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真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發(fā)射出來,進(jìn)而在基片上沉積的技術(shù)。在濺射鍍鈦的實(shí)驗(yàn)中,電子、離子或中性粒子均可作為轟擊靶的荷能粒子,而由于離子在電場(chǎng)下易于加速并獲得較大動(dòng)能,所以一般是用Ar+作為轟擊粒子。與傳統(tǒng)的蒸發(fā)鍍膜相比,濺射鍍膜可以在低溫、低損傷的條件下實(shí)現(xiàn)高速沉積、附著力較強(qiáng)、制取高熔點(diǎn)物質(zhì)的薄膜,在大面積連續(xù)基板上可以制取均勻的膜層。濺射鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術(shù),因此應(yīng)用十分普遍。薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向。廣州共濺射真空鍍膜實(shí)驗(yàn)...

真空鍍膜：電阻加熱蒸發(fā)法：電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓電流通過，對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠，可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是：加熱所能達(dá)到的較高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，國內(nèi)外已采用壽命較長的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。真空鍍膜機(jī)、真空鍍膜設(shè)備多弧離子鍍膜產(chǎn)品質(zhì)量的高...

真空鍍膜技術(shù)在國民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，特別是近幾年來，我國國民經(jīng)濟(jì)的迅速發(fā)展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn)。尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領(lǐng)域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法、離子注人法、擴(kuò)散法、電鍍法、涂布法、液相生長法等。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學(xué)沉積法和放電聚合法等。本次實(shí)驗(yàn)是使用物理沉積法，由于這種方法基本上都是處于真空環(huán)境下進(jìn)行的，因此稱它們?yōu)檎婵斟兡ぜ夹g(shù)。真空蒸發(fā)、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法，是基本的薄膜制備技術(shù)。真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，...

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜有很多種方式。按電極結(jié)構(gòu)、電極相對(duì)位置以及濺射的過程,可以分為二極濺射、三極或四極濺射、磁控濺射、對(duì)向靶濺射、和ECR濺射。除此之外還根據(jù)制作各種薄膜的要求改進(jìn)的濺射鍍膜技術(shù)。比較常用的有:在Ar中混入反應(yīng)氣體如O2、N2、CH4、C2H2等,則可制得鈦的氧化物、氮化物、碳化物等化合物薄膜的反應(yīng)濺射。在成膜的基板上施加直到500V的負(fù)電壓,使離子轟擊膜層的同時(shí)成膜,由此改善膜層致密性的偏壓濺射。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):可采用屏蔽式進(jìn)行部分鍍鋁，以獲得任意圖案或透明窗口，能看到內(nèi)裝物。廣東光電器件真空鍍膜技術(shù)真空鍍膜：反應(yīng)性離子鍍：如果采用電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)，在坩堝上方...

使用磁控濺射法沉積硅薄膜,通過優(yōu)化薄膜沉積的工藝參數(shù)(包括本地真空、濺射功率、濺射氣壓等）,以期用濺射法終后制備出高質(zhì)量的器件級(jí)硅薄膜提供科學(xué)數(shù)據(jù)。磁控濺射法是一種簡(jiǎn)單、低溫、快速的成膜技術(shù),能夠不使用有毒氣體和可燃性氣體進(jìn)行摻雜和成膜,直接用摻雜靶材濺射沉積,此法節(jié)能、高效、環(huán)保。可通過對(duì)氫含量和材料結(jié)構(gòu)的控制實(shí)現(xiàn)硅薄膜帶隙和性能的調(diào)節(jié)。與其它技術(shù)相比,磁控濺射法優(yōu)勢(shì)是它的沉積速率快,具有誘人的成膜效率和經(jīng)濟(jì)效益，實(shí)驗(yàn)簡(jiǎn)單方便。真空鍍膜有濺射鍍膜形式。佛山等離子體增強(qiáng)氣相沉積真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室真空鍍膜：PVD技術(shù)工藝步驟：清洗工件：接通直流電源，氬氣進(jìn)行輝光放電為氬離子，氬離子轟擊工件表面，工件...

