主存的工作方式是按存儲(chǔ)單元的地址存放或讀取各類信息，統(tǒng)稱訪問(wèn)存儲(chǔ)器。主存中匯集存儲(chǔ)單元的載體稱為存儲(chǔ)體，存儲(chǔ)體中每個(gè)單元能夠存放一串二進(jìn)制碼表示的信息，該信息的總位數(shù)稱為一個(gè)存儲(chǔ)單元的字長(zhǎng)。存儲(chǔ)單元的地址與存儲(chǔ)在其中的信息是一一對(duì)應(yīng)的，單元地址只有一個(gè)，固定不變，而存儲(chǔ)在其中的信息是可以更換的。 指示每個(gè)單元的二進(jìn)制編碼稱為地址碼。尋找某個(gè)單元時(shí)，先要給出它的地址碼。暫存這個(gè)地址碼的寄存器叫存儲(chǔ)器地址寄存器(MAR)。為可存放從主存的存儲(chǔ)單元內(nèi)取出的信息或準(zhǔn)備存入某存儲(chǔ)單元的信息，還要設(shè)置一個(gè)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)寄存器(MDR)。許多大型的機(jī)器都離不開(kāi)存儲(chǔ)器的使用。24AA02E48T-I/SN存儲(chǔ)器原裝

存儲(chǔ)器是許多存儲(chǔ)單元的集中聚合，按單元號(hào)順序排列。每個(gè)單元由若干二進(jìn)制位構(gòu)成，以表示存儲(chǔ)單元中存放的數(shù)值，這種結(jié)構(gòu)和數(shù)組的結(jié)構(gòu)非常相似，故在VHDL語(yǔ)言中，通常由數(shù)組描述存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存)和輔助存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。主存與緩存也有區(qū)別，主存主要是指能夠與CPU直接進(jìn)行信息交換的存儲(chǔ)器，緩存則是指將信息暫時(shí)寄存在存儲(chǔ)器的意思。陜西24AA02E48T-E/OT存儲(chǔ)器可編程存儲(chǔ)器也可以作為單獨(dú)的記憶元件使用。

任何存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)容量都是有限的。要構(gòu)成一定容量的內(nèi)存，單個(gè)芯片往往不能滿足字長(zhǎng)或存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)的要求，甚至字長(zhǎng)和存儲(chǔ)單元數(shù)都不能滿足要求。這時(shí)，就需要用多個(gè)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行組合，以滿足對(duì)存儲(chǔ)容量的需求，這種組合就稱為存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。存儲(chǔ)器擴(kuò)展時(shí)要解決的問(wèn)題主要包括位擴(kuò)展、字?jǐn)U展和字位擴(kuò)展。異步SRAM的接口是一種非常典型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片接口，掌握了它的接口設(shè)計(jì)方法就意味著掌握了一系列半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片接口的設(shè)計(jì)方法(包括 NoR Flash、E2PROM等)，同時(shí)也為學(xué)習(xí)其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的接口設(shè)計(jì)打下了基礎(chǔ)。本節(jié)以異步SRAM的接口為例，介紹半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片接口設(shè)計(jì)的基本方法與原則。

