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一、高壓熔斷器的種類和技術(shù)特性高壓熔斷器型號含義如下圖：二、RN1和RN2戶內(nèi)式高壓熔斷器RN系列高壓熔斷器用于高壓配電線路、小容量變壓器、電力電容器和電壓互感器等電氣設(shè)備的過載和短路保護(hù)。它由熔體管、接觸導(dǎo)電部分、支持絕緣子和底座等組成，如圖。熔體管...

(1)一般條件Ie≥Ije≥Ig·zd式中:Ie--熔斷器熔管的額定電流，AIje--熔斷器熔體的額定電流，AIg·zd--回路**大持續(xù)工作電流，A此條件為選擇熔斷器額定電流的總體要求，其中熔體額定電流的選擇**為重要，它的選擇與其熔斷特性有關(guān)，應(yīng)能...

注意事項鑒于熔斷器***的短路保護(hù)性能，它廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中，作為短路和過電流的保護(hù)器，是應(yīng)用**普遍也**重要的保護(hù)器件之一。在應(yīng)用中要重視熔斷器的使用注意事項、日常巡視檢查及維修保養(yǎng)。熔斷器使用注意事項：1、熔斷器的保...

本發(fā)明涉及一種熔斷器，具體涉及一種快速熔斷器。背景技術(shù)：熔斷器也被稱為保險絲，它是一種安裝在電路中，保證電路安全運(yùn)行的電器元件。熔斷器其實(shí)就是一種短路保護(hù)器，***用于配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，主要進(jìn)行短路保護(hù)或嚴(yán)重過載保護(hù)。隨著技術(shù)先進(jìn)的發(fā)展，對***熔斷...

一般而言，EV/HEV通過過載電流檢測會切斷接觸器，而熔斷器則應(yīng)用于短路大電流保護(hù)。理想的保護(hù)是熔斷器作為***個被觸發(fā)（熔斷器具備任何保護(hù)系統(tǒng)的**低初始成本）并且能夠在任何其他保護(hù)元件開始動作之前正確地***故障。挑戰(zhàn)在于熔斷器需要在接觸器過熱或超...

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描...

本實(shí)用新型涉及驅(qū)動電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動電路。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關(guān)速度快，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運(yùn)行，甚...

該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據(jù)應(yīng)用端對器件的開關(guān)特性需求，可以對第二氧化層22的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區(qū)的光刻膠3，保留非溝道區(qū)的光刻膠3，從而保護(hù)溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第...

由于西門康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1、在使用模塊時，盡量不要用手...

四種IGBT模塊常規(guī)測量儀器作者：微葉科技時間：2015-10-1516:38看了很多的IGBT測量方法，其中不乏極具精髓的，但不怎么的***?，F(xiàn)在我總結(jié)介紹四招，有這四招，足以應(yīng)付日常工作中的要求了。但這是在簡單工具的前提下，只能說是常規(guī)測量吧。下面...

更好的電氣性能新的機(jī)械設(shè)計也改善了電氣性能。事實(shí)上，***降低的熱阻允許更高的輸出電流。得益于角形柵極可控硅的使用，新的芯片具有更大的有效表面積，可以流過更多的電流。由于這些變化，在與當(dāng)前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過芯片的輸出電流大約多了10...

○觸發(fā)板也可接入直流3V電壓和分流器75mV反饋信號進(jìn)行直流負(fù)載的恒電流和恒電壓控制。（請通過JP1和JP3跳線選擇短接S4和S6進(jìn)行直流閉環(huán)控制）?！鹩|發(fā)板可跟據(jù)不同要求場合取樣。觸發(fā)板還可以與單片機(jī)及相應(yīng)檢測傳感器組成外閉環(huán)自動控制系統(tǒng)。2．可選擇...

脈沖的幅值與柵驅(qū)動電路阻抗和dV/dt的實(shí)際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因為此時集電極到發(fā)射極的電壓...

GSM系統(tǒng)規(guī)范對手機(jī)發(fā)射功率的精度、平坦度、發(fā)射頻譜純度以及帶外雜散信...發(fā)表于2017-12-1217:58?171次閱讀空間電壓矢量svpwm控制原理解析PAM是英文PulseAmplitudeModulation（脈沖幅度調(diào)制）縮寫，是按一定規(guī)...

由于西門康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1、在使用模塊時，盡量不要用手...

***，市場發(fā)展的趨勢要求系統(tǒng)的高可靠性，正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動力。現(xiàn)在這些模塊有了一個全新的設(shè)計結(jié)構(gòu)，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級了的彈簧壓接技術(shù)，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上。技術(shù)鑒于工...