真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術(shù)的發(fā)展，濺射鍍膜技術(shù)飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨(dú)到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場(chǎng)的作用下，對(duì)陰極靶材料表面進(jìn)行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動(dòng)能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點(diǎn)為：鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)；鍍膜層致密、均勻；設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應(yīng)用較多的是磁控濺射法。通過PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問題，不同材料與襯底間可能存在...

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜有很多種方式。按電極結(jié)構(gòu)、電極相對(duì)位置以及濺射的過程,可以分為二極濺射、三極或四極濺射、磁控濺射、對(duì)向靶濺射、和ECR濺射。除此之外還根據(jù)制作各種薄膜的要求改進(jìn)的濺射鍍膜技術(shù)。比較常用的有:在Ar中混入反應(yīng)氣體如O2、N2、CH4、C2H2等,則可制得鈦的氧化物、氮化物、碳化物等化合物薄膜的反應(yīng)濺射。在成膜的基板上施加直到500V的負(fù)電壓,使離子轟擊膜層的同時(shí)成膜,由此改善膜層致密性的偏壓濺射。真空鍍膜離子鍍中不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。廣州等離子體增強(qiáng)氣相沉積真空鍍膜平臺(tái)真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉...

熱氧化與化學(xué)氣相沉積不同，她是通過氧氣或水蒸氣擴(kuò)散到硅表面并進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成氧化硅。熱氧化形成氧化硅時(shí)，會(huì)消耗相當(dāng)于氧化硅膜厚的45%的硅。熱氧化氧化過程主要分兩個(gè)步驟：步驟一：氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面，步驟二：氧氣或者水蒸氣等擴(kuò)散到硅表面，步驟三：氧氣或者水蒸氣等與硅反應(yīng)生成氧化硅。熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧氣，硅片與氧化反應(yīng)生成氧化硅，氧化速率比較慢，氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當(dāng)中通入氧氣和氫氣，兩者反應(yīng)生長水蒸氣，水蒸氣與硅片表面反應(yīng)生長氧化硅，濕法氧化，速率比較快，可以生長比較厚...

真空鍍膜的方法：化學(xué)氣相沉積：化學(xué)氣相沉積是一種化學(xué)生長方法,簡(jiǎn)稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術(shù)。這種方法是把含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質(zhì)氣體供給基片,利用加熱、等離子體、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面的化學(xué)反應(yīng)(熱分解或化學(xué)合成)生成要求的薄膜。真空鍍鈦的CVD法中Z常用的就是等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)。利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜。真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成...

真空鍍膜：電阻加熱蒸發(fā)法：電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓電流通過，對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠，可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是：加熱所能達(dá)到的較高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，國內(nèi)外已采用壽命較長的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。真空鍍膜的操作規(guī)程：在離子轟擊和蒸發(fā)時(shí)，應(yīng)特別注...

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱，因此對(duì)基板材料的限制較少。反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。真空鍍膜中制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法。湖南叉指電極真空鍍膜廠家真空鍍膜：物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣...

真空鍍膜：各種鍍膜技術(shù)都需要有一個(gè)蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進(jìn)，擴(kuò)大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機(jī)物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時(shí)蒸鍍不同材料而得到多層膜。蒸發(fā)或?yàn)R射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對(duì)其膜厚可進(jìn)行比較精確的測(cè)量和控制，從而保證膜厚的均勻性。每種薄膜都可以通過微調(diào)閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分?jǐn)?shù)，從而防止蒸鍍材料的氧化，把氧的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低到較小的程度，還可以充入惰性氣體等，這對(duì)于濕式鍍膜而言是無法實(shí)現(xiàn)的。由于鍍膜設(shè)備的不斷改進(jìn)，鍍膜過程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化，從而地提...

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)是真空蒸鍍的一種方式，它是在鎢絲蒸發(fā)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。電子束是一種高速的電子流。電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中膜料與蒸鍍?cè)床牧现苯咏佑|容易互混的問題。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜的一種，是在真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料，使蒸發(fā)材料氣化并向基板輸運(yùn)，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的物質(zhì)放置于水冷的坩堝中，可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜，同時(shí)在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝，實(shí)現(xiàn)同時(shí)或分別蒸發(fā)，沉積多種不同的物質(zhì)。通過電子束蒸發(fā)，任何材料都可...

LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜，在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料、絕緣層、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi)，影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下，反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大，膜厚均勻性好、臺(tái)階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時(shí)發(fā)生電離。貴州ITO鍍膜真空鍍膜公司真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在鋼...

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱，因此對(duì)基板材料的限制較少。反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。離子鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。珠海電子束蒸發(fā)真空鍍膜價(jià)錢真空鍍膜的方法：離子鍍：總體來說比較常用的有:直流放電二極型、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍(ARE)、空心陰極放電離子鍍(HCD)、射...

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術(shù)）的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法，是在高真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料，使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運(yùn)，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于水冷的坩堝當(dāng)中，可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜?；瘜W(xué)氣相沉積是真空鍍膜技術(shù)的一種。重慶金屬真...

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，反應(yīng)能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對(duì)濺射速率進(jìn)行調(diào)整，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整。但反應(yīng)氣體過量時(shí)可能會(huì)造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射；2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。真空鍍膜機(jī)、真空鍍膜設(shè)備爐門采用懸...

磁控濺射是物理沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，而上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率，可以在樣品表面蒸鍍致密的薄膜。真空鍍膜中等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積可在較低溫度下形成固體膜。山東貴金屬真空鍍膜價(jià)錢電子束蒸發(fā)是基于鎢絲的蒸發(fā)。大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲（位于...

等離子體化學(xué)氣相沉積法，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行。優(yōu)點(diǎn)是：反應(yīng)溫度降低，沉積速率較快，成膜質(zhì)量好，不容易破裂。缺點(diǎn)是：設(shè)備投資大、對(duì)氣管有特殊要求。PECVD，等離子體化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，使局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應(yīng)，在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因此，這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。利用PECVD生長的氮化硅薄膜臺(tái)階覆蓋性比較好。湖北功率器件真空鍍膜公司真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代，四五十年...

針對(duì)PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴(kuò)散，并加速反應(yīng)過程，有利于形成擴(kuò)散附著，降低內(nèi)應(yīng)力；2.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向，但需要外界給予活化能。對(duì)薄膜進(jìn)行熱處理，非平衡缺陷大量消失，薄膜內(nèi)應(yīng)力降低；3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力，利用應(yīng)變相消原理，在薄膜層之間再沉積一層薄膜，控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài)，緩解應(yīng)力帶來的破壞作用，整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力 利用PECVD生長的氮化硅薄膜均勻性和重復(fù)性好，可大面積成膜。河南磁控濺射真空鍍膜代工真空鍍膜：PVD技術(shù)工藝步驟：清洗...

多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜膜層不易脫落。由于離子轟擊基體產(chǎn)生的濺射作用，使基體受到清洗，啟動(dòng)及加熱，既可以去除基體表面吸附的氣體和污染層，也可以去除基體表面的氧化物。離子轟擊時(shí)鏟射的加熱和缺陷可引起基體的增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)。多弧離子真空鍍膜設(shè)備鍍膜既提高了基體表面層組織結(jié)晶性能，也提供了合金相形成的條件。多弧離子真空鍍膜機(jī)由于產(chǎn)生良好的繞射性。多弧離子真空鍍膜設(shè)備鍍膜在壓力較高的情況下（≧1Pa）被電離的蒸汽的離子或分子在到達(dá)基體前的路程上將會(huì)遇到氣體分子的多次碰撞。多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜還會(huì)在電廠的作用下沉積在具有負(fù)電壓基體表面的任意位置上。因此，這一點(diǎn)蒸發(fā)鍍是無法達(dá)到的。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):具有較佳的...

