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來源: 發(fā)布時間:2023-08-12

    大中小燒IGBT或保險絲的維修程序2010-03-28流水淙淙展開全文一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序電流保險絲或IGBT燒壞,不能馬上換上該零件,必須確認下列其它零件是在正常狀態(tài)時才能進行更換,否則,IGBT和保險絲又會燒壞。1.目視電流保險絲是否燒斷2.檢測IGBT是否...一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序保險絲或IGBT燒壞,不能馬上換上該零件,必須確認下列其它零件是在正常狀態(tài)時才能進行更換,否則,IGBT和保險絲又會燒壞。這樣付出的代價就大了。1.檢查保險絲是否燒斷2.檢測IGBT是否擊穿:用萬用表二極管檔測量IGBT的“E”;“C”;“G”三極間是否擊穿短路。A:“E”極與“G”極;“C”極與“G”極,正反測試均不導(dǎo)通(正常)。B:萬用表紅筆接”E“極,黑筆接“C”極有電壓降(型號為GT40T101三極全不通)。3.測量互感器是否斷腳,正常狀態(tài)如下:用萬用表電阻檔測量互感器次級電阻約80Ω;初極為0Ω。4.整流橋是否正常(用萬用表二極管檔測試):A:數(shù)字萬用表紅筆接“-”,黑筆接“+”有,調(diào)反無顯示。B:萬用表紅筆接“-”,黑筆分別接兩個輸入端均有,調(diào)反無顯示。C:萬用表黑筆接“+”,紅筆分別接兩個輸入端均有,調(diào)反無顯示。5.檢查電容C301;C302;C303。對IGBT模塊需求也在逐步擴大,新興行業(yè)的加速發(fā)展將持續(xù)推動IGBT市場的高速增長。江西模塊直銷價

    2013年2月,賽米控公司正式推出全國**式電磁油煙凈化一體機。2012年5月,賽米控公司正式加入廣東省酒店用品行業(yè)協(xié)會。2012年4月,賽米控公司正式加入順德民營企業(yè)投資商會理事會。2012年3月,賽米控公司投資控股佛山市順德區(qū)智械智能設(shè)備有限公司和佛山市順德區(qū)智熱電子科技有限公司。2012年3月,賽米控公司成立**永豐賽米控電子科技有限公司支部。2011年9月,賽米控公司在全國同行業(yè)中**推出美食和美器相結(jié)合的節(jié)能低碳廚房體驗廳開業(yè)。2011年2月,賽米控公司聯(lián)合阿里巴巴建立專業(yè)的外貿(mào)團隊,同年9月份出口西班牙大型電磁搖鍋。2010年12月,賽米控合資公司----石家莊晟歐電子科技有限公司董事會會議勝利召開。決議通過2011年商用電磁爐新的工作思路和發(fā)展方向。2010年9月,賽米控牌商用電磁爐榮獲中國***品牌,并被列入國內(nèi)商用電磁爐**品牌之一。2010年6月,賽米控成功研發(fā)出拋炒爐無盲點技術(shù)。并成功申請國家**。2010年3月,世界首臺自動煮食機器人誕生,同月又成功開發(fā)出國內(nèi)首臺自動煮粥機。標(biāo)志著賽米控將為中國智能化、標(biāo)準(zhǔn)化、**化餐飲業(yè)的發(fā)展翻開嶄新的一頁。2009年11月,賽米控公司在上海崇明島注冊成立上海灶福智能科技有限公司。天津模塊零售價還可以應(yīng)用于太陽能、風(fēng)能發(fā)電的逆變器里,將蓄電池的直流電逆變成交流電。

    特別是對于8寸以上的大硅片,極易破碎,難度更大。背面工藝,包括了背面離子注入,退火***,背面金屬化等工藝步驟,由于正面金屬的熔點的限制,這些背面工藝必須在低溫下進行(不超過450°C),退火***這一步難度極大。背面注入以及退火,此工藝并不像想象的那么簡單。國外某些公司可代加工,但是他們一旦與客戶簽訂協(xié)議,就不再給中國客戶代提供加工服務(wù)。在模塊封裝技術(shù)方面,國內(nèi)基本掌握了傳統(tǒng)的焊接式封裝技術(shù),其中中低壓模塊封裝廠家較多,高壓模塊封裝主要集中在南車與北車兩家公司。與國外公司相比,技術(shù)上的差距依然存在。國外公司基于傳統(tǒng)封裝技術(shù)相繼研發(fā)出多種先進封裝技術(shù),能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性能與長期可靠性,并初步實現(xiàn)了商業(yè)應(yīng)用。**工藝開發(fā)人員非常缺乏,現(xiàn)有研發(fā)人員的設(shè)計水平有待提高。目前國內(nèi)沒有系統(tǒng)掌握IGBT制造工藝的人才。從國外先進功率器件公司引進是捷徑。但單單引進一個人很難掌握IGBT制造的全流程,而要引進一個團隊難度太大。國外IGBT制造中許多技術(shù)是有**保護。目前如果要從國外購買IGBT設(shè)計和制造技術(shù),還牽涉到好多**方面的東西。