存儲(chǔ)器中的三管組成是三管讀出時(shí)，先對(duì)T4置一預(yù)充電信號(hào)，使讀數(shù)據(jù)線達(dá)高電壓VDD，然后由讀選擇先打開(kāi)T2，若T1的極間電容Cg存在足夠多的電荷"1",是T1導(dǎo)通，則因T2，T1導(dǎo)通接地，使讀數(shù)據(jù)線降為零電平，即“0”，若沒(méi)有足夠多的電荷“0”，T1截止，使讀數(shù)據(jù)線的高電平不變，讀出“1”信息。寫入時(shí)，由寫選擇線打開(kāi)T3，這樣，Cg變能隨輸入信息充電（寫“1”）或放電（寫“0”）將寫入信號(hào)加到寫數(shù)據(jù)線上。單管（為了提高集成度）讀出時(shí)，字段上的高電平使T導(dǎo)通，若Cs有電荷，經(jīng)T管在數(shù)據(jù)線產(chǎn)生電流，可視為讀出“1”。若Cs無(wú)電荷，則數(shù)據(jù)線上無(wú)電流，可視為讀出“0”。讀操作結(jié)束時(shí)，Cs的電荷已將破壞性對(duì)出，必須再生。寫入時(shí)，字段上的高電平使T導(dǎo)通，若數(shù)據(jù)線上為高電平，經(jīng)T管對(duì)Cs充電，使其存“1”；若數(shù)據(jù)線為低電平，則Cs經(jīng)T放電，使其無(wú)電荷而存“0”可以說(shuō)動(dòng)態(tài)RAM的讀過(guò)程就是檢測(cè)電容有無(wú)電，而寫過(guò)程就是對(duì)電容充電放電的過(guò)程注：T是mos管，不是電源，它能被導(dǎo)通，短的一端有電才能被導(dǎo)通許多人并不了解存儲(chǔ)器的使用方法。

PROM（ProgrammableROM）：可編程程序只讀存儲(chǔ)器，是需要利用電流將其燒斷，寫入所需的資料，但只能寫錄一次EPROM（ErasableProgrammableROM）：可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時(shí)將線路曝光于紫外線下，則資料可被清空，并且可重復(fù)使用EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory）：電子式可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，運(yùn)作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場(chǎng)來(lái)完成，完成之后的結(jié)果是會(huì)再次導(dǎo)入至相關(guān)的記憶存儲(chǔ)器之中存儲(chǔ)器是現(xiàn)在社會(huì)市場(chǎng)上相對(duì)便捷使用的工具。陜西24AA02E48T-E/OT存儲(chǔ)器可編程

能夠在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域被使用的是存儲(chǔ)器。24AA02E48T-I/SN存儲(chǔ)器原裝

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)1.存儲(chǔ)器的分類(RAM,ROM)，工作原理(芯片讀寫)，CPU的連接2.Cache(高速緩沖存儲(chǔ)器)3.輔存一丶存儲(chǔ)器的分類和層次CPU不能直接訪問(wèn)輔存，輔存只能與主存交換信息，因此輔存的速度可以比主存慢得多存儲(chǔ)器系統(tǒng)層次主要體現(xiàn)，緩存-主存，主存-輔存兩個(gè)存儲(chǔ)層前者解決CPU與主存速度不匹配問(wèn)題，這層數(shù)據(jù)調(diào)用是硬件自動(dòng)完成，對(duì)程序員透明后者解決存儲(chǔ)器系統(tǒng)容量問(wèn)題，這層數(shù)據(jù)調(diào)用是硬件和OS共同完成的主存-輔存逐漸形成虛擬存儲(chǔ)系統(tǒng)24AA02E48T-I/SN存儲(chǔ)器原裝

深圳市硅虎電子有限公司成立于2010-09-26，同時(shí)啟動(dòng)了以TI,NXP,ST,ON,XILINX,Mini-Circuit,MICROCHIP,ADI為主的IC，射頻元件，連接器產(chǎn)業(yè)布局。旗下TI,NXP,ST,ON,XILINX,Mini-Circuit,MICROCHIP,ADI在電子元器件行業(yè)擁有一定的地位，品牌價(jià)值持續(xù)增長(zhǎng)，有望成為行業(yè)中的佼佼者。同時(shí)，企業(yè)針對(duì)用戶，在IC，射頻元件，連接器等幾大領(lǐng)域，提供更多、更豐富的電子元器件產(chǎn)品，進(jìn)一步為全國(guó)更多單位和企業(yè)提供更具針對(duì)性的電子元器件服務(wù)。值得一提的是，硅虎電子致力于為用戶帶去更為定向、專業(yè)的電子元器件一體化解決方案，在有效降低用戶成本的同時(shí)，更能憑借科學(xué)的技術(shù)讓用戶極大限度地挖掘TI,NXP,ST,ON,XILINX,Mini-Circuit,MICROCHIP,ADI的應(yīng)用潛能。