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載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時(shí)，它的反向電流已達(dá)8mA，不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時(shí)反向電流為5uA，溫度升高...

而它的負(fù)極通過(guò)R2與地線相連，這樣VD1在直流工作電壓+V的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)。理解二極管導(dǎo)通的要點(diǎn)是：正極上電壓高于負(fù)極上電壓。2）利用二極管導(dǎo)通后有一個(gè)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)整R1和R2的阻值大小可以達(dá)到VT1基極所需要的直流工作電壓，根本沒(méi)有必要通過(guò)串入二極管VD1來(lái)調(diào)整VT1基極電壓大小。3）利用二極管的管壓降溫度特性可以正確解釋VD1在電路中的作用。假設(shè)溫度升高，根據(jù)三極管特性可知，VT1的基極電流會(huì)增大一些。當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管VD1的管壓降會(huì)下降一些，VD1管壓降的下降導(dǎo)致VT1基極電壓下降一些，結(jié)果使VT1基極電流下降。由上述分析可知，加入二極管VD1后，原來(lái)溫度升高使VT1基極...

[4]二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡(jiǎn)稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發(fā)光二極管極管相似，發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。發(fā)光二極管的PN結(jié)封裝在透明塑料殼內(nèi)，外形有方形、矩形和圓形等。發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電壓低、工作電流小，具有很強(qiáng)的抗振動(dòng)和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，廣用于信號(hào)指示等電路中。[4]在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過(guò)電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來(lái)，這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄，其波長(zhǎng)由所使用的基本材料而定。[4]...

二極管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于，穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小，能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會(huì)因過(guò)熱而損壞。[4]穩(wěn)壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過(guò)穩(wěn)壓管電流的允許值，PN結(jié)就不會(huì)過(guò)熱損壞，當(dāng)外加反向電壓去除后，穩(wěn)壓管恢復(fù)原性能，所以穩(wěn)壓管具有良好的重復(fù)擊穿特性。[4]二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，光電二極管以便于接受光照。其特點(diǎn)是，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時(shí)，可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和...

二極管，（英語(yǔ)：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（VaricapDiode）則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)（稱為順向偏壓），反向時(shí)阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來(lái)講，晶體二極管是一個(gè)由p型半...

一個(gè)實(shí)施例提供了包括一個(gè)或多個(gè)以上限定的結(jié)構(gòu)的二極管。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管由一個(gè)或多個(gè)晶體管限定，晶體管具有在兩個(gè)溝槽之間延伸的至少一個(gè)溝道區(qū)域，一區(qū)域限定晶體管柵極。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管包括將溝道區(qū)域電連接到傳導(dǎo)層的接觸區(qū)域。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一區(qū)域是半導(dǎo)體區(qū)域，溝道區(qū)域和一區(qū)域摻雜有相反的導(dǎo)電類型。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管包括漏極區(qū)域，漏極區(qū)域在兩個(gè)溝槽之間的溝道區(qū)域下方延伸，并且推薦地在溝槽下方延伸。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，漏極區(qū)域比溝道區(qū)域更少地被重?fù)诫s。根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，已知二極管結(jié)構(gòu)的全部或部分的缺點(diǎn)被克服，并且正向電壓降和/或漏電流得到改善。附圖說(shuō)明參考附圖，在下面以說(shuō)明...

電容C2始終接入電路，此時(shí)振蕩頻率降低。4．同類電路工作原理分析如圖所示，電路中的VD1為開(kāi)關(guān)二極管，控制電壓通過(guò)R1加到VD1正極，控制電壓是一個(gè)矩形脈沖電壓，波形見(jiàn)圖中所示。當(dāng)控制電壓為0V時(shí)，VD1不能導(dǎo)通，相當(dāng)于開(kāi)路，這時(shí)對(duì)L1和C1、L2和C2電路沒(méi)有影響；當(dāng)控制電壓為高電平時(shí)，控制電壓使開(kāi)關(guān)二極管VD1導(dǎo)通，VD1相當(dāng)于通路，電路中A點(diǎn)的交流信號(hào)通過(guò)導(dǎo)通的VD1和電容C3接地，等于將電路中的A點(diǎn)交流接地，使L2和C2電路不起作用。從上述分析可知，電路中的二極管VD1相當(dāng)于一只開(kāi)關(guān)，控制電路中的A點(diǎn)交流信號(hào)是否接地。二極管檢波電路及故障處理如圖9-48所示是二極管檢波電路。電...