***，市場發(fā)展的趨勢要求系統(tǒng)的高可靠性，正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動力。現(xiàn)在這些模塊有了一個全新的設(shè)計結(jié)構(gòu)，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級了的彈簧壓接技術(shù)，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上。技術(shù)鑒于工...

特別是對于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度更大。背面工藝，包括了背面離子注入，退火***，背面金屬化等工藝步驟，由于正面金屬的熔點(diǎn)的限制，這些背面工藝必須在低溫下進(jìn)行(不超過450°C)，退火***這一步難度極大。背面注入以及退火，此工藝并不像想象的那...

而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性...

此外，單個溝槽可以被提供有例如至少在一側(cè)上的晶體管。此外，在所描述的實(shí)施例中，晶體管的n和p傳導(dǎo)類型、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽極可以同時反轉(zhuǎn)。上文已描述了具有各種變型的各種實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將這些各種實(shí)施例和變型的各種元件進(jìn)...

1)、整流橋殼體表面散熱熱阻a)整流橋正面殼體的散熱熱阻:同不帶散熱器的強(qiáng)迫風(fēng)冷一樣:b)整流橋背面殼體的散熱熱阻:假設(shè)忽約整流橋與殼體的接觸熱阻，則:;選擇散熱器與環(huán)境間熱阻的典型值為:于是:則整流橋通過殼體表面散熱的總熱阻為:2)、流橋通過引腳散熱...

冷卻體）的選定方法、實(shí)際安裝的注意事項7-7第8章并聯(lián)連接1.電流分配的阻礙原因8-22.并聯(lián)連接方法8-3第9章評價、測定方法1.適用范圍9-12.評價、測定方法9-1Qualityisourmessage第1章構(gòu)造與特征目錄1.元件的構(gòu)造與特征1-...

因此在驅(qū)動電路的輸出端給柵極加電壓保護(hù)，并聯(lián)電阻Rge以及反向串聯(lián)限幅穩(wěn)壓管，如圖4所示。圖4柵極保護(hù)電路柵極串聯(lián)電阻Rg對IGBT開通過程影響較大。Rg小有利于加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗，但過小會造成di/dt過大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。根據(jù)本設(shè)...

pwm_l信號為低電平時，c2通過r2充電，r2,c2構(gòu)成死區(qū)延時td。當(dāng)pwm_h信號為高電平時，c3通過d3快速放電，pwm_l信號為低電平時，c3通過r3充電，r3,c3構(gòu)成死區(qū)延時td。其中v1輸入采用cmos施密特與非門，可以提高輸入信號門檻...

好的磁通密度B在100...發(fā)表于2017-11-0616:26?3306次閱讀電動勢和電壓的區(qū)別電動勢是對電源而說的，它就是電源將單位正電荷從負(fù)極經(jīng)電源內(nèi)部移到正極時，非靜電力所做的功。電壓是對一...發(fā)表于2017-11-0615:54?342次閱...

交直流電壓還可以測量直流電壓。甚至有的萬用表還可以測量晶體管...發(fā)表于2018-01-1819:18?3013次閱讀驗證了LCL型濾波器參數(shù)設(shè)計及光伏并入配電網(wǎng)的逆...從濾波器的原理入手，對單L型和LCL型濾波器原理進(jìn)行對比分析，在設(shè)計方法上，對比...

本實(shí)用新型涉及驅(qū)動電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動電路。背景技術(shù)：風(fēng)電變流器系統(tǒng)電壓690v，一般采用1700v的igbt模塊，大功率igbt模塊開關(guān)速度快，產(chǎn)生很高的di/dt和du/dt，帶來emc電磁干擾問題，影響變流器的可靠運(yùn)行，甚...

在...發(fā)表于2017-06-1217:28?875次閱讀電阻電容標(biāo)準(zhǔn)值取值法則及電阻的技術(shù)范疇和常見特性如E6系列的公比為6√10≈，系列的***個量取，接下來的量為上臨的量乘以公比值6√10...發(fā)表于2017-06-0914:45?504次閱讀基...

專業(yè)進(jìn)行智能廚具產(chǎn)品的開發(fā)和研究，并設(shè)立了以上海市區(qū)為中心的賽米控營銷售后服務(wù)點(diǎn)。2009年3月，賽米控公司聯(lián)合石家莊啟宏東立科技有限公司共同投資成立石家莊賽米控電子科技有限公司。石家莊賽米控公司主要負(fù)責(zé)北方商用電磁爐成品的組裝生產(chǎn)與銷售。2004年，...

大中小燒IGBT或保險絲的維修程序2010-03-28流水淙淙展開全文一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序電流保險絲或IGBT燒壞，不能馬上換上該零件，必須確認(rèn)下列其它零件是在正常狀態(tài)時才能進(jìn)行更換，否則，IGBT和保險絲又會燒壞。1．目視電流保險絲...