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  • 重慶三相可控硅調(diào)壓模塊分類
    重慶三相可控硅調(diào)壓模塊分類

    使用劣質(zhì)散熱器,散熱體水腔材質(zhì)差(有的用黃銅),導(dǎo)熱性能差,更嚴(yán)重的是蝶型彈簧和三角壓蓋因質(zhì)量不合格,短時(shí)間使用后失去彈性,使管芯與散熱體臺面間的壓力明顯下降,從而影響其散熱效果。用戶沒有必要的安裝設(shè)備,更換管芯靠手工安裝很難達(dá)到規(guī)范的要求。所以我們建議,對于大功率(≥1200A)的晶閘管,建議買廠家成套的元件。因?yàn)閺S家配套的散熱器質(zhì)量可靠(質(zhì)量承諾),同時(shí)廠家有所用的安裝模具與設(shè)備,確保裝配質(zhì)量,并且在安裝后重新測試,保證成套元件合格,另外,大功率晶閘管(≥1200A)價(jià)格一般每只近千元,有的達(dá)數(shù)千元,而散熱器每套不過兩百多元,不要因小失大。就當(dāng)前的水平,我們認(rèn)為用測量管芯陶瓷外殼溫度的方法...

  • 重慶進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊價(jià)格
    重慶進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊價(jià)格

    就組成了一個(gè)簡單實(shí)用的大功率無級調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產(chǎn)生,調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,因此R2還可起開關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí),SCR1、SCR2會誤導(dǎo)通,導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路,其原理這里從略。SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊(110...

  • 內(nèi)蒙古雙向可控硅調(diào)壓模塊哪家好
    內(nèi)蒙古雙向可控硅調(diào)壓模塊哪家好

    可控硅又稱晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件,其主要的功能是功率控制??煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅、可關(guān)斷可控硅等。可控硅的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦?,以小電流控制大電流,以低電壓控制高電壓??煽毓杩梢杂萌f用表進(jìn)行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成3個(gè)PN結(jié),具有3個(gè)外電極:陽極A、陰極K、控制極G。檢測時(shí),萬用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內(nèi)電池負(fù)極)接單向可控硅的陰極K,這時(shí)測量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對調(diào)兩表筆后,測其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬用表...

  • 黑龍江雙向可控硅調(diào)壓模塊廠家
    黑龍江雙向可控硅調(diào)壓模塊廠家

    雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,也稱雙向晶閘管,在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,可作為功率驅(qū)動器件,由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題,控制電路簡單,因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器,且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中,其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要,通常都是通過光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾,交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路。(過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通,由于采用過零觸發(fā),因此需要正弦交流電過零檢測電路)雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅,四象限可控硅其導(dǎo)通條件:總的來說導(dǎo)通的條件就是:G...

  • 濱州整流可控硅調(diào)壓模塊配件
    濱州整流可控硅調(diào)壓模塊配件

    晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM,是指晶閘管在門極G斷路時(shí),允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時(shí),其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值,通常為。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT,是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需...

  • 云南可控硅調(diào)壓模塊品牌
    云南可控硅調(diào)壓模塊品牌

    兩個(gè)溫度值接近,說明散熱器正常工作。,器件陶磁環(huán)的溫度高于散熱體表面溫度,說明散熱器的效果不好需進(jìn)行處理;,散熱體表面溫度高于器件陶磁環(huán)的溫度,說明器件工作正常而系統(tǒng)連接或散熱器的安裝有問題需處理。東臺臺基生產(chǎn)的可控硅是耐高溫的可控硅。這是我們的可控硅的優(yōu)勢。1、普通的晶閘管可以用于交直流電壓的控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等應(yīng)用上國內(nèi)很多公司生產(chǎn)的可控硅,能承受的溫度是有限的,一般在45℃左右,一旦超過50℃就會。但是西東臺臺基生產(chǎn)的可控硅不是這樣的。(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅...

  • 泰安交流可控硅調(diào)壓模塊廠家
    泰安交流可控硅調(diào)壓模塊廠家

    1.用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路,一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上,如用萬用表測量時(shí)已短路或電阻已小于10千歐以下,可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值,一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常,觸發(fā)極與陽極之間的電阻值,一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通,必須滿足以下條件:雙向晶閘管導(dǎo)通條件:一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備,晶閘管(可控硅)才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外,晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,晶閘管(可控...

  • 淄博三相可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家
    淄博三相可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

    可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流,還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷;實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。可控硅工作原理解析可控硅結(jié)...

  • 河北單相可控硅調(diào)壓模塊型號
    河北單相可控硅調(diào)壓模塊型號

    可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。下面是一個(gè)壞了換下來的電阻焊控制器一般這個(gè)東西都是可控硅壞了...

