diǎn)。 適用范圍:適用于標(biāo)稱電壓3.7V,充滿電壓4.2V的鋰電池。2組電池的容量/內(nèi)阻越接近越好。北京XBM325賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保
太陽能充電管理方案芯片。廣州DS2730賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保
多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品二級保護(hù)解析二級保護(hù)的定義和作用在鋰電池應(yīng)用中,由于過充電、過放電以及過充電過放電電流等情況會導(dǎo)致電池內(nèi)部發(fā)生化學(xué)副反應(yīng),嚴(yán)重影響電池性能與使用壽命,甚至引發(fā)安全問題,因此需要對電池進(jìn)行保護(hù)。一級保護(hù)通常由IC和MOSFET在充電和放電周期期間為電池組提供,而二級保護(hù)則是在一級保護(hù)的基礎(chǔ)上,確保完整的用戶安全,為裝置在正常操作范圍之外的情況下提供保護(hù)14。二級保護(hù)的具體體現(xiàn)電壓異常保護(hù)過充電保護(hù):當(dāng)電池充電時,若任意一節(jié)電池達(dá)到充滿狀態(tài),二級保護(hù)會發(fā)揮作用。設(shè)計的8串15A放電鋰電保護(hù)板中,任意一節(jié)電池充滿,相應(yīng)的OC口會變?yōu)榈碗娖剑箤?yīng)的管子截止,進(jìn)而讓OC變?yōu)榈碗娖?,結(jié)束充電周期。 廣州DS2730賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保