需要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以 DDR的信號質(zhì)量測試理論上也應(yīng)該同時涉及這兩類芯片的測試。但是由于JEDEC只規(guī)定 了對于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號質(zhì)量的要求,因此DDR的自動測試軟件也只對這一側(cè)的信 號質(zhì)量進行測試。對于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號質(zhì)量來說,不同控制器芯片廠商有不同的要 求,目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號質(zhì)量的測試還只能使用手動的方法。這時用戶可以在 內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測試點,并借助合適的信號讀/寫分離手段來進行手動測試。DDR2 3 4物理層一致性測試;遼寧DDR一致性測試維修
DDR總線上需要測試的參數(shù)高達上百個,而且還需要根據(jù)信號斜率進行復雜的查表修 正。為了提高DDR信號質(zhì)量測試的效率,比較好使用御用的測試軟件進行測試。使用自動 測試軟件的優(yōu)點是:自動化的設(shè)置向?qū)П苊膺B接和設(shè)置錯誤;優(yōu)化的算法可以減少測試時 間;可以測試JEDEC規(guī)定的速率,也可以測試用戶自定義的數(shù)據(jù)速率;自動讀/寫分離技 術(shù)簡化了測試操作;能夠多次測量并給出一個統(tǒng)計的結(jié)果;能夠根據(jù)信號斜率自動計算建 立/保持時間的修正值。貴州DDR一致性測試維修價格DDR3和 DDR4設(shè)計分成幾個方面:仿真、有源信號驗證和功能測試。用于電氣物理層、協(xié)議層和功能測試解決方案。
10Gbase-T總線測量為例做簡單介紹。
10Gbase-T總線的測量需要按照圖7-128來連接各種儀器和測試夾具。
10Gbase-T的輸岀跌落/定時抖動/時鐘頻率要求用實時示波器測試;線性度/功率譜密度 PSD/功率電平要求用頻譜分析儀測試;回波損耗要求用網(wǎng)絡(luò)分析儀測試。
需要自動化測試軟件進行各種參數(shù)測試,一般這個軟件直接裝在示波器內(nèi)置的計算機里。 沒有自動測試軟件,測試是異常困難和耗時的工作。
測試夾具是測試系統(tǒng)的重要組成部分,測試儀器公司或一些專業(yè)的公司會提供工業(yè)標準 總線所用的測試夾具。當然也可以自己設(shè)計,自己設(shè)計時主要關(guān)注阻抗匹配、損耗、串擾等 電氣參數(shù),以及機械連接方面的連接可靠性和可重復性等可操作性功能。
按照存儲信息方式的不同,隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM(Static RAM)和 動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單,但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲需要多個晶體管,不容易實現(xiàn)大的存儲容量,主要用于一些對時 延和速度有要求但又不需要太大容量的場合,如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時延比SRAM大,而且需要定期的刷新,控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數(shù)據(jù)存儲只需要一個晶體管,因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點,目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流,典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內(nèi)存都是DRAM。DDR4協(xié)議/功能調(diào)試和分析參考解決方案。
克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室
DDR SDRAM即我們通常所說的DDR內(nèi)存,DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代,目前 DDR4已經(jīng)成為市場的主流,DDR5也開始進入市場。對于DDR總線來說,我們通常說的 速率是指其數(shù)據(jù)線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應(yīng)的工作時鐘速率是 1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率,由于在DDR總線 上會有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時間、高阻態(tài)時間、總線刷新時間等,因此其實際的總線傳輸速率 達不到這個理想值。 DDR4 一致性測試軟件;貴州DDR一致性測試維修價格
DDR眼圖測試及分析DDR穩(wěn)定性測試\DDR2一致性測試;遼寧DDR一致性測試維修
RDIMM(RegisteredDIMM,寄存器式雙列直插內(nèi)存)有額外的RCD(寄存器時鐘驅(qū)動器,用來緩存來自內(nèi)存控制器的地址/命令/控制信號等)用于改善信號質(zhì)量,但額外寄存器的引入使得其延時和功耗較大。LRDIMM(LoadReducedDIMM,減載式雙列直插內(nèi)存)有額外的MB(內(nèi)存緩沖,緩沖來自內(nèi)存控制器的地址/命令/控制等),在技術(shù)實現(xiàn)上并未使用復雜寄存器,只是通過簡單緩沖降低內(nèi)存總線負載。RDIMM和LRDIMM通常應(yīng)用在高性能、大容量的計算系統(tǒng)中。
綜上可見,DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢是速率更高、封裝更密、工作電壓更低、信號調(diào)理技術(shù) 更復雜,這些都對設(shè)計和測試提出了更高的要求。為了從仿真、測試到功能測試階段保證DDR信號的波形質(zhì)量和時序裕量,需要更復雜、更的仿真、測試和分析工具。
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