真空鍍膜機(jī)的優(yōu)良、高效的表面改性與涂層技術(shù)其范圍廣闊：如熱化學(xué)表面技術(shù)；物理的氣相沉積；化學(xué)氣相沉積；物漓蠟學(xué)氣相沉積技術(shù)；高能等離體表面涂層技術(shù)；金剛石薄膜涂層；多元多層復(fù)和涂層技術(shù)；表面改性及涂層性能猜測(cè)及剪裁技術(shù)；性能測(cè)試與壽命評(píng)估等等。新型低溫化學(xué)氣相沉積技術(shù)引入等離子體增強(qiáng)技術(shù)，使其溫度降至600度以下，獲得硬質(zhì)耐磨涂層新工藝，所生產(chǎn)的強(qiáng)度高、高性能的涂層工藝，在高速、重負(fù)荷、難加工領(lǐng)域中有其特別的作用。超深埠鯫面改性技術(shù)可應(yīng)用于絕大多數(shù)熱處理件和表面處理件，可替代高頻淬火，碳氮共滲，離子滲氮等工藝，得到更深的滲層，更高的耐磨性，產(chǎn)品壽命劇增，可產(chǎn)生突破性的功能變化。真空鍍膜的操作規(guī)...

用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。濺射現(xiàn)象于1870年開始用于鍍膜技術(shù)，1930年以后由于提高了沉積速率而逐漸用于工業(yè)生產(chǎn)。常用的二極濺射設(shè)備通常將欲沉積的材料制成板材──靶,固定在陰極上?；糜谡龑?duì)靶面的陽極上,距靶幾厘米。系統(tǒng)抽至高真空后充入10~1帕的氣體(通常為氬氣)，在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏范圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。與蒸發(fā)鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點(diǎn)的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、T...

真空鍍膜的功能是多方面的，這也決定了其應(yīng)用場(chǎng)合非常豐富?？傮w來說，真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果，在薄膜材料上使膜層具有出色的阻隔性能，提供優(yōu)異的電磁屏蔽和導(dǎo)電效果。通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法較早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一。蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間(或決定于裝料量)，并與...

多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜膜層不易脫落。由于離子轟擊基體產(chǎn)生的濺射作用，使基體受到清洗，啟動(dòng)及加熱，既可以去除基體表面吸附的氣體和污染層，也可以去除基體表面的氧化物。離子轟擊時(shí)鏟射的加熱和缺陷可引起基體的增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)。多弧離子真空鍍膜設(shè)備鍍膜既提高了基體表面層組織結(jié)晶性能，也提供了合金相形成的條件。多弧離子真空鍍膜機(jī)由于產(chǎn)生良好的繞射性。多弧離子真空鍍膜設(shè)備鍍膜在壓力較高的情況下（≧1Pa）被電離的蒸汽的離子或分子在到達(dá)基體前的路程上將會(huì)遇到氣體分子的多次碰撞。多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜還會(huì)在電廠的作用下沉積在具有負(fù)電壓基體表面的任意位置上。因此，這一點(diǎn)蒸發(fā)鍍是無法達(dá)到的。真空鍍膜是在真空室內(nèi)材料的原...

真空鍍膜機(jī)放氣閥形式介紹：(1)手動(dòng)真空放氣閥：我國研制生產(chǎn)的真空鍍膜機(jī)手動(dòng)真空放氣閥結(jié)構(gòu)形式多種多樣，通徑有φ3mm、φ30mm、φ60mm等，以滿足不同真空系統(tǒng)工作的需要。QF-5型充氣閥主要是用來對(duì)真空容器充入大氣或其他特殊氣體的，此閥結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，密封可靠，適合各種真空鍍膜機(jī)真空應(yīng)用設(shè)備配套之用。(2)手動(dòng)超高真空安全放氣閥：該閥采用金屬密封，適用f超高真空系統(tǒng)，主閥板關(guān)閉．起截止氣流作用，主閥板啟開，可向真空系統(tǒng)充氣，當(dāng)充入氣壓達(dá)到105～1.5×105Pa時(shí)，旁路通導(dǎo)板起跳排氣，避免因充氣壓力過高而破壞真空容器，直到保護(hù)真空系統(tǒng)的作用。本閥適用的介質(zhì)為潔凈空氣或非腐蝕性干燥氣...