  • 廣西大功率可控硅調(diào)壓模塊組件
    廣西大功率可控硅調(diào)壓模塊組件

    雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,也稱雙向晶閘管,在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,可作為功率驅(qū)動器件,由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題,控制電路簡單,因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器,且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中,其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要,通常都是通過光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾,交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路。(過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通,由于采用過零觸發(fā),因此需要正弦交流電過零檢測電路)雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅,四象限可控硅其導(dǎo)通條件:總的來說導(dǎo)通的條件就是:G...

  • 江西交流可控硅調(diào)壓模塊功能
    江西交流可控硅調(diào)壓模塊功能

    當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG1的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號,BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,經(jīng)放大,BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,對可控硅來說,觸發(fā)信號加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、B...

  • 濰坊交流可控硅調(diào)壓模塊功能
    濰坊交流可控硅調(diào)壓模塊功能

    可控硅是可控硅整流器的簡稱??煽毓栌袉蜗?、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點(diǎn),被用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點(diǎn)開關(guān)等各種自動控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通,但一旦導(dǎo)通,外部信號就無法使其關(guān)斷,只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個(gè)PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個(gè)PN結(jié)的二極管相比,單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制;與具有兩個(gè)PN結(jié)的三極管相比,差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用??煽毓鑼?dǎo)通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二...

  • 德州大功率可控硅調(diào)壓模塊分類
    德州大功率可控硅調(diào)壓模塊分類

    它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應(yīng)用較多?!隹煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖表-26?!鰪膱D表-26中可以看到,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流...

  • 四川單相可控硅調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)
    四川單相可控硅調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)

    我國的晶閘管中頻電源的共同特點(diǎn)是全集成化控制線路數(shù)字化程度高于90%、啟動成功率幾乎達(dá)到、除具有常規(guī)的水壓不足、快熔熔斷、過流、過壓等保護(hù)功能外,還具有限流、限壓等保護(hù)功能、功能較齊全的晶閘管電源還配置逆變失敗、水溫監(jiān)視等可選功能,其頻率較高可以作到8kHz,額定功率可以作到1000kW左右,如果在裝配工藝上再進(jìn)一步改進(jìn)的話,可以接近世界先進(jìn)水平。所以,希望各大公司在選擇晶閘管的時(shí)候,不要只只考慮到晶閘管的單次成本??赡艽文I晶閘管時(shí),有的公司報(bào)價(jià)很低。但是三五天就燒壞了。這樣您幾天就換一只管子,對您公司來說是造成更嚴(yán)重的利益損失。還不如一次選擇好的,選擇質(zhì)量優(yōu)勝的產(chǎn)品。這樣晶閘管使用壽命長,...

  • 陜西恒壓可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商
    陜西恒壓可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商

    就組成了一個(gè)簡單實(shí)用的大功率無級調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產(chǎn)生,調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,因此R2還可起開關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí),SCR1、SCR2會誤導(dǎo)通,導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路,其原理這里從略。SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊(110...

  • 上海交流可控硅調(diào)壓模塊組件
    上海交流可控硅調(diào)壓模塊組件

    可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,在您了解的知識中,您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下??煽毓枘K的工作條件:1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽極電壓時(shí),不管門級承受哪種電壓,可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時(shí),可控硅只在門級受到正向電壓時(shí)接通。3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導(dǎo)通,如果可控硅導(dǎo)通后,門極將失去其功能。4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí),可控硅模塊關(guān)斷。您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓,只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí),可控...

  • 遼寧小功率可控硅調(diào)壓模塊型號
    遼寧小功率可控硅調(diào)壓模塊型號

    雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,也稱雙向晶閘管,在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,可作為功率驅(qū)動器件,由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題,控制電路簡單,因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器,且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中,其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要,通常都是通過光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾,交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路。(過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通,由于采用過零觸發(fā),因此需要正弦交流電過零檢測電路)雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅,四象限可控硅其導(dǎo)通條件:總的來說導(dǎo)通的條件就是:G...

  • 安徽可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商
    安徽可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商

    可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,在您了解的知識中,您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下。可控硅模塊的工作條件:1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽極電壓時(shí),不管門級承受哪種電壓,可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時(shí),可控硅只在門級受到正向電壓時(shí)接通。3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導(dǎo)通,如果可控硅導(dǎo)通后,門極將失去其功能。4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí),可控硅模塊關(guān)斷。您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓,只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí),可控...

