則降低了故障時器件的損耗，延長了器件抗短路的時間，而且能夠降低器件關斷時的di/dt，對器件的保護十分有利。若延時后故障信號依然存在，則關斷器件，若故障信號消失，則驅動電路恢復到正常工作狀態(tài)，因而**增強了抗*擾的能力。上述降柵壓的方法只考慮了柵壓與短路電流大小的關系，而在實際應用中，降柵壓的速度也是一個重要因素，它直接決定了故障電流下降的di/dt。慢降柵壓技術就是通過限制降柵壓的速度來控制故障電流的下降速度，從而抑制器件的di/dt和Uce的峰值。圖3給出了慢降柵壓的具體電路圖。圖3正常工作時，因故障檢測二極管VD1的導通，將a點的電壓鉗位在穩(wěn)壓二極管ZV1的擊穿電壓之下，晶體管VT1始終保持截止狀態(tài)。V1通過驅動電阻Rg正常開通和關斷。電容C2為硬開關應用場合提供一很小的延時，使V1開通時Uce有一定的時間從高電壓降到通態(tài)壓降，而不使保護電路動作。當電路發(fā)生過流和短路故障時，V1上的Uce上升，a點電壓隨之上升，到一定值時，VZ1擊穿，VT1開通，b點電壓下降，電容C1通過電阻R1充電，電容電壓從零開始上升，當電容電壓上升至約，晶體管VT2開通，柵極電壓Uge隨著電容電壓的上升而下降，通過調節(jié)C1的數(shù)值，可控制電容的充電速度。覆蓋10 kW-10 GW的寬廣功率范圍，樹立了行業(yè)應用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應用范圍。遼寧模塊批發(fā)廠家

在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場效應管MOSFET被用于需要快速開關的中低壓場合，晶閘管、GTO被用于中高壓領域。MOSFET雖然有開關速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、驅動電路簡單的優(yōu)點;但是，在200V或更高電壓的場合，MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的增加會迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在著不能得到高耐壓、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向導通壓降特性，雖然可以得到高耐壓、大容量的元件，但是它要求的驅動電流大，控制電路非常復雜，而且交換速度不夠快。江蘇大規(guī)模模塊成本價高集成度： 整流橋、制動斬波器和 NTC 共用一個封裝，可節(jié)約系統(tǒng)成本。

    因此在驅動電路的輸出端給柵極加電壓保護，并聯(lián)電阻Rge以及反向串聯(lián)限幅穩(wěn)壓管，如圖4所示。圖4柵極保護電路柵極串聯(lián)電阻Rg對IGBT開通過程影響較大。Rg小有利于加快關斷速度，減小關斷損耗，但過小會造成di/dt過大，產生較大的集電極電壓尖峰。根據(jù)本設計的具體要求，Rg選取Ω。柵極連線的寄生電感和柵極與射極間的寄生電容耦合，會產生振蕩電壓，所以柵極引線應采用雙絞線傳送驅動信號，并盡可能短，比較好不超過m，以減小連線電感。四路驅動電路光耦與PWM兩路輸出信號的接線如圖5所示。圖5四路驅動電路光耦與PWM的兩路輸出信號的接線實驗波形如圖6所示。圖6a是柵極驅動四路輸出波形。同時測四路驅動波形時，要在未接通主電路條件下檢測。因為使用多蹤示波器檢測時，只允許一只探頭的接地端接參考電位，防止發(fā)生短路燒壞示波器。只有檢測相互間電路隔離的電路信號時，才可以同時使用接地端選擇公共參考電位。圖6b是IGBT上集-射極電壓Uce波形。由于全橋式逆變電路中IGBT相互間的電路信號是非隔離的，不能用普通探頭進行多蹤示波，該電壓波形是用高壓隔離探頭測得，示波器讀數(shù)為實際數(shù)值的1/50。由波形可知，lGBT工作正常。在橋式逆變電路中影響Uce波形的。

    但柵極連線的寄生電感和柵極-集電極之間的電容耦合，也會產生使氧化膜損壞的振蕩電壓。為此，通常采用絞線來傳送驅動信號，以減小寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻可以抑制振動電壓。由于IGBT的柵極-發(fā)射極之間和柵極-集電極之間存在著分布電容，以及發(fā)射極驅動電路中存在著分布電感，這些分布參數(shù)的影響，使IGBT的實際驅動波形與理想驅動波形不完全相同，并且產生了不利于IGBT開通和關斷的因素。如圖1所示。在t0時刻，柵極驅動電壓開始上升，此時影響柵極電壓上升斜率的主要因素只有Rg和Cge，柵極電壓上升較快。在t1時刻達到IGBT的柵極門檻值，集電極電流開始上升。從此時有兩個因素影響Uge波形偏離原來的軌跡。首先，發(fā)射極電路中的分布電感Le上的感應電壓隨著集電極電流Ic的增大而加大，從圖1而削弱了柵極驅動電壓的上升，并且降低了柵極-發(fā)射極間的電壓上升率，減緩了集電極的電流增長。其次，另一個影響柵極驅動電路電壓的因素是柵極-集電極電容Cgc的密勒效應。t2時刻，集電極電流達到**大值，Uce迅速下降使柵極-集電極電容Cgc開始放電，在驅動電路中增加了Cgc的容性電流，使得驅動電路內阻抗上的壓降增加，也削弱了柵極驅動電壓的進一步上升。顯然。如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時電流稱為反向飽和電流。

英飛凌IGBT綜述：我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于幾乎所有應用。市場**的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開關配置，電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。這些產品可用于通用驅動器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風電應用）等應用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長的優(yōu)勢。IGBT模塊采用預涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應用實現(xiàn)一致性的散熱性能。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進行安裝，從而實現(xiàn)無焊料無鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動器應用的特殊要求而開發(fā)。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開關性能經過優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調整軟起動器，以適應不同的工作電壓。該器件還適用于通用線電壓整流器應用，如電源和標準驅動。二極管承受反向電壓時，加強了PN結的內電場，二極管呈現(xiàn)很大電阻，此時*有很小的反向電流。河北出口模塊

6.5 kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動器應用的特殊要求而開發(fā)。遼寧模塊批發(fā)廠家

優(yōu)勢：?簡單的串聯(lián)方式?很強的抗浪涌電流能力?標準封裝，易于安裝英飛凌二極管綜述：具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件、具有高性價比的晶閘管/二極管模塊、采用分立封裝的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產品組合大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應用的效率，覆蓋10kW-10GW的寬廣功率范圍，樹立了行業(yè)應用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應用范圍包括服務器堆場、太陽能發(fā)電廠和儲能系統(tǒng)等；同時適用于工業(yè)和汽車級應用。遼寧模塊批發(fā)廠家

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