裝飾領(lǐng)域的真空鍍膜機(jī)，一部分采用的是真空蒸發(fā)鍍膜法，真空蒸鍍是將待成膜的物質(zhì)置于真空中進(jìn)行蒸發(fā)或升華，使之在工件或基材表面沉積的過程。是在真空室中加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流入射到固體（稱為襯底或基片）表面凝結(jié)形成固態(tài)薄膜。關(guān)于蒸發(fā)源的形狀可根據(jù)蒸發(fā)材料的性質(zhì)，結(jié)合考慮與蒸發(fā)材料的濕潤性，制作成不同的形式和選用不同的蒸發(fā)源物質(zhì)。真空蒸鍍有三層：底漆層（6~12um）+鍍膜層（1~2um）+面漆層（10um）裝配前處理。將基材表面雜質(zhì)、灰塵等用布擦拭干凈，提高噴射良率。將基材裝配在專屬掛具上，用以固定于流水線上，并按設(shè)計(jì)要求實(shí)現(xiàn)外觀和功能的遮鍍。通過加...

多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜膜層不易脫落。由于離子轟擊基體產(chǎn)生的濺射作用，使基體受到清洗，啟動(dòng)及加熱，既可以去除基體表面吸附的氣體和污染層，也可以去除基體表面的氧化物。離子轟擊時(shí)鏟射的加熱和缺陷可引起基體的增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)。多弧離子真空鍍膜設(shè)備鍍膜既提高了基體表面層組織結(jié)晶性能，也提供了合金相形成的條件。多弧離子真空鍍膜機(jī)由于產(chǎn)生良好的繞射性。多弧離子真空鍍膜設(shè)備鍍膜在壓力較高的情況下（≧1Pa）被電離的蒸汽的離子或分子在到達(dá)基體前的路程上將會(huì)遇到氣體分子的多次碰撞。多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜還會(huì)在電廠的作用下沉積在具有負(fù)電壓基體表面的任意位置上。因此，這一點(diǎn)蒸發(fā)鍍是無法達(dá)到的。磁控濺射常用來沉積TSV結(jié)構(gòu)...

多弧離子真空鍍膜機(jī)與蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)、濺射真空鍍膜機(jī)相比，較大的特點(diǎn)是荷能離子一邊轟擊基體與膜層，一邊進(jìn)行沉積。荷能離子的轟擊作用所產(chǎn)生一系列的效應(yīng)，主要有如下幾點(diǎn)：多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜鍍層質(zhì)量高。由于離子轟擊可提高膜的致密度，改善膜的組織結(jié)構(gòu)，使得膜層的均勻度好，多弧離子真空鍍膜設(shè)備鍍膜鍍層組織致密，小孔和氣泡少。多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜沉積速率高，成膜速度快，可制備30μm的厚膜。多弧離子真空鍍膜設(shè)備鍍膜所適用的基體材料與膜層材料均比較普遍。適用于在金屬或非金屬表面上鍍制金屬、化合物、非金屬材料的膜層。如在鋼鐵、有色金屬、石英、陶瓷、塑料等各種材料表面鍍膜。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積...

在顯示器件方面，錄象磁頭、高密度錄象帶以及平面顯示裝置的透明導(dǎo)電膜、攝像管光導(dǎo)膜、顯示管熒光屏的鋁襯等也都是采用真空鍍膜法制備。在元件方面，在真空中蒸發(fā)鎳鉻，鉻或金屬陶瓷可以制造電阻，在塑料上蒸發(fā)鋁、一氧化硅、二氧化鈦等可以制造電容器，蒸發(fā)硒可以得到靜電復(fù)印機(jī)用的硒鼓、蒸發(fā)鈦酸鋇可以制造磁致伸縮的起聲元件等等。真空蒸發(fā)還可以用于制造超導(dǎo)膜和慣性約束巨變反應(yīng)用的微珠鍍層。此外還可以對(duì)珠寶、鐘表外殼表面、紡織品金屬花紋、金絲銀絲線等蒸鍍裝飾用薄膜，以及采用濺射鍍或離子鍍對(duì)刀具、模具等制造超硬膜。近兩年內(nèi)所興起的多弧離子鍍制備鈦金制品，如不銹鋼薄板、鏡面板、包柱、扶手、高級(jí)床托架、樓梯欄桿等目前正在...