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時(shí)，它的反向電流已達(dá)8mA，不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時(shí)反向電流為5uA，溫度升高...

而整流電流值低的二極管則不能代換整流電流值高的二極管。整流二極管檢查方法編輯首先將整流器中的整流二極管全部拆下，用萬(wàn)用表的100×R或1000×R歐姆檔，測(cè)量整流二極管的兩根引出線(頭、尾對(duì)調(diào)各測(cè)一次)。若兩次測(cè)得的電阻值相差很大，例如電阻值大的高達(dá)幾百KΩ到無(wú)窮大，而電阻值小的幾百Ω甚至更小，說(shuō)明該二極管是好的(發(fā)生了軟擊穿的二極管除外)。若兩次測(cè)得的電阻值幾乎相等，而且電阻值很小，說(shuō)明該二極管已被擊穿損壞，不能使用。如果兩次測(cè)量的阻值都是無(wú)窮大，說(shuō)明此二極管已經(jīng)內(nèi)部斷開(kāi)，不能使用。整流二極管常用型號(hào)編輯二極管型號(hào)，用途，高反向工作電壓VR，大平均整流電流IF1N4001硅整流二極管...

一個(gè)實(shí)施例提供了包括一個(gè)或多個(gè)以上限定的結(jié)構(gòu)的二極管。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管由一個(gè)或多個(gè)晶體管限定，晶體管具有在兩個(gè)溝槽之間延伸的至少一個(gè)溝道區(qū)域，一區(qū)域限定晶體管柵極。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管包括將溝道區(qū)域電連接到傳導(dǎo)層的接觸區(qū)域。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一區(qū)域是半導(dǎo)體區(qū)域，溝道區(qū)域和一區(qū)域摻雜有相反的導(dǎo)電類型。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管包括漏極區(qū)域，漏極區(qū)域在兩個(gè)溝槽之間的溝道區(qū)域下方延伸，并且推薦地在溝槽下方延伸。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，漏極區(qū)域比溝道區(qū)域更少地被重?fù)诫s。根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，已知二極管結(jié)構(gòu)的全部或部分的缺點(diǎn)被克服，并且正向電壓降和/或漏電流得到改善。附圖說(shuō)明參考附圖，在下面以說(shuō)明...

外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[1]二極管原理應(yīng)用編輯1.整流整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開(kāi)關(guān)二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開(kāi)關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)，如同一只斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。利用二極管的開(kāi)關(guān)特...

以及然后b)獲得電壓的指數(shù)函數(shù)，其中該函數(shù)通過(guò)兩個(gè)點(diǎn)或者在多于兩個(gè)點(diǎn)的情況下則靠近點(diǎn)。然后，飽和電流密度是指數(shù)函數(shù)針對(duì)零電壓的值。在步驟a)期間，特性的每個(gè)點(diǎn)的電壓值被測(cè)量，使得它基本上不包括例如在1mv內(nèi)的、二極管的寄生接入電阻的電壓降。每個(gè)點(diǎn)的電流密度對(duì)應(yīng)于流過(guò)二極管的電流值除以俯視圖中溝槽之間的表面積。在步驟b)中，推薦地通過(guò)將電流密度的對(duì)數(shù)與指數(shù)函數(shù)的對(duì)數(shù)之間的差的平方和小化來(lái)確定指數(shù)函數(shù)。當(dāng)二極管被反向偏置時(shí)，由區(qū)域306通過(guò)層308引起的靜電影響使得能夠限制溝道區(qū)域和漏極區(qū)域中的電場(chǎng)(即，相對(duì)于區(qū)域306和層308不在那里的情況下的電場(chǎng)，減小了該電場(chǎng))。這限制了二極管中的漏...

整流二極管可用半導(dǎo)體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時(shí)容易反向擊穿）。這種器件的結(jié)面積較大，能通過(guò)較大電流（可達(dá)上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路，如需達(dá)到全波整流需連成整流橋使用。常用二極管的符號(hào)二極管結(jié)構(gòu)整流二極管選用編輯1N4001外形尺寸整流二極管，圖上有銀色圈一端是負(fù)極整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時(shí)，主要應(yīng)考慮其大整流電流、大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用...