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電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負(fù)值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當(dāng)于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護(hù)二極管插入損耗小，幾乎不會(huì)影...

SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個(gè)型號(hào)的區(qū)別主要在于電壓等級(jí)的不同。同時(shí)，它們都具有低電容和快速響應(yīng)速度的特點(diǎn)，能夠有效保護(hù)電子設(shè)備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護(hù)二極管時(shí)，需要根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)選擇合適的型號(hào)，以達(dá)到保...

TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態(tài)（無(wú)ESD事件）的主要特性由于ESD保護(hù)二極管反向連接，正常工作時(shí)，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護(hù)二極管正常工作時(shí)不導(dǎo)通。此時(shí)，pn結(jié)形成耗盡層，二極管起電容...

當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí)，耗盡層延伸穿過(guò)pn結(jié)。電場(chǎng)造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價(jià)帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價(jià)帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。當(dāng)pn反向偏置時(shí)，少量電子通過(guò)pn結(jié)。這...

保護(hù)二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護(hù)二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護(hù)二極管專門(mén)用于保護(hù)電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導(dǎo)通。保護(hù)二極管用作浪涌保護(hù)電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過(guò)大...

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，為了進(jìn)一步提高ESD防護(hù)能力，通常會(huì)將ESD保護(hù)二極管與GCNMOS（Gate-Controlled NMOS）結(jié)合使用。這種組合可以形成更加完善的ESD防護(hù)網(wǎng)絡(luò)，提高電路的抗靜電放電能力。為了滿足高密度安裝需求，ESD保護(hù)二...

ESD保護(hù)二極管是一種用于抑制靜電感應(yīng)和瞬時(shí)過(guò)壓的半導(dǎo)體器件，在電路中起到了關(guān)鍵的保護(hù)作用。它能夠防止由于雷擊、靜電放電或電弧引起的電子元器件損壞，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通信設(shè)備以及工業(yè)控制設(shè)備等。這種器件具有體積小、重量輕、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)，是現(xiàn)...

總電容由二極管結(jié)電容和封裝中的寄生電容組成。其中很大一部分是結(jié)電容。反向偏置時(shí)，二極管因pn結(jié)（p:p型半導(dǎo)體，n:n型半導(dǎo)體）形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過(guò)。降低半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度會(huì)增加耗盡層寬度。因...

***比較大額定值指任何條件下，即使瞬間也不得超過(guò)的比較高值。如果施加的應(yīng)力超過(guò)規(guī)定的額定值，器件可能會(huì)長(zhǎng)久損壞。不得超過(guò)任何***比較大額定值。因此，應(yīng)注意電源電壓波動(dòng)、電子器件電氣特性變化、電路調(diào)整過(guò)程中應(yīng)力可能高于比較大額定值、環(huán)境溫度變化、...

當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí)，耗盡層延伸穿過(guò)pn結(jié)。電場(chǎng)造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價(jià)帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價(jià)帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。當(dāng)pn反向偏置時(shí)，少量電子通過(guò)pn結(jié)。這...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時(shí)，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁...

ESD保護(hù)二極管是一種用于抑制靜電感應(yīng)和瞬時(shí)過(guò)壓的半導(dǎo)體器件，在電路中起到了關(guān)鍵的保護(hù)作用。它能夠防止由于雷擊、靜電放電或電弧引起的電子元器件損壞，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通信設(shè)備以及工業(yè)控制設(shè)備等。這種器件具有體積小、重量輕、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)，是現(xiàn)...

等效電路及優(yōu)點(diǎn)：正常工作期間ESD保護(hù)二極管通常放在信號(hào)線與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當(dāng)電容器。由于它們的電容和信號(hào)線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護(hù)二極管會(huì)造成插入損耗（I(L)），降低信號(hào)質(zhì)量，取決其速度（特別是USB 3....

在電子設(shè)備中，ESD保護(hù)二極管通常被放置在容易受到靜電放電沖擊的部位，如集成電路的接口處。當(dāng)帶有電荷的物體（如人類）靠近或接觸這些接口時(shí)，ESD電流會(huì)釋放在PCB上，對(duì)電路造成損害。而ESD保護(hù)二極管則能將這部分電流引向地面，從而保護(hù)系統(tǒng)免受損害...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1...

保護(hù)二極管:保護(hù)二極管用作浪涌保護(hù)電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過(guò)大時(shí)導(dǎo)通。穩(wěn)壓二極管:當(dāng)小電流（I(Z)）從陰極（K）流到陽(yáng)極（A）時(shí)，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（V(Z)）?？捎霉β适芏O管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。TVS二極...

ESD保護(hù)二極管電容為0.12pF至100pF。浪涌保護(hù)齊納二極管具有寬結(jié)，以便吸收大量浪涌能量。這類二極管的總電容為100pF至600pF，適用于雷電感應(yīng)和開(kāi)關(guān)浪涌的保護(hù)。表1.2顯示ESD保護(hù)二極管和浪涌保護(hù)齊納二極管適用于不同類型過(guò)壓浪涌脈沖...