    在...發(fā)表于2017-06-1217:28?875次閱讀電阻電容標(biāo)準(zhǔn)值取值法則及電阻的技術(shù)范疇和常見特性如E6系列的公比為6√10≈,系列的***個量取,接下來的量為上臨的量乘以公比值6√10...發(fā)表于2017-06-0914:45?504次閱讀基礎(chǔ)知識:伏安法如何取電阻值及電阻色環(huán)的取值標(biāo)準(zhǔn)拿到色環(huán)電阻要把**靠近電阻端部的那一環(huán)認為***環(huán),否則會讀反,如三個環(huán)分別是紅橙黃,正確讀是2300...發(fā)表于2017-06-0817:15?479次閱讀絕緣電阻該如何測量功率?如何使用兆歐表測量絕緣電...兆歐表的接線柱共有三個:一個為“L”即線端,一個“E”即為地端,再一個“G”即屏蔽端(也叫保護環(huán))。...發(fā)表于2017-06-0810:41?336次閱讀什么是電阻分壓?電阻分壓的工作原理是什么?電阻分...當(dāng)電流表和其相連電阻連接時起到分壓效果,此時用外接(電流表內(nèi)阻一般不足一歐,但如果于其相連的電阻也只...發(fā)表于2017-06-0716:17?3161次閱讀什么是電阻的高頻工作模式?電阻電橋的工作原理及其...電橋是用來精密測量電阻或其他模擬量的一種非常有效的方法。普通PPS的CTI值大約在150V左右,遠遠滿足不了要求,我們研發(fā)團隊通過特殊配方對PPS材料進行改性.

    本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術(shù):igbt隨著結(jié)構(gòu)設(shè)計和工藝技術(shù)的升級,主流產(chǎn)品已經(jīng)從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示),現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)的制作方法如圖3所示,先在半導(dǎo)體襯底上光刻出溝槽,接著在該溝槽內(nèi)沉積**氧化層23(圖3a所示),然后去除該**氧化層23(圖3b所示),然后繼續(xù)在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(圖3c所示),接著沉積多晶硅層1(圖3d所示),接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示),溝槽柵結(jié)構(gòu)雖然相比平面柵結(jié)構(gòu)電流密度大幅度提升,但由于溝槽柵結(jié)構(gòu)帶來的結(jié)電容的大幅度上升,造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應(yīng)用于高頻場景。技術(shù)實現(xiàn)要素:本實用新型為解決現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt結(jié)電容較大的問題,提供了一種新的溝槽柵igbt結(jié)構(gòu)。本實用新型采用的技術(shù)方案如下:一種溝槽柵igbt,包括:半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)設(shè)置兩個溝槽柵結(jié)構(gòu);兩個溝槽柵結(jié)構(gòu),兩個所述溝槽柵結(jié)構(gòu)對稱,溝槽內(nèi)設(shè)置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層,所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層,所述***氧化層設(shè)置在溝道區(qū),所述第二氧化層設(shè)置在非溝道區(qū),所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進一步地。新能源汽車的成本構(gòu)成中,動力電池占比比較高,其次則是IGBT。節(jié)能模塊批發(fā)

在程序操縱下,IGBT模塊通過變換電源兩端的開關(guān)閉合與斷開,實現(xiàn)交流直流電的相互轉(zhuǎn)化。江西模塊直銷價

    圖5為本實用新型實施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖。圖中:1為多晶硅層,2為氧化層,21為***氧化層,22為第二氧化層,23為**氧化層,3為光刻膠。具體實施方式下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。圖4示出了本實施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖,包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置在半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)的兩個溝槽柵結(jié)構(gòu),兩個溝槽柵結(jié)構(gòu)對稱,溝槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2,氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22,***氧化層21設(shè)置在溝道區(qū),第二氧化層22設(shè)置在非溝道區(qū),第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現(xiàn)有技術(shù)中的厚度,因此本實施例的結(jié)電容更小。需要說明的是,本實施例減小結(jié)電容的方式是通過增加溝槽內(nèi)非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度,***氧化層21厚度不變,因此本實施例在減小結(jié)電容的同時并不會造成器件整體性能變差。江西模塊直銷價

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