  • 德州進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊品牌
    德州進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊品牌

    維持繼電器吸合約4秒鐘,故電路動作較為準(zhǔn)確。如果將負(fù)載換為繼電器,即可控制大電流工作的負(fù)載??煽毓枋且环N新型的半導(dǎo)體器件,它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、動作快以及使用方便等優(yōu)點(diǎn),活動導(dǎo)入以可控硅實(shí)際應(yīng)用案例的展示,以激發(fā)學(xué)生的活動興趣??煽毓杩刂齐娐返闹谱?3例1:可調(diào)電壓插座電路如圖,可用于調(diào)溫(電烙鐵)、調(diào)光(燈)、調(diào)速(電機(jī)),使用時(shí)只要把用電器的插頭插入插座即可,十分方便。V1為雙向二極管2CTS,V2為3CTSI雙向可控硅,調(diào)節(jié)RP可使插座上的電壓發(fā)生變化。2:簡易混合調(diào)光器根據(jù)電學(xué)原理可知,電容器接入正弦交流電路中,電壓與電流的大值在相位上相差90°。根據(jù)這一原理,把C1和...

  • 安徽可控硅調(diào)壓模塊廠家
    安徽可控硅調(diào)壓模塊廠家

    設(shè)備自身運(yùn)行中以及非正常運(yùn)行中也有過電壓出現(xiàn)。過電壓保護(hù)的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路,以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。3.電流上升率、電壓上升率的保護(hù)(1)電流上升率di/dt的可控硅初開通時(shí)電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域,局部電流密度很大,然后以μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面,若可控硅開通時(shí)電流上升率di/dt過大,會導(dǎo)致PN結(jié)擊穿,必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯(lián)入電感。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大,由于晶...

  • 濱州單相可控硅調(diào)壓模塊哪家好
    濱州單相可控硅調(diào)壓模塊哪家好

    電力調(diào)整器它是屬于可控硅又稱為晶閘管以及觸發(fā)控制的電路用來調(diào)整負(fù)載功率的調(diào)整單元,而現(xiàn)在更多的都是運(yùn)用數(shù)字的電路觸發(fā)可控硅去實(shí)現(xiàn)調(diào)壓和調(diào)功。那么就讓正高的小編帶大家去了解下吧!他有著無限大的或者說是很大的電阻,那么我們可以把串接的這個(gè)電阻器的電路可以看做是開路,電流可以是零。通常在工業(yè)中常用的電阻器是介于兩種極端的情況的中間,電力調(diào)整器它本身就具有一定的電阻,他可以通過一定的電流,但是它也并不是像電流短路的時(shí)候那樣大,電力調(diào)整器它的限流作用其實(shí)就是類似于兩個(gè)都比較粗的管子中有一個(gè)比較小的小管子,起到了一個(gè)限制水流量的作用。另外其實(shí)是屬于一個(gè)限流的作用,可以將通過它的所連接的支路的電流進(jìn)行限制,...

  • 日照單向可控硅調(diào)壓模塊品牌
    日照單向可控硅調(diào)壓模塊品牌

    且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時(shí),會使晶閘管導(dǎo)通,稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”,多次硬開通會損壞管子,晶閘管加上正向陽極電壓后,還必須加上觸發(fā)電壓,并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時(shí),管子不會導(dǎo)通,但此時(shí)正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài),沒有中間狀態(tài),具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點(diǎn)功率開關(guān)元件。3.晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通,門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管,必須使陽極電流《維持電流,對于電阻負(fù)載,只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,通常在管子陽極電壓互降為零后,加上一定時(shí)間的反向電壓。晶閘...

  • 江蘇單向可控硅調(diào)壓模塊組件
    江蘇單向可控硅調(diào)壓模塊組件

    對應(yīng)點(diǎn)亮或熄滅;當(dāng)按風(fēng)型選擇鍵SB4,電風(fēng)扇即按連續(xù)風(fēng)(常風(fēng))、陣風(fēng)(模擬自然風(fēng))、連續(xù)風(fēng)……的方式循環(huán)改變其工作狀態(tài),在連續(xù)風(fēng)狀態(tài)下,風(fēng)型指示管VD4(黃色)熄滅,在陣風(fēng)狀態(tài)下,VD4閃光;當(dāng)按動定時(shí)時(shí)間選擇鍵SB2,定時(shí)指示管VD5-VD8依次對應(yīng)點(diǎn)亮或熄滅,即每按動一次SB2,可選擇其中一種定時(shí)時(shí)間,共有、l、2、4小時(shí)和不定時(shí)5種工作方式供選擇。當(dāng)定時(shí)時(shí)間一到,IC內(nèi)部的定時(shí)電路停止工作,相應(yīng)的定時(shí)指示管熄滅同時(shí)IC的11-13腳也無控制信號輸出,雙向晶閘管VS1-VS3截止,從而導(dǎo)致風(fēng)扇自動停止運(yùn)轉(zhuǎn);在風(fēng)扇不定時(shí)工作時(shí),欲停止風(fēng)扇轉(zhuǎn)動,只要按動一下復(fù)位開關(guān)SB1,所有指示燈熄滅,電源...