ESD保護(hù)二極管在醫(yī)療監(jiān)護(hù)儀、手術(shù)器械、診斷設(shè)備等醫(yī)療設(shè)備中有廣泛應(yīng)用。醫(yī)療設(shè)備中的電子部件同樣需要保護(hù)，以防止靜電放電對(duì)設(shè)備性能和患者安全造成影響。在這些領(lǐng)域，設(shè)備對(duì)可靠性和穩(wěn)定性的要求極高。ESD保護(hù)二極管能夠確保設(shè)備在極端環(huán)境下不受靜電放電的...

低鉗位電壓（V(C)）和***峰值電壓：采用IEC 61000-4-2規(guī)定ESD波形時(shí)，高低鉗位電壓（V(C)）ESD保護(hù)二極管的波形效果。這些波形采集于受保護(hù)器件（DUP）輸入端。具有低V(C )的ESD保護(hù)二極管在30ns和60ns處鉗位電壓...

ESD保護(hù)二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理：?jiǎn)蜗蚝碗p向ESD保護(hù)二極管可吸收正負(fù)ESD脈沖。TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）的選型指南，選擇正確的ESD保護(hù)二極管，請(qǐng)注意第3節(jié)介紹的主要電氣特性。保持被保護(hù)信號(hào)的質(zhì)量 。信號(hào)線電壓 根據(jù)被保護(hù)信號(hào)...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1...

TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）布局注意事項(xiàng)：ESD保護(hù)二極管位置影響ESD保護(hù)性能。ESD保護(hù)二極管靠近ESD進(jìn)入點(diǎn)。在來(lái)自連接器的電路板走線分支成ESD保護(hù)二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護(hù)二極管（包括GND）串聯(lián)的走線電感降至比較低。不要...

指接觸放電ESD容限，即通過(guò)與受保護(hù)器件直接接觸放電。ESD容限是根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法和ESD波形測(cè)量的。規(guī)定的VESD值是測(cè)試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測(cè)器件（EUT）與放電槍之間通過(guò)...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時(shí)，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，...

ESD保護(hù)二極管適用于各種電子設(shè)備，包括半導(dǎo)體工業(yè)、集成電路、分立器件、計(jì)算機(jī)電路、通訊設(shè)備和雷達(dá)設(shè)備等。半導(dǎo)體工業(yè)與集成電路：在芯片生產(chǎn)、組裝和運(yùn)輸過(guò)程中，ESD保護(hù)二極管能夠有效防止靜電對(duì)芯片的損害。通訊設(shè)備與雷達(dá)設(shè)備：在天線罩的金屬屏蔽層中使...

ESD保護(hù)二極管是一種基于PN結(jié)的半導(dǎo)體器件，其工作原理是在正常工作條件下呈現(xiàn)高阻抗?fàn)顟B(tài)，而在靜電放電事件中，能夠迅速導(dǎo)通并將電荷釋放到地線，從而保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電的損害。當(dāng)外部接口電壓超過(guò)ESD二極管的擊穿電壓時(shí)，二極管開(kāi)始起作用，將電流分...

選擇保證ESD性能高于系統(tǒng)ESD抗擾度要求的ESD保護(hù)二極管。但請(qǐng)注意，ESD保護(hù)二極管的ESD性能通常與其總電容成正比。選擇電氣額定值高于峰值脈沖功率和峰值脈沖電流要求的ESD保護(hù)二極管。ESD保護(hù)二極管靠近ESD進(jìn)入點(diǎn)。ESD保護(hù)二極管靠近E...

在發(fā)生ESD沖擊時(shí)，ESD電流同時(shí)流入ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護(hù)器件的電流（即增加分流到ESD保護(hù)二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護(hù)二極管數(shù)據(jù)表含有動(dòng)態(tài)電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向?qū)?..

ESD保護(hù)二極管動(dòng)態(tài)電阻與流入受保護(hù)器件的電流： 如何計(jì)算ESD保護(hù)二極管的動(dòng)態(tài)電阻（R(DYN)），以及ESD電擊時(shí)浪涌電流的流向。如果ESD保護(hù)二極管阻抗（即動(dòng)態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過(guò)ESD保護(hù)二極管分流到地（GND），從而減少流...

在電子設(shè)備中，ESD保護(hù)二極管通常被放置在容易受到靜電放電沖擊的部位，如集成電路的接口處。當(dāng)帶有電荷的物體（如人類）靠近或接觸這些接口時(shí)，ESD電流會(huì)釋放在PCB上，對(duì)電路造成損害。而ESD保護(hù)二極管則能將這部分電流引向地面，從而保護(hù)系統(tǒng)免受損害...