  • 濰坊恒壓可控硅調(diào)壓模塊品牌
    濰坊恒壓可控硅調(diào)壓模塊品牌

    安裝可控硅模塊需要滿足哪些要求可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)眾多,比如體積小、重量輕、安全可靠、運(yùn)行穩(wěn)定等等,自從它的出現(xiàn)受到了電力電氣行業(yè)的大范圍使用,可控硅模塊在很多應(yīng)用領(lǐng)域都發(fā)揮了非常重要的作用,但是,為了保證可控硅模塊的良好使用,安裝是非常重要的,下面可控硅模塊廠家正高帶您了解一下安裝可控硅模塊需要滿足哪些要求?1.工作環(huán)境一定要確保干燥、通風(fēng)、無腐蝕性氣體,環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃,并且在安裝時(shí)要注意位置的擺放。2.要用這種接線端頭環(huán)帶把銅線扎緊,浸錫,套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)環(huán)境或者生活熱水來加熱收縮,導(dǎo)線截面積可以按照工作電流通過密度<4A/mm2選取,禁止將銅線作為直接壓接在可控硅模塊以...

  • 泰安恒壓可控硅調(diào)壓模塊組件
    泰安恒壓可控硅調(diào)壓模塊組件

    晶閘管模塊的八個(gè)優(yōu)點(diǎn)來源:正高電氣日期:2019年09月07日點(diǎn)擊數(shù):載入中...晶閘管模塊應(yīng)用于溫度調(diào)節(jié)、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、焊接、穩(wěn)壓電源等行業(yè),也可用于交流電機(jī)軟起動和直流電機(jī)調(diào)速。你知道晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)嗎?下面晶閘管生產(chǎn)廠家正高電氣來講解一下晶閘管模塊的八大優(yōu)點(diǎn)。主要優(yōu)點(diǎn)如下:(1)采用進(jìn)口方形晶閘管支撐板,使晶閘管模塊電壓降低、功耗低、效率高、節(jié)能效果好。(2)采用進(jìn)口插片元件,保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。(3)(DCB)陶瓷銅板通過獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝,保證晶閘管模塊的焊接層無空洞,具有良好的導(dǎo)熱性能。(4)導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的絕緣和防潮性能。(5)觸發(fā)控制...

  • 吉林單相可控硅調(diào)壓模塊
    吉林單相可控硅調(diào)壓模塊

    就組成了一個(gè)簡單實(shí)用的大功率無級調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產(chǎn)生,調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,因此R2還可起開關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí),SCR1、SCR2會誤導(dǎo)通,導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路,其原理這里從略。SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊(110...

  • 西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能
    西藏恒壓可控硅調(diào)壓模塊功能

    固態(tài)繼電器與可控硅模塊作為常見的電子元器件,在咱們?nèi)粘5碾娮赢a(chǎn)品中現(xiàn)已被使用,那么,這兩種元器件的差異在哪里呢?固態(tài)繼電器其實(shí)也是可控硅模塊為首要部件而制造的,所不同的是,固態(tài)繼電器動作電壓與操控電壓經(jīng)過內(nèi)部電路光藕進(jìn)行別離的,能夠拆一個(gè)固態(tài)繼電器調(diào)查內(nèi)部,對比下哦??煽毓枘K能夠是單向的,也能夠是雙向的,能夠過零觸發(fā)也能夠移相觸發(fā),固態(tài)繼電器同樣是如此的。所以,他們的應(yīng)用范圍、方式都都有相同類型產(chǎn)品,從這一點(diǎn)上(運(yùn)用的方式、性質(zhì)視點(diǎn))沒有差異,由于固態(tài)繼電器也是可控硅做的(三極管的固態(tài)繼電器在外)。那么他們的差異究竟在那呢?總不會一個(gè)東西,兩個(gè)姓名吧?他們的差異就在于,可控硅便是可控硅,固態(tài)...

  • 濟(jì)寧雙向可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商
    濟(jì)寧雙向可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商

    可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流,還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷;實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多??煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)...

  • 北京交流可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商
    北京交流可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商

    可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,在您了解的知識中,您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下??煽毓枘K的工作條件:1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽極電壓時(shí),不管門級承受哪種電壓,可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時(shí),可控硅只在門級受到正向電壓時(shí)接通。3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導(dǎo)通,如果可控硅導(dǎo)通后,門極將失去其功能。4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí),可控硅模塊關(guān)斷。您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓,只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí),可控...

  • 上海整流可控硅調(diào)壓模塊品牌
    上海整流可控硅調(diào)壓模塊品牌

    雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,也稱雙向晶閘管,在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,可作為功率驅(qū)動器件,由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題,控制電路簡單,因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器,且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中,其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要,通常都是通過光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號加載到可控硅的控制極。為減小驅(qū)動功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾,交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路。(過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通,由于采用過零觸發(fā),因此需要正弦交流電過零檢測電路)雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅,四象限可控硅其導(dǎo)通條件:總的來說導(dǎo)通的條件就是